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Fターム[2F065CC17]の内容

光学的手段による測長装置 (194,290) | 対象物−個別例 (8,635) | 半導体製造関連 (1,910)

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【課題】極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体12cからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体12cを測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 (もっと読む)


【目的】チップのスクリーニング試験において、試験装置を構成するコンタクトプローブのメンテナンスを短時間で行うことができる半導体チップの試験装置と試験方法を提供する。
【解決手段】IGBTチップ20が破壊した場合に、IGBTチップ20のエミッタ電極に付いたコンタクトプローブ4の圧接痕とIGBTチップ20の破壊痕の距離を測定し、この距離が判定基準距離(例えば0.5mm)以下のときにコンタクトプローブ4を有するコンタクトブロック3をメンテナンスすることで、従来のようにIGBTチップの破壊が発生する都度、コンタクトプローブをメンテナンスしていた場合と比べて、試験装置停止時間及びメンテナンスコストの低減ができる。 (もっと読む)


【課題】、裏面側の位置検出光学系を移動させることなく、投影光学系の露光パターンの投影位置及び位置検出光学系の検出位置の相対的な位置合わせをより正確に行って、露光を高精度に行うことが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置1は、基板7を載置するステージ9と、基板7の表面側に配置され、基板7の表面7aにパターンを投影する投影光学系4と、基板7の裏面側に配置され、基板7の裏面7bに形成された位置合わせマークを検出する裏面位置検出光学系6と、ステージ9を貫通する貫通孔9bに取り付けられ、光を透過する部材で形成された窓部材10と、投影光学系4により窓部材10の表面10aに形成されたパターンの像を、窓部材10の裏面側から裏面位置検出光学系6で検出し、投影光学系4により形成されるパターンの像の位置と裏面位置検出光学系6で検出される位置合わせマークの位置との相対関係を算出する制御部11と、を有する (もっと読む)


【課題】スループットの更なる向上。
【解決手段】露光ステーション200において、粗動ステージWCS1に支持された微動ステージWFS1に保持されたウエハWに対する露光処理が行われる間に、計測ステーション300において、粗動ステージWCS2に支持された微動ステージWFS2に保持されたウエハWに対する計測処理と、センターテーブル130上の微動ステージWFS3に保持されたウエハWの交換とが少なくとも一部並行して行われる。このため、1つのウエハステージ上のウエハに対する露光処理と、別のウエハステージ上でのウエハ交換、アライメントなどの処理と、を並行して行う従来の露光装置に比べても、より高スループットな露光が可能になる。 (もっと読む)


【課題】下層に形成された凹部のパターンの上に、フォトレジストを形成して上層のパターンを重ねて露光する際に、下層のパターンの影響を受けずに上層のパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第1のデバイスパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第1の方向に所定の間隔で配列された第1のマーク列を第2の方向に複数配列した第1の検査用パターンと、が形成された加工処理対象上にレジストを塗布し、第2のデバイスパターンを形成するためのマスクパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第1のマーク列のマーク間に配置されるとともに、第2の方向の形成位置が第1のマーク列と所定の長さだけ重なるように配置される第2のマーク列を第2の方向に複数配列した第2の検査用パターンと、をレジストに形成し、第1と第2の検査用パターンを用いて算出した合わせずれ量から後の工程に進むか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】 干渉計と波長補償器の出力をデジタル信号に変換するときの量子化誤差に起因する計測誤差を低減した位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 移動体の位置を計測する干渉計と、前記干渉計の計測光の光路における気体の状態に起因する前記計測光の波長変動を補償する波長補償器と、前記干渉計と前記波長補償器の出力に応じた位置計測値を出力する制御器と、を備える位置計測装置であって、前記制御器は前記干渉計および前記波長補償器の出力をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル変換器を含み、前記波長補償器の出力をデジタル信号に変換するときの分解能が、前記干渉計の出力をデジタル信号に変換するときの分解能よりも高い。 (もっと読む)


