【課題】対象物の形状によらず、ライン照明とラインセンサの構成の光学的測定装置を用いて高速かつ高精度に、測定対象物のエッジ周辺部付近まで測定する方法および装置を提供する。
【解決手段】支持部材により支持された測定対象物の表面に、ライン照明光を照射し、測定対象物の表面からの散乱光あるいは反射光あるいは透過光を結像光学系を介して受光部に結像させて、測定対象物の状態を測定する場合、ライン照明光が測定対象物のエッジ周辺部にあたらないようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被測定物の振動及び光源から干渉計に至る測定光の伝送媒体の振動の影響を受けずに，被測定物の厚みを簡易に高精度で測定できること。
【解決手段】単波長レーザ光源２から出射される基幹光Ｐ０の分岐光を被測定物１の表裏各面の表裏相対する測定部位１ａ，１ｂに対向して光学機器を一体保持する２つの測定光学ユニットＺ各々の方向へ光ファイバａ１０，ｂ１０等により導光し，前記測定光学ユニットＺにおいて，前記基幹光Ｐ０の分岐光各々をビームスプリッタ１３でさらに二分岐させた分岐光から，音響光学素子１５，１６により周波数の異なる２つの測定光Ｐ１，Ｐ２を生成し，各測定光Ｐ１，Ｐ２を物体光及び参照光とするヘテロダイン干渉計２０により得られる測定用ビート信号と，２つの測定光Ｐ１，Ｐ２の干渉光に基づく参照用ビート信号と光検出器２８，３８で検出し，両ビート信号の位相差を被測定物１の厚み算出用の位相情報として検出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体ウエハの下面の外観異常箇所が、何れの半導体素子領域に存在しているかを正確に識別することができる外観検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の半導体素子領域５２が形成された半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常を検査する方法であって、半導体ウエハ５０の下面５０ｂに各半導体素子領域５２を示す映像を投影した状態で、半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所５６を目視で特定する検査工程を有する外観検査方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの欠陥を精度よく検査できる欠陥検査方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１の欠陥検査の際に、ウェーハのベベル部に検査光を照射し、その散乱光を検出し、検出した散乱光の内で所定の光強度範囲内にある弱い散乱光が密集した箇所を特定することにより前記ベベル部の欠陥を検知する。欠陥が検知されたウェーハの処理（例えば、ラピッド・サーマル・アニールのような熱処理工程）の進行を停止し、ウェーハの破損を防止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハを検査するための検査システム。
【解決手段】 この検査システムは、広帯域照明を供給するための照明設定を備える。広帯域照明は、異なるコントラスト、例えば明視野および暗視野広帯域照明であることができる。検査システムは、第１の画像収集装置および第２の画像収集装置を更に備え、半導体ウェーハが動く間、各々が半導体ウェーハの画像を収集するために広帯域照明を受け取るために構成される。システムは、広帯域照明の平行を可能にするための複数のチューブレンズを備える。システムはさらに、安定化メカニズムおよび対物レンズ組立体を備える。システムは、細線照明エミッタ、および半導体ウェーハの３次元画像をそれによって収集するために細線照明を受け取るための第３の画像収集装置を更に備える。システムは、第３の画像収集装置が、複数の方向に半導体ウェーハから反射される照明を受け取ることを可能にするための反射器組立体を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアおよびキャリアに収容された半導体ウエハの姿勢を精度良く測定することのできる形状測定機を提供する。
【解決手段】測定対象であるキャリア１８を支持するステージ１２，２０と、測定対象の形状を測定する測定部１０とを有する。ステージ１２，２０は、キネマティックカップリングによって測定対象を支持するために、キネマティックカップリングピン２０ａ，２０ｂ，２０ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】
被検体測定面の水平面に対する傾きと、回転する被検体の場合には回転中心に対する偏芯をほぼ同時に検出し測定する。
【解決手段】
レーザ光源１からの光束を回転する被検体Ｄに向かわせ、その測定面ｄ１からの反射光をテレセントリック対物レンズ７で検出して対物レンズ１０で受光部１１に投影する傾き測定用光学系１３を形成する。また被検体測定面ｄ１に予め施した指標をテレセントリック対物レンズ７で検出して対物レンズ１０で受光部１１に投影する顕微鏡用光学系１５を形成する。
両光学系１３、１５を結合し、夫々が検出した像を共通の受光部１１に投影し、表示部Ｃに表示して測定する。


