【課題】 本発明は、より簡易で部品点数の少ない態様で、歪センサを歪計測対象部材に押圧することができる歪センサの取り付け構造の提供を目的とする。
【解決手段】 射出成形機の構成要素である歪計測対象部材に取り付けられる歪センサの取り付け構造において、歪計測対象部材に磁力により吸着されて設けられる磁石を備え、歪センサは、歪計測対象部材の表面と磁石との間に挟まるように設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐水性に優れ、長期に亘る使用において、安定性に優れ、高温環境下でも所期の性能を発揮し、しかも構成の簡素化、小型化をも実現し得るクリップゲージを提供する。
【解決手段】 ＣＴ試験片の第１のエッジおよび第２のエッジに当接する第１および第２クリップ片９および１０の変位は、第１および第２の変位伝達板５および６と、第１および第２の変位導入部３および４とを順次に介して、起歪部２に伝達され、起歪部２の表面に曲げ変位が生ずる。
その曲げ変位を、起歪部２に添着されたひずみゲージによって検出し、該ひずみゲージによって形成されたフルブリッジ回路が出力される検出信号を電気ケーブル１６を介して外部へと導出する。 （もっと読む）

【課題】繊維強化エラストマーにおける補強繊維の歪みを正確に計測する上で有利な歪み計測構造および歪み計測方法を提供する。
【解決手段】ベルトコード２０は、トレッドゴム１２Ａおよびトッピングゴム２２からなるエラストマーの内部で一定方向に延在している補強繊維である。ベルトコード２０の部分をエラストマーの外方に露出させる孔２４を、エラストマーに形成する。孔２４の底部においてベルトコード２０が露出している部分に、歪みゲージ取着用ベース２６を取着する。歪み取着用ベース２６のヤング率は、エラストマーのヤング率の１０倍以上、ベルトコード２０のヤング率の１／１０以下である。ベルトコード２０と反対側に位置する歪みゲージ取着用ベース２６の箇所に歪みゲージ２８を取着する。孔２４を埋設材料３２で埋設する。歪みゲージ２８によりベルトコードの歪みが計測される。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪
センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因す
る熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。
【解決手段】 歪センサーチップをベース板に接合し、ベース板の歪センサーチップを挟
んだ両側２箇所の接続エリアでベース板を測定対象物に接続する。歪センサーチップの歪
検出部はｐ型シリコンの＜１１０＞方向、およびそれに垂直な方向を電流方向とするピエ
ゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成し、＜１１０＞方向を、前記２箇所の接続エリアを結ぶ
方向（Ｘ方向）と一致させる。歪センサーチップとベース板の熱膨張差による熱歪をブリ
ッジ回路でキャンセルでき、ベース板に選択的に伝えられるＸ方向の歪に対して高い感度
で検出できる。 （もっと読む）

【課題】 試験体の表面に簡単に貼り付けることができ、容易には剥がれず、かつ試験体の正確なひずみを測定することができる方法を提供する。
【解決手段】 本発明の改良土のひずみ測定方法は、試験体１０の表面にパテ材１１を塗布し、その表面上に塗膜を形成する工程と、その塗膜を乾燥させる工程と、試験体１０のひずみを測定するためのひずみゲージ１２を、その塗膜上に貼り付ける工程とを含む。試験体１０に使用される改良土は、その含水比が８５％まで対応可能で、パテ材１１は、０．１ｍｍ程度の厚さに塗布される。 （もっと読む）

【課題】生体内の蠕動運動を直接的に測定する際に適用可能とすることができる歪センサを提供する。
【解決手段】絶縁性ゴム材料からなるベース２と、ベース２の一面に設けられた電極３及び配線４と、電極３の上方を主としてベース１に分散・塗布された多数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）５と、カーボンナノチューブ５を覆う絶縁性ゴム材料からなるカバー６と、を備えている。カーボンナノチューブ５自体又は互に接触しあうカーボンナノチューブ５の抵抗変化で微小変動等を捉える。 （もっと読む）

