【課題】被処理基板上のレジスト膜に形成された複数の回路パターン毎の寸法を測定し、直後に測定情報に基づいて紫外光を照射して各回路パターン毎の補正を行うようにした回路パターンの補正方法及びその装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷ表面のレジスト膜に形成される複数のチップＣＰ（回路パターン）の寸法を目標寸法に補正する回路パターンの補正方法において、ウエハに形成された各回路パターン間のピッチと同寸法に回路パターンの測定手段７０と紫外線照射手段７１との位置を調整し、測定手段によって各回路パターンの寸法を順次測定し、測定手段によって測定された情報に基づいて各回路パターンの補正量を演算して目標寸法に達する紫外線の照射量を決定し、紫外線照射手段によって各回路パターンに順次、上記決定された照射量の紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】微小な物体とそれに近接する透光性の物体との距離、または物体表面の微小領域とそれに近接する透光性の物体との距離を測定する。
【解決手段】透光性の基板とそれに近接する物体との距離を光学的に測定する微小距離測定方法および装置は、レンズで集光した光を基板を通過させて物体に投光し、その際に基板の表面に斜め角度で前記光を入射させ、物体の表面で反射して基板を通過した光を受光し、受光した光の振動方向の異なる偏光成分の位相差を検出し、検出した位相差に基づいて基板と物体との距離を決定する。基板を通過した光の非点収差に因る物体上の照射スポットの拡がりを低減する透光性部材がレンズと基板との間の光路内に挿入され、透光性部材と基板とを通過した光が物体に入射する。 （もっと読む）

【課題】余分な構成を必要とせずに、基準格子からの反射回折光によるノイズを除去することができるモアレ縞測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基準格子Ｌからの反射回折光によるノイズ成分については、アダマール変換部３２で変換された直交変換画像において、周囲の画素の画素値に対して特異な画素値を有する画素となる特異画素に変換される。したがって、特異画素算出部３３で求められた特異画素の画素値を周囲の画素の画素値で補間部３４が補間し、その補間部３４で補間された直交変換画像に対して逆アダマール変換部３５は逆アダマール変換を施して元の画像に戻すことで、ノイズを除去することになる。その結果、余分な構成を必要とせずに、基準格子Ｌからの反射回折光によるノイズを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】表層のＳｉ層が研磨されるにしたがって短い周期で反射率波形が移動するＳＯＩウェーハの研磨において、該Ｓｉ層の研磨終了点を確実にモニタする研磨終点検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、研磨中、ＳＯＩウェーハの表面から反射された光を解析する解析ステップを有するとともに該解析ステップは、周期性を有する実測分光波形の波長ないしは波数に対し、リアルタイムにフ−リエ変換する第１のステップと、該フ−リエ変換された各周期成分のうち、ＳＯＩウェーハにおけるＳｉ層の膜厚に対応した周期成分を抽出する第２のステップと、該抽出した周期成分からＳｉ層の膜厚量をリアルタイムに換算する第３のステップとを有する研磨終点検出方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】被測定物の振動やその他のノイズ要因の影響を排除して被測定物の厚みを簡易に高精度で測定できること。
【解決手段】周波数がわずかに異なる第１ビーム光Ｐ１及び第２ビーム光Ｐ２のそれぞれを分岐させておもて面の測定部位１ａ及びうら面の測定部位１ｂへ導き，第１ビーム光Ｐ１を物体光とし，第２ビーム光Ｐ２を参照光とするおもて面側のヘテロダイン干渉計ａ２０と，第２ビーム光Ｐ２を物体光とし，第１ビーム光Ｐ１を参照光とする（おもて面とは物体光と参照光とが逆の関係である）うら面側のヘテロダイン干渉計ｂ２０と，両ヘテロダイン干渉計ａ２０，ｂ２０それぞれから出力される強度信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２の位相差Φsを位相検波器４で検出し，その位相差Φsを，位相検波器４の入力信号の振幅の測定値（指標値）に応じて補正した位相差Φs’を，被測定物１の厚みに相当する測定値として出力する。 （もっと読む）