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【課題】ノッチ部を精度良く検査できる周部検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る周部検査装置は、周部にノッチ部１４が形成されたウェハ１０を保持する保持部と、ウェハ１０の周部を撮像可能な撮像部９０とを備え、撮像部９０により撮像されたウェハ１０の周部の画像を用いてウェハ１０の表面検査を行うように構成され、保持部に保持されたウェハ１０と撮像部９０とを撮像部９０の光軸方向に沿って相対移動させる駆動部と、撮像部９０の光軸上にノッチ部１４を位置させた状態で、駆動部により相対移動させながら撮像部９０により撮像したノッチ部１４を含んだ複数の画像について、それぞれの画像の画素毎に信号強度を求めるとともに複数の画像における同じ画素同士の信号強度を比較して、信号強度が最大となる画素を抽出し、抽出された複数の画素の画像を対応する画素位置に並べて合成しノッチ部１４の検査用画像を生成する画像処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】いかなる形状の検出対象物であっても検出対象物のエッジ位置を高精度に検出することができ、空間フィルタとしての精度が高く、配置の自由度が高いエッジ検出装置を提供する。
【解決手段】複数の波長の光を含む白色光を第１の光路１０９ａへ発する白色光源１０１と、第１の光路１０９ａに発せられた白色光に含まれる波長毎に被加工物１（検出対象物）に向けて光軸上に複数の焦点を形成する色収差集光レンズ１０２と、被加工物１で反射した白色光を第１の光路１０９ａとは異なる第２の光路１０９ｂに導く光ファイバ１０４と、この光ファイバ１０４により第２の光路１０９ｂに導かれた白色光の強度を検出する検出器１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
干渉光学系において干渉縞のある取得画像からアライメントマーク位置を検出する方法およびこれを用いた高速な装置を提供する。
【解決手段】
干渉光学系における撮像画像は撮像対象面３０Ａと参照面１５から同一光路を戻る反射光同士の干渉現象により、撮像装置１９で撮像した画像には干渉縞が現れる。このとき、分布干渉縞の角度θだけ画像を回転させた回転画像を作成し、その画像に対して１次元微分フィルタを掛けることにより干渉縞の輝度変動の影響を無くす事が出来、取得画像のアライメントマークの位置を正しく検出する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面全体のような広い領域の膜厚分布を高速に測定可能な膜厚測定方法および装置を提供する。
【解決手段】表面に薄膜を有する基板を支持するステージと、基板を略平行光で照明する照明部と、略平行光で照明された前記基板の正反射像を一括して撮像する撮像部と、正反射像と、前記基板上のいずれかの位置における膜厚情報とに基づいて、前記一括して撮影された範囲の前記薄膜の膜厚分布を求める膜厚分布検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査時間を短縮した表面検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１０の端部近傍の状態を検出するエッジ検出器３０〜５０と、エッジ検出器３０〜５０からの出力に基づいてウェハ１０の端部近傍の検査を行う演算処理部７０と、エッジ検査器３０〜５０に対してウェハ１０を相対回転させるウェハ保持部２０とを備え、ウェハ保持部２０による相対回転を行いながらエッジ検出器３０〜５０がウェハ１０の端部近傍の状態を検出し、エッジ検出器３０〜５０からの出力に基づいて演算処理部７０がウェハ１０の端部近傍の検査を行う表面検査装置１において、ウェハ１０の端部を検出するプリアライメントセンサ６１〜６３が設けられ、演算処理部７０は、プリアライメントセンサ６１〜６３からの出力に基づいて、第１および第２エッジ検出器３０，４０の作動状態および、第３エッジ検出器５０から演算処理部７０への出力を補正するようになっている。 （もっと読む）

外面（１６）と、当該外面（１６）に対して反対側に位置する内面（１７）と、を有する物体（２）の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための装置（１）及び方法に関する。所定帯域内で多数の波長を含む低コヒーレンスの放射線ビーム（Ｉ）を放射して、且つ、互いに異なり同時に活性化される複数の放射線ビームを放射する少なくとも２つの個別のエミッタ（２０）を有する放射線源（４）と、前記物体（２）に入り込むことなく前記外面（１６）によって反射される放射線ビーム（Ｒ１）と、前記物体（２）に入り込んで前記内面（１７）によって反射される放射線ビーム（Ｒ２）と、の間の干渉の結果であるスペクトルを分析するスペクトル計（５）と、前記放射線源（４）と前記スペクトル計（５）とに光ファイバ（８，１０，１１）を介して接続されており、前記物体（２）の前記外面（１６）へ向けて前記放射線源（４）によって放射される放射線ビーム（Ｉ）を方向付けると共に、前記物体（２）によって反射される放射線ビーム（Ｒ）を集積するべく、計測対象の半導体材料（２）のスライス片と向かい合うように配置される光学プローブ（６）と、前記スペクトル計（５）によって提供されるスペクトルの関数として前記物体（２）の厚さを計算する演算処理装置（１８）と、を備える。
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【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