【課題】高精度なフォーカス制御を実現する。
【解決手段】第1基板が載置されたステージを所定方向に走査し、該所定方向に沿って設けられた第1及び第2投影光学ユニットを介して第1基板のパターンを第2基板に露光する。ステージに第3基板を載置してステージを所定方向に走査する第1ステップと、第3基板上に所定方向に沿って配置された複数のマークを第1投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第1投影光学ユニットの第1フォーカス位置情報を計測する第2ステップと、複数のマークを第2投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第2投影光学ユニットの第2フォーカス位置情報を計測する第3ステップと、第1及び第2フォーカス位置情報に基づいて、前記パターンに対応する第1及び第2投影光学ユニットの各フォーカス位置と第2基板との相対位置を調整する第4ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】目標形状からの光学面のずれを測定する方法および装置において、精度を改善した方法および装置を提供する。
【解決手段】波長λを有する電磁光線の入射ビームを光学試験面に向け、光学試験面と相互作用した測定ビームを生成し、参照ビームに測定ビームを重畳して干渉計を用いた測定を行い、参照ビームからの測定ビームの波面ずれを決定し、この測定に基づいて決定した波面ずれにおける追跡エラーを除去して波面ずれを補正する。波面ずれを最小化するように光学試験面と干渉計の光学構成部材とを最適に整列した状態で測定を行った場合に10×λより大きい波面ずれが得られるように光学試験面を構成し、測定中に測定ビームによって干渉計に蓄積された収差と、最適の整列状態で得られる波面ずれがλより小さくなるように光学試験面を構成した場合に測定ビームによって蓄積されたであろう仮想収差とが異なるようにし、蓄積された収差の差によって波面ずれに追跡エラーを生じさせる。 (もっと読む)


【課題】 光源から放射される光ビームを、板ガラスのような透明材料を透過させてスクリーンに投影し、透明材料内の欠陥を検出する検査装置において、光学倍率、光源からスクリーンまでの距離、または光源の光度を変えることなしに、種々のサイズの透明材料の検査を可能にする。
【解決手段】 スクリーン26上に投影される光ビームを遮る光学素子24を光源22とスクリーン26との間に配置して、光ビームの少なくとも一部分の光度を変えて、ほぼ一様な照度分布をスクリーン26上に生成させ、透明材料30内の欠陥を検出する。 (もっと読む)


【課題】照明手段を備えた二次元測定機において、測定物を常に高コントラストで撮像できるようにするとともに、常に充分な光量を得ることできるようにする。
【解決手段】測定物(1)を拡大する顕微鏡(5)と、測定物を照明する照明手段(11)とを備えた二次元測定装置において、照明手段は、それぞれ異なる波長(λ、λ、λ、λ、λ)の光(14)を出射する複数のLED照明(12)を備えており、複数のLED照明のうちから選択した1つのLED照明から出射された光(14)が、コリメータレンズ(13)で平行光線とされ、顕微鏡内に配置された半透明プリズム(16)で測定個所(20)に向けて反射される。 (もっと読む)


【課題】 2波長露光など、誤計測要因が発生する状態において高精度な像面計測、ベストフォーカス計測、アライメント原点補正を可能にする。
【解決手段】 2波長露光において、露光時と同様に2波長発振状態にてTTLキャリブレーション計測を行い、特に、露光領域内の軸外パターンでのフォーカス検出を行う際には、レンズ開口の法線方向(サジタル方向)パターンを用いてフォーカス位置を検出することで倍率色収差による像のにじみの影響を無くしたものである。さらに、単一波長露光時と2波長露光時のそれぞれにおいて最適なキャリブレーション計測チャートを選択する。
また、二波長露光における倍率色収差の影響のみに限定するものではなく、distやコマ、テレセン度などフォーカスにより像シフトが起こり計測誤差が発生する場合でも同様な構成手法により誤差量を減らすことが出来る。 (もっと読む)


【課題】エンコーダ等の位置計測装置を使用した基板ステージの位置決めを行う際に、スケールの形状に依存する誤差を最小限に抑える露光装置を提供する。
【解決手段】基板5を保持する基板ステージ6と、該基板ステージ6の位置を計測する光学式計測部7と、該光学式計測部7からの計測光の反射対象となるスケール8とを備える露光装置50であって、基板ステージ6が設置された空間内を温度調節するための温調エアを供給する供給系と排気する排気系を有し、供給系は、基板ステージの走査部周辺に温調エアを供給する第1の供給系11、排気系14と、スケール8の設置部周辺に温調エアを供給する第2の供給系13、排気系15とを備える。 (もっと読む)


【課題】被検査物が複雑な形状である場合でも、精度よく欠陥検出をすることができる欠陥検方法および欠陥検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】欠陥検出方法は、被検査物を撮像し、撮像画像データを取得する撮像工程ST1と、エッジ検出工程ST3と、頂点検出工程ST4と、基準検出工程ST6と、欠陥検出工程ST9とを備える。基準検出工程ST6はエッジ追跡方向に沿って順に各頂点のエッジ回転方向を検出した際に、エッジ回転方向の向きが変化する頂点の直前の頂点を基準点として設定し、エッジ追跡方向に沿う基準点間のエッジに対し、後段の基準点におけるエッジ回転方向を基準回転方向として設定し、欠陥検出工程ST9は基準点間のエッジを追跡し、エッジ回転方向が、基準回転方向と異なる点を欠陥点として検出する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で膜厚を測定することができる膜厚測定装置及び膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる膜厚測定装置は、透明膜の表面反射光又は界面反射光が2次元アレイ光検出器の受光面に照射される照明領域に対応する画素列を光変換手段の位置に応じて記憶する画素列記憶手段と、試料上における焦点高さを走査する焦点高さ走査手段と、照明領域に対応する画素列で検出される光に基づく信号を焦点高さと対応付けて記憶する測定データ記憶手段101と、焦点高さを変数とし、測定データ記憶部101により透明膜の光学的な膜厚を求めるために参照される参照関数を記憶する参照関数記憶手段102と、参照関数と測定データに基づいて最小二乗法により、薄膜の光学的な膜厚を算出する算出手段105とを有するものである。
ものである。 (もっと読む)