【課題】被観察物の端面が，面取り加工された光沢性の強い端面であっても，その端面の広い範囲を一望できる撮像画像を得ること。
【解決手段】光を透過させて透過光を拡散させる拡散板が，被観察物１の端面からその端面に連なる表裏両側の面に渡る範囲に対して内側の面が対向する屈曲形状又は湾曲形状に形成され，その外側に配置されたカメラ３０の位置から被観察物の端面１ａが見える覗き窓１４が設けられた光拡散部材１１と，その光拡散部材１１の外側に配列され，光拡散部材１１を介して端面１ａを照明する複数のＬＥＤ１２と，前記覗き窓１４に向かうカメラ３０の光軸方向に交差する方向へ光を照射するＬＥＤ２１及びレンズ２２と，カメラ３０と前記覗き窓１４との間においてＬＥＤ２１からの光を反射して前記覗き窓１４を通じて端面１ａに照射するとともにその端面１ａからの反射光をカメラ３０側へ通過させるハーフミラー２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 バンドパスフィルタを用いて制限した光を被検物の表面に当てて、その反射光により被検物の表面を安定的に観察する。
【解決手段】 被検物を照射する光の光源と、該光源の光から所定の波長成分を抽出する第１のフィルタと、記第１のフィルタを通過した光のうち前記所定の波長成分の範囲内であり前記第１のフィルタよりも狭い帯域の抽出特性を有する第２のフィルタと、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとで抽出された前記光で前記被検物を照明する照明光学系と、前記照明された前記被検物の観察を行う観察光学系とを用いる。 （もっと読む）