【課題】高熱部分に容易に取り付けられるひずみゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ひずみゲージ１ａは、ゲージベース２の一表面に薄膜状のひずみ受感部３を備え、同一表面上に、ひずみ検知用延長リード部４を備える。ひずみ検知用延長リード４は、ひずみ受感部３の設置部の外部でひずみ検知用ゲージリードに接続可能な長さを有する。ひずみ受感部３と同一表面上に、温度検知手段２１を備える。ゲージベース２は、ポリイミドフィルムからなる。ひずみゲージ１ａは、ポリイミドよりも熱伝導率の大きなベース材料を備える。製造方法は、支持体１１上にポリイミド樹脂溶液層１２を形成し、その上に金属箔１３を接着する。ポリイミド樹脂溶液層１２を硬化させてポリイミドフィルム１４を形成した後、金属箔１３をエッチングしてひずみ受感部３とひずみ検知用延長リード部４とを形成し、ポリイミドフィルム１４から支持体１１を剥離する。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、測
定対象物の歪に応じて歪センサーチップに生じる歪の変換係数が、歪測定レンジにおいて
安定にする。
【解決手段】 歪センサーチップ裏面とベース板表面を接合し、ベース板の裏面に歪セン
サーチップの側辺部に側辺長以上の長さで、歪センサーチップ接続部と接続エリアを分断
する溝を形成する。歪センサーチップの裏面に溝に挟まれた突出部が形成されることで、
表裏の剛性バランスが改善し、歪センサーチップの曲げ変形が起こり難くなり、歪の変換
係数を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放
熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。
【解決手段】 半導体にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと金属性のベース板
、センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線を有し、歪センサーチップはベー
ス板に金属材料により接合され、ベース板にはセンサーチップの接合部を挟む少なくとも
２箇所に、測定対象物に接続するための接続エリアを有する半導体歪センサーを構成する
。センサーチップが金属性のベース板に金属材料で接合されていることから、センサーチ
ップで発生した熱が、センサーチップ裏面からベース板に逃げやすく、センサーチップの
温度上昇、およびセンサーチップとベース板の温度不均一による熱変形を防げる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からなるひずみ測定装置によりひずみを測定する場合、シリコン基板の剛性が大きいため、ひずみ感度のばらつきが大きい。
【解決手段】シリコン基板の主面に少なくともひずみ検出部が設けられており、前記ひずみ検出部の上面に絶縁膜、さらにその上面に保護層が設けられており、前記保護層には、ひずみ検出部と電気的に接続された電気配線が設けられ、かつ、前記保護層の表面に実装面が設けられることにより達成される。
【効果】剛性が大きいシリコン基板を介すことなくひずみ検出部を被測定物に近づけられるため、ひずみ追従性が安定する領域が拡大され、ひずみ感度のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】コストやサイズの増加を殆ど来たすことなく、小ひずみから２０％を超える大ひずみまでの広範囲にわたるひずみを精度良く測定し得るひずみゲージを提供する。
【解決手段】この大ひずみ測定用ひずみゲージは、ゲージベース１１上にゲージ素子パターン部１２、ゲージタブパターン部１３ａ、１３ｂおよび接続パターン部１５ａ、１５ｂからなる金属箔パターン部が添着されている。この金属箔パターン部が添着され、ゲージリード１４ａ、１４ｂの基端部が接続されたゲージベース１１の表面は、ほぼ全体がラミネート膜１７で被覆されており、ラミネート膜１７の先端側は、ゲージベース１１の先端縁１１ａより所定の長さ延長されて、はみ出し部１７ａが形成されている。このはみ出し部１７ａは、ゲージベース１１が被測定対象物１９から剥離するのを防止する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】インライン生産可能なひずみゲージの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ひずみゲージの製造方法を提供し、該方法は、接着樹脂フィルム上に抵抗性材料からなる箔がコーティングされた転写箔フィルムを準備する工程；ひずみの被測定物の外表面上の所望の部分に、該転写箔フィルムの該接着樹脂フィルム面を当接させる工程；および該転写箔フィルムを処理して、該接着樹脂を介して箔ゲージパターンを該被測定物に転写する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
ひずみ測定を行う場合，半導体の基板となるシリコンがを薄くした場合にはシリコン表面が配線などの部材の影響を受けることで測定部のひずみが乱れて測定精度が低下する。
【解決手段】
ひずみ検出半導体素子の裏面を測定対象との接着面として，ひずみ検出半導体素子を支持する配線基板とひずみ検出半導体素子との間に弾性率の小さな部材をを設ける。
【効果】
ひずみ検出半導体素子を支持しつつ、支持する配線基板の剛性や熱変形がひずみ検出半導体素子に及ぼす影響を小さくできる。
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【課題】チェーン性能を簡単にかつ低コストで測定することができる、チェーン稼働状態測定装置を得ることにある。
【解決手段】被測定部材（１０）に固定される半導体ひずみゲージ（２０）と、半導体ひずみゲージの出力を無線送信する被測定部材に固定される集積回路からなる送信モジュール（３０）と、半導体ひずみゲージ及び送信モジュールに電力を供給する被測定部材に固定される小型電池（４０）とからなる。 （もっと読む）

【課題】 必要とする歪みを精度よく検出するとともに検出の感度を向上させ、かつ耐久性を向上させ併せて再使用を可能として経済性を向上させる。
【解決手段】 一対の歪みゲージ２７，２８の検出部２７ａ，２８ａが互いに直交し検出部２７ａ，２８ａ全体がエポキシ系樹脂２９に覆われて台座２６上に取り付けられている。台座２６は非鉄金属でヤング率が比較的低いアルミニウムによって形成され、下面が軸受の被検出箇所に接着剤によって取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪みゲージの回転を抑制すると共に正確な測定を可能にする歪み測定装置を提供する。
【解決手段】 ガラスペーストを用いて起歪体に貼り付けられる半導体歪みゲージ１を備えた歪み測定装置であって、前記半導体歪みゲージ１はピエゾ抵抗素子２が設けられた回路基板部３と、回路基板部３から延びている回転抑制延出部４とを有しており、回路基板部３の対向する２辺の少なくとも一方から回転抑制延出部４が延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長体の局所的な変形により生じる見かけの曲げひずみを排除すると共に、三次元空間の状態量を合理的に再現するのに必要な情報を得ることができるようにする。
【解決手段】肉厚１〜２ｍｍのアルミ管またはステンレス管１の表面を切削し、ひずみゲージ２を貼り付ける位置（周方向４箇所、軸方向５０ｃｍ間隔）のアルミ管１の肉厚部を切削して中立面を露出させ、ひずみゲージ２を軸方向に平行及び軸に対して直角方向及び斜め（４５度）の方向に感度を持つように貼り付け、エポキシ樹脂で切削部を充填し、アルミ管１表面を滑らかな状態に成形した。ひずみゲージが長体の表面に露出していないため、外力がひずみゲージに直接作用することがなく、見かけの曲げひずみを拾うことがないため、高い精度の長体センサが得られる。 （もっと読む）