【課題】 迷光の混入を防止して高精度に干渉計測を行うことのできる光学ユニットを提供する
【解決手段】 光学ユニット(301)は、相互に偏光面が直交する第1の偏光(E1)及び第2の偏光(E2)の一方を透過させて他方を反射させる第1偏光分離面(S11)及び第2偏光分離面(S12)を含み、第1ビーム及び第2ビームを相互に分離して異なる方向に射出させる偏光分離部(201)と、該第1ビームの偏光状態を変化させる第1偏光変換部(15)と、偏光分離部から射出した第2ビームを反射して偏光分離部に再入射させる固定反射部(18)と、該第2ビームの偏光状態を変化させる第2偏光変換部(17)と、第1ビーム及び第2ビームを、各々その入射位置と異なる射出位置から各々その入射方向に逆向きに射出させて偏光分離部に再入射させるリトロレフレクター(14)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 迷光の混入を防止して高精度に干渉計測を行うことのできる光学ユニットを提供する
【解決手段】 光学ユニット(301)は、相互に偏光面が直交する第1の偏光(E1)及び第2の偏光(E2)の一方を透過させて他方を反射させる第1偏光分離面(S11)及び第2偏光分離面(S12)を含み、第1ビーム及び第2ビームを相互に分離して異なる方向に射出させる偏光分離部(201)と、該第1ビームの偏光状態を変化させる第1偏光変換部(15)と、偏光分離部から射出した第2ビームを反射して偏光分離部に再入射させる固定反射部(18)と、該第2ビームの偏光状態を変化させる第2偏光変換部(17)と、第1ビーム及び第2ビームを、各々その入射位置と異なる射出位置から各々その入射方向に逆向きに射出させて偏光分離部に再入射させるリトロレフレクター(14)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】液晶パネルの欠陥検査技術において、異物混入に起因する欠陥を精度高く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る検査装置1は、表偏光板10、検査対象の液晶パネル20、裏偏光板30およびバックライト40を、表偏光板10側から撮像して検査用画像60を取得し、検査用画像60および欠陥を精度よく検出するための視角特性情報を用いて液晶パネル20の検査を行う。上記視角特性情報は、検査装置1が、表偏光板10、標準として用いる液晶パネル20’、裏偏光板30およびバックライト40を、表偏光板10側から撮像して第1画像を取得するとともに、表偏光板10およびバックライト40を表偏光板10側から撮像して第2画像を取得し、第1画像および第2画像に基づいて生成したものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パターン検査の検査精度を向上させることができるパターン検査装置、パターン検査方法、および微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンに関する参照データと、前記パターンを検出することで得られた検出データと、を比較して前記パターンの検査を行うパターン検査装置であって、前記パターンを複数の領域に分割して前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の補正条件を求め、前記複数の領域毎または前記複数の領域間毎の少なくともいずれかにおいて対応する補正条件を適用して前記参照データを作成する補正処理部を備えたこと、を特徴とするパターン検査装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第1領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも1回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程110、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第1領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第1光信号を測定する工程120、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第2光信号を測定する工程130、および第2光信号に対する第1光信号の比を測定し(140)、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程150を行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】薄膜の基板面内における膜厚変動の影響を低減でき、計測精度の向上を図ること。
【解決手段】ガラス基板上に薄膜が製膜された被検査基板Wに、該ガラス基板側から単波長の光を照射する光源と、光源から射出された照明光の光軸に対して所定の傾斜角度で受光軸が交差するように配置され、被検査基板Wを透過した拡散透過光を受光する受光素子と、受光素子によって受光された光の強度に基づいて薄膜のヘイズ率を求めるコンピュータ7とを備える。コンピュータ7は、ヘイズ率と拡散透過光の光強度とが関連付けられたヘイズ率特性を有しており、該ヘイズ率特性と前記受光素子によって受光された光強度とを用いてヘイズ率を求める。 (もっと読む)


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