【課題】単純な構成で高精度に被測定物体の表面形状を測定する表面形状測定装置及び露光装置を提供する。
【解決手段】表面形状測定装置は、光源からの白色光をモスアイ形状の反射防止部を有するプリズムを用いて基板と参照面に８０度以上の入射角で入射させ、白色干渉光を得る。波長選択が可能な光学フィルターを用いて白色干渉光を複数の単一光による干渉光に分解する。その複数の干渉光に対して高速フーリエ変換を行いパワースペクトル分布を求め、スペクトルのピーク位置情報を用いて基板の表面形状を測定する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズがあったりエッジが不完全であったりしても透明部材の形状を認識し、透明部材の位置が検出可能となる位置検出装置を提供する。
【解決手段】 面が互いに向き合うよう連なって配置された複数の透明部材を面の垂直方向から撮像した画像を取得する画像入力部２と、画像入力部２によって取得された画像に撮像された複数の透明部材それぞれの輪郭を少なくとも含んだ領域を取得するＲＯＩ設定部１０と、ＲＯＩ設定部１０によって取得された領域内から、複数の透明部材のエッジを抽出するエッジ抽出部１１と、エッジ抽出部１１によって抽出されたエッジから、複数の透明部材のうちの所定の透明部材のエッジを選択する最適エッジ選択部１２と、最適エッジ選択部１２によって選択されたエッジに基づき、所定の透明部材の位置を算出する位置算出部１３と、を備える位置検出装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＩＳの平均値以外の重ね合わせ測定精度に関わる指標も考慮し、総合的に最適な焦点位置を決定できる重ね合わせずれ量算出方法を提供する。
【解決手段】重ね合わせずれ量の相関係数、基板面内のTISの３σ、繰り返し測定再現性を考慮し、（焦点位置決定値）＝−（相関係数）＋（基板面内TISバラツキ）＋（繰り返し測定再現性）と、上記焦点位置決定値を定義する。この焦点位置決定値を測定マークに対する光学顕微鏡の最適な焦点位置決定指標として用いる。この焦点位置決定値が最小となる焦点位置を最適な焦点位置と決定し、その最適焦点位置における基板面内のTISの平均値を個々の重ね合わせずれ量に対して補正を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ（Ｓｉ部分の厚さ＋回路パターンの厚さ）を簡易な方法により、精度よく測定できる方法を提供する。
【解決手段】外周のエッジ部にノッチ部１を有し、一方の表面に保護テープ５が貼り付けられた薄板円盤状のウェーハ３を、チャックステージ２上においてウェーハ３に貼り付けられた保護テープ５の表面５ａをウェーハ３のチャックステージ２に当接させて固定し、反射型レーザセンサ６のレーザ光をウェーハ３のノッチ部近傍に照射し、ウェーハ３表面からの反射光と、ノッチ部１で露出している保護テープ５の裏面５ｂからの反射光とを各々捉えて、ウェーハ３表面及び保護テープ５の裏面５ｂの位置データを取得することにより、ウェーハ３の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】簡易な計算により半導体ウェハ等の回転体の中心位置を高精度に求めることのできる中心位置検出方法を提供する。
【解決手段】円板体の周縁に沿って配置された少なくとも３個のラインセンサを用い、これらのラインセンサにより検出される前記円板体のエッジ位置と円の方程式から求められる中心直交座標位置（ａ,ｂ）を示す２次の有理多項式を、前記円板体の半径ｒに関与しない有理式に近似する。そしてこの近似式に基づいて、上記各ラインセンサによりそれぞれ検出される前記円板体の径方向のエッジ位置Ｓと、各ラインセンサの方位角θに基づいて予め求めた係数Ａ,Ｂとの積和演算によって前記円板体の中心直交座標位置（ａ,ｂ）を算出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゴミの付着部や傷の生じた部分等の特異部が一部に存在する被測定物についても，光干渉計により得られる位相データに基づく位相接続処理を行うことによって高精度で形状を測定できること。
【解決手段】被測定物１の表面上で物体光を照射する光干渉計による測定点を変化させつつ，干渉光の強度信号の位相を検出して得られる複数の位相データを，その位相データに対応する干渉光強度信号の振幅が振幅許容範囲内である処理対象データとそれ以外の非処理対象データとに区分し，１本の走査線に沿って，測定点が隣り合う２つの処理対象データに基づく位相接続処理を順次実行するとともに，一本の走査線に沿って非処理対象データの測定点と処理対象データの測定点とが隣り合う場合，その処理対象データとその処理対象データに対して測定点が前記一本の走査線と交差する方向において隣り合う他の処理対象データとに基づく位相接続処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】露光中に、投影光学系に対するウェーハ表面の位置及び方向を測定し、ウェーハテーブルの垂直位置及び水平方向の傾斜を調節して、ウェーハ表面を最適な焦点位置に維持する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する際に使用するレベルセンサと、リソグラフィ装置の基板テーブルを動かすように構成された１対のアクチュエータと、アクチュエータを制御することによって、レベルセンサに対して基板を動かす制御装置と、を含む。制御装置は、第一アクチュエータと第二アクチュエータの運動を組み合わせて、アクチュエータの個々の少なくとも一方の最高速度より速い速度を有する複合運動を生成する。 （もっと読む）

方法及び装置は、ウェハスクライブシステムのためのリアルタイムのオートフォーカスを実行する。方法及び装置は、スクライブレーザビームのための対物レンズ（２６）の真下のウェハ（１０）の表面（５０）に、グレージング角で方向付けられた偏光光（４２）を用いる。ウェハから反射した光は、フィルタリング（５６）され、スクライブレーザビームからの光が除外され、位置敏感型検出器（５８）に集光され、対物レンズからウェハ表面までの距離が測定される。 （もっと読む）

【課題】基板に塗布される膜の塗布範囲を検査する端部検査装置を提供する。
【解決手段】外面に膜が形成されるウェハＳを検査対象とする端部検査装置１のコンピュータ１０が、ウェハＳのウェハ端ＳＥを、ウェハＳの平坦面に平行となるように撮影された画像データＤＨから、ウェハＳの輪郭線を抽出し、画像データＤＨの撮影対象の位置を、ウェハの平坦面となす角θで撮影された画像データＤＳを構成するピクセルの径方向の輝度値の変化により、ウェハＳのエッジ位置に対応するピクセルと、膜の境界となる膜境界位置に対応するピクセルとを検出し、検出したピクセルに基づき算出するエッジから膜境界位置までの距離と、基盤の輪郭線と、角度θとに基づき、輪郭線における膜境界位置を算出する。 （もっと読む）

