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Fターム[2F067RR44]の内容

Fターム[2F067RR44]に分類される特許

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【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器9において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、SEM画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 (もっと読む)


【課題】容器中の二相流状態における液膜厚さの分布情報を求めるために、CT画像により計測領域を2次元又は3次元の連続的情報として得る。CT装置での時間平均画像において液膜厚さを評価しようとした場合に、液膜分布を計測するために液膜の真値との相関関係を把握することが必要となる。
【解決手段】被検体を透過するエネルギーを持つX線源と、透過X線を検出する検出器と、被検体の全周方向からの透過データが取得可能な機構とからなるX線CT装置と、該被検体内の容器表面の液膜厚さを計測可能な厚さ計測器を少なくとも1つ有し、X線CT装置が取得するCT画像において厚さ計測器の計測位置と対応する箇所の液膜厚さを、厚さ計測器の計測値によりキャリブレーションを実施し、CT画像から液膜厚さを算出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第1の線分によって形成される第1のパターンと、第2の線分によって形成される第2のパターン間の位置合わせを行うときに、第1の線分と第2の線分上にそれぞれ第1の対応点と、第2の対応点を設定し、第1の対応点と第2の対応点間の距離に基づいて、第1のパターンと第2のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第1の線分と第2の線分の形状差に応じて、第1の対応点、及び/又は第2の対応点の位置を変化させる。 (もっと読む)


【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを1枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 (もっと読む)


【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡(CD−SEM)を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件(閾値等)を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置504と処理部503と表示部502とを有する画像データ解析装置であって、処理部503は、記録装置504に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部502に表示する。 (もっと読む)


【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のZernikeモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のZernikeモーメントの強度と、収束電子回折実験像のZernikeモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 (もっと読む)


【課題】試料の観察画像の回転を精度よく検出することのできる画像処理技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像処理装置は、試料の測定箇所を含む広角画像データを介して、測定画像データと基準画像データの間の回転ずれを間接的に補正する。 (もっと読む)


【課題】
SEMを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、SEMの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なSEM画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なSEM画像から形状が類似するパターンを持つ領域(類似領域)を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるSEMの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、CD−SEMが用いられているが、CD−SEMの自動測定機能は1次元対応で、2次元形状は、CD−SEMや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部11と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置7と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部12と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部13とを備えた。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばCD−SEMとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をCD−SEM(第1の計測手段)とスキャトロメトリ(第2の計測手段)との両方で計測する(S202,S203等)。ウェハ内の複数の計測点に関し、第1及び第2の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する(S210等)。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第2の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第1及び第2の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程(S207)の処理条件の制御パラメータを計算(S213)し、変更する。 (もっと読む)


【課題】距離測定用の一種類の電磁波を用いて、装入物表面レベルと装入物表面の粒状体の粒径分布を同時に計測することにより高炉の生産効率化を実現すること。
【解決手段】高炉2内の粒状体3の堆積物3Aの表面に、測定方向Sに沿って電磁波ビームを走査し、堆積物3Aの表面から反射した電磁波を受信アンテナ103で受信し、電磁波の送信から受信までの時間差から電磁波ビームが照射された表面部分までの距離を測定すると同時に、受信アンテナ103で受信した電磁波の強度の強弱の繰り返し状況から堆積物3Aの表面の粒状体3の粒径分布を推定する。 (もっと読む)


【課題】デバイス試料の傾斜ズレによる測長誤差を最小化する。
【解決手段】測長前に、試料の単結晶部分から回折パターンを取得し、取得された回折パターンに基づいて荷電粒子線に対する試料の傾斜角を補正する。 (もっと読む)


パターン化された構造の少なくとも1つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は:構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも1つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と;構造の少なくとも1つの性質を特徴付ける少なくとも1つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と;フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも1つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と;からなる。
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【課題】本発明の目的は、試料上に形成されたパターンのラフネスを高精度に測定する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定して得た1組の結果(以下、要素測定結果と称す)を複数個結合することにより上記方向に長い構造物の寸法の測定結果(以下、結合測定結果と称す)を仮想的に構築しそのスペクトル(以下、結合スペクトルと称す)を計算し、当該結合スペクトルを複数個作成し平均することによりスペクトル(以下、平均結合スペクトルと称す)を作成する寸法解析プログラム、及び寸法計測装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをCADデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】1つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのCADデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成CADデータを自動的に作成する。 (もっと読む)


【課題】環境が悪くても、走行金属面上の突起物を確実に検出する。
【解決手段】突起物検出装置100は、電磁波を放射する送信用アンテナ23と、反射された電磁波を受信する受信用アンテナ24と、送信信号及び受信信号を処理する送受信信号処理部200と、を備える。前記送信用アンテナ及び前記受信用アンテナは単方向指向性を有し、前記受信用アンテナは、前記送信用アンテナから放射され前記金属面300に反射された電磁波を捉えることがなく、前記送信用アンテナから放射され前記金属面上の突起物305に反射された電磁波のみを捉えるように設置されている。 (もっと読む)


【課題】プロファイル及びそのバリエーションをユーザが設定するのを手助けするシステムを提供する。
【解決手段】既知のオブジェクトのイメージ42を取り込むこと、及び、このイメージ上に、手動又は自動によって推定プロファイル20を重畳すること、を含む。推定プロファイルは数学的に定義され、かつ、上記イメージと一致するようにセグメント毎に調節される40ことによって、調節された推定プロファイルが、上記イメージに関連する当該回折スペクトルとともに記憶される。あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース(又は自由描写)し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


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