本発明は、電子部品用基板として機能する円盤状加工物の厚さを測定する方法に関するものであって、以下のステップを備える。赤外線が加工物の上面に導かれ、第１放射部がその上面において反射され、第２放射部が加工物の厚さを貫通し、加工物の底部において反射し、加工物の上面から再び出射する。第１および第２の放射部が干渉パターンの形成の下で干渉するが、その干渉パターンを利用して、加工物の上面と加工物の底面との間の加工物の光学的厚さが測定される。本発明によれば、加工物の物理的厚さが、加工物から反射した、かつ／または、加工物を透過した赤外線の強度の測定によって決定される。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の欠陥が両主表面のどちらにあるのかを正確に検出することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、製造された主表面磁気ディスク用ガラス基板を検査する検査工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記検査工程において、磁気ディスク用ガラス基板に対して光学式自動外観検査で欠陥の検査を行い、前記光学式自動外観検査で特定された前記欠陥の位置について、磁気ディスク用ガラス基板レーザドップラー干渉計で、前記磁気ディスク用ガラス基板の主表面上の欠陥を検出する。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の欠陥が両主表面のどちらにあるのかを正確に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ステージ上に載置された試料の位置を新たな位置計測ツールを用いることなく測定できるようした荷電粒子ビーム描画装置における試料の載置位置測定方法を提供する。
【解決手段】試料として、表面に、光の反射率が他の部分とは異なる、互いに直交する方向にのびる線状の２本のマーク部１０１，１０２を形成した専用試料１００を用いる。搬送ロボットにより専用試料１００をステージ上に搬送して載置した後、高さ測定器の投光部からの光を専用試料１００の表面に照射して、光の照射スポットＳＰを各マーク部１０１、１０２に交差するように走査する。高さ測定器の受光部による反射光の受光量の変化に基づいて、照射スポットＳＰの走査軌跡と各マーク部１０１，１０２との交差個所の位置を測定する。この測定位置から２本のマーク部１０１，１０２に合致する２本の直線を求め、試料載置位置を測定する。 （もっと読む）

【課題】
近年、半導体製造工程においては、製造時間の短縮および歩留まり低下要因の早期発見のため、ウェハの検査時間を短くすることが要求されている。これは、実際に検査する時間のみならず、検査の条件設定時の時間も短縮する必要がある。
【解決手段】
搬送系２の速度または位置の変動情報を用いて、検出器の蓄積時間や動作速度の制御もしくは取得画像の補正により、搬送系２の加減速時にも検査を行う。また、検出部の観察画像の表示を一定時間で切り替えることにより、検出部の視認性を向上させ、欠陥の有無を短時間で確認する。 （もっと読む）

【課題】光学系の組み立て調整が容易で、かつ、スケール部に異物等が付着した際の光量低下を抑えることが可能な光学式変位測定装置を提供する。
【解決手段】光学式変位測定装置１Ａは、スケール部１１Ａの回折格子１１Ｔで回折された２つの１回回折光Ｌｂ１，Ｌｂ２を再度回折格子１１Ｔに照射する反射光学系１６を備える。反射光学系１６は、直角を３つ合成した頂点を持つ三角錐のプリズムで構成されるマイクロコーナーキューブプリズムが、縦横に並べて配列されるマイクロコーナーキューブプリズム集合ミラー１７ａ，１７ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】透光性基板のエッジを確実且つ容易に検出することを可能とする。
【解決手段】第１の主領域１１１ａ及び第１の周縁領域１１１ｂを有する第１の主面１１１と、第２の主領域１１２ａ及び第２の周縁領域１１２ｂを有する第２の主面１１２とを有し、第１の周縁領域の傾斜角度がθa1であり、第２の周縁領域の傾斜角度がθa2である透光性基板１１０を用意する工程と、第１の主面の第１の主領域に対して垂直な方向から第１の主面の第１の周縁領域に測定光３１０を入射させる工程と、第２の主面の第２の周縁領域から測定光が出射されない非出射領域を検出する工程と、非出射領域に基づいて透光性基板のエッジを検出する工程とを備え、透光性基板の屈折率をｎとして、傾斜角度θa1及びθa2は以下の式を満たす。
ｎ×sin(θa1＋θa2−arcsin(sinθa1／ｎ))≧１ （もっと読む）