【課題】同一の基本パターンが２次元方向に反復するように形成された試料上を、撮像ユニットで２次元走査して主走査方向に並んでいない複数の基本パターンを撮像し、これら基本パターンの１つを撮像した撮像画像である検査画像と、他の基本パターンを撮像した撮像画像から得られる参照画像との間を比較する際に、これら基本パターンを同じ方向に向かって走査するために生じる検査効率の低下を緩和する。
【解決手段】連続して行われる２回の主走査が互いに反対方向に行われるように試料と撮像ユニットとを相対移動させ、互いに反対方向に行われる主走査で得られる参照画像が異なる記憶領域に記憶されるように参照画像を所定の記憶回路（２１ａ、２１ｂ）に記憶し、ある主走査で得られる検査画像をその前に同じ方向に向かって行われた他の主走査によって得られた参照画像と比較する。 （もっと読む）

【課題】被検査物の欠陥検出の感度を向上することができる欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、欠陥強調処理工程と欠陥検出工程を有する。欠陥強調処理工程は、撮像画像から平滑化画像を作成する工程ＳＴ２０と、検査対象画素を順次選定する工程ＳＴ２１と、検査対象画素に対応する平滑化画像の着目画素の周囲に複数配置された比較対象画素を複数の比較対象画素群に分けて設定する工程ＳＴ２２と、比較対象画素群の各比較対象画素と検査対象画素の各輝度値の差である輝度差データを求め、その値が最小となる最小輝度差を比較対象画素群毎に求める工程ＳＴ２３と、比較対象画素群毎に算出された最小輝度差のうち、値が最大となる最小輝度差を前記検査対象画素の欠陥強調値とする工程ＳＴ２４とを備える。欠陥検出工程は、欠陥強調値を閾値と比較して抽出した欠陥候補画素で構成される欠陥候補領域の特徴量から欠陥を判別する。 （もっと読む）

【課題】機構が簡単で調整も煩雑ではなく、省スペースであり、しかも高精度なアライナーを提供する。
【構成】ラインセンサ３で計測した回転軸５ａとウェハ４外周位置との最短距離δ２及び最長距離δ３の計測データに基づき最短距離δ２と最長距離δ３との差δ４が算出され、回転軸５ａの回転を、ウェハ４外周位置が最短距離となる状態または、ウェハ４外周位置が最長距離となる状態のどちらかの状態で停止する。次にリフトピン６を下降位置のまま第一駆動部７を駆動して、測定寸法差δ４の１／２だけ移動し、第２駆動部８の駆動によって上昇させ、バキューム９を作動してリフトピン６に備えられたバキュームチャックによってウェハ４がリフトピン６に保持されて測定寸法差δ４の１／２だけＸ軸方向に搬送される。 （もっと読む）

【課題】安価に構成することができ、使用することができる状況の制約が少なく、２次元画像情報及び３次元情報の両方を高速に生成することができる画像情報生成装置を提供する。
【解決手段】処理選択部２６０は、投影用光源２０４を消灯させ照明用光源２１４を点灯させているフレームＦＬ１，ＦＬ３，ＦＬ５，・・・にカメラ２２４に第１の撮像を行わせ生成させた画像信号をデジタル化した第１の画像データＤ１，Ｄ３，Ｄ５，・・・を投影可否判定部２７０に処理させ、照明用光源２１４を消灯させ投影用光源２０４を点灯させているフレームＦＬ２，ＦＬ４，ＦＬ６，・・・にカメラ２２４に第２の撮像を行わせ生成させた画像信号をデジタル化した第２の画像データＤ２，Ｄ４，Ｄ６，・・・を３次元情報生成部２６２に処理させる。３次元情報生成部２６２は、半導体ウエハＷに関する３次元情報を画像データＤ２，Ｄ４，Ｄ６，・・・から生成する。 （もっと読む）