【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】２次ターゲット26の交換を容易に可能とし、複数種類の特性Ｘ線25を容易に放出できるＸ線源11を提供する。
【解決手段】Ｘ線透過窓13を有する真空容器12内に、電子ビーム15を発生する電子銃14、電子ビーム15が入射して１次Ｘ線21を放出する１次ターゲット20を設ける。１次Ｘ線21は、真空容器12のＸ線透過窓13を透過する。真空容器12のＸ線透過窓13の外側を囲って、ボックス形の２次ターゲット体23を着脱可能に取り付ける。２次ターゲット体23は、Ｘ線透過窓13を透過する１次Ｘ線21が入射して特性Ｘ線25を放出する２次ターゲット26を備える。２次ターゲット体23には、特性Ｘ線25を外部に放出する特性Ｘ線取出窓27を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜に大気中の水素を吸着させ、更に大気中の酸素等と反応して得られたＴａＯｘ膜を有する試料に対してＳＩＭＳ分析を行い得られた結果と、ＨＦＳ分析を行い得られた結果とを比較するとＳＩＭＳ分析ではＴａＯｘとＴａとの界面で水素濃度ピークが見られるが、ＨＦＳ分析ではＴａ内部で水素濃度はほぼ一定の値で分布している。分析方法により分析結果が異なり金属内気相物質の分布を分析することは困難であった。
【解決手段】重水素をＴａ膜中に一様に分布するようイオン注入を行う。またＳＩＭＳ分析を行う際に酸素を真空装置中にリークさせて水素を検出する。スパッタによりＴａ膜が露出すると同時に酸素雰囲気によるＴａ膜表面の酸化が生じるためＴａ膜内部からの水素ガス離脱が抑制され水素の偽ピークが消失する。更に重水素の信号強度が一定になるよう制御することでより精密な水素の定量分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】非破壊で試料内部の情報を高解像度で取得し良／不良の判断を行うことができ、検査時間を短縮する装置の提供。
【解決手段】電子線またはＸ線を試料（１０３）に照射し、試料からの蛍光Ｘ線をゾーンプレート（１１０）を用いて集め検出器（１０５）で検出し、検出器（１０５）からの電気信号をＡ／Ｄコンバータ（１０６）でデジタル信号に変換し、不良判断部（１０７）で良／不良を判断し、不良の場合、画像処理部（１０７）で画像処理し、画像表示部（１０９）に表示する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するＳＥＭ式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。
【解決手段】ＳＥＭ式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】煩雑な焦点補正の作業を行うことなく、試料上の線分析や面分析を簡便かつ自動的に行うことができる斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、電子線が照射された試料から発せられる特性Ｘ線をＸ線検出器により検出する際に、試料ステージを傾斜させることにより特性Ｘ線の取出角度を制御し、試料内部で励起された特性Ｘ線が全反射現象により検出さない角度に特性Ｘ線の取出角度を設定する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、前記取出角度が得られるように試料ステージを傾斜させた状態で予め任意の分析点の焦点調整を完了させた後、その焦点を維持しつつ試料表面の他の分析点を分析するのに必要な試料ステージの制御データを求め、求めた制御データに基づいて試料ステージを移動させることにより試料表面の微粒子又は薄層の線分析又は面分析を行う。 （もっと読む）

【課題】電子線の照射に応じて試料から放出される特性Ｘ線等を検出して表面画像を作成する際に、ドリフトによる一方向の位置ずれだけでなく拡大／縮小、回転、台形歪みなどの位置ずれも補正して歪みが少なく高い空間分解能の画像を取得する。
【解決手段】特性Ｘ線画像の取得前及び取得中に短時間でＳＥＭ画像を取得し、その複数のＳＥＭ画像について複数に分割した小領域Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄ毎にずれの量及び方向を２次元ベクトルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄとして算出する。そして、そのずれが各小領域Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｄの中心点Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄにあるとみなし、画像Ｂ全体のずれを近似する式を求める。この式に従ったずれが各画素で生じているとして特性Ｘ線画像を取得するための２次元走査の際の電子線照射位置を調整する。これにより、１枚の特性Ｘ線画像を取得する間のドリフトによる画像ずれが軽減されて画像歪みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡によって検出した分析位置におけるＸ線分析において、試料の移動、および試料の移動に伴う分析対象位置の位置合わせを要することなくＸ線分析を行う。
【解決手段】光学顕微鏡の対物レンズと、Ｘ線分析装置のＸ線発生器とを、同一光軸上で切り換え自在とすることによって、光学顕微鏡によって検出した分析位置に対して、試料の移動、および試料の移動に伴う分析対象位置の位置合わせを行うことなく、同じ試料位置のままでＸ線発生器からの一次Ｘ線を照射し、試料から放出される特性Ｘ線を検出しＸ線分析する。複合装置１は、光学顕微鏡系２とＸ線分析系３とを備えると共に、光学顕微鏡系２とＸ線分析系３が共有する回転自在のレボルバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】 膜に保持された試料の試料交換を迅速に行うことができるとともに、分解能の低下を防ぐことができ、また真空室内の汚染を防止することができる試料検査装置及び試料検査方法並びに試料検査システムを提供する。
【解決手段】 試料検査装置は、第１の面３２ａに試料２０が保持される膜３２と、膜３２の第２の面に接する雰囲気を減圧する真空室１１と、真空室１１に接続され、膜３２を介して試料２０に一次線７を照射する一次線照射手段１と、一次線７の照射により試料２０から発生する二次的信号を検出する信号検出手段４と、真空室１１内において、３２膜と一次線照射手段１との間の空間を仕切るための開閉バルブ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】分析点の位置合わせを精度よく行うための浅い焦点深度及び高倍率観察と、薄片試料の分析点探しを透過光学像によって行うときの広い視野及び低倍率観察という両方の要求を満たす光学観察系を備える電子プローブマイクロアナライザの提供。
【解決手段】 分析点の位置合わせを精度よく行うための反射光学像の観察は、落射照明装置Ｓ３と観察装置Ｋ２と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を用いる。広い視野及び低倍率を要求される透過光学像を観察する場合は、観察装置Ｋ３とＯＭが備えている落射照明装置Ｓ３と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を利用する。 （もっと読む）

【課題】表面から散乱したＸ線の検出に基づいて、試料の表面上における周期構造の寸法を測定するための、改善された方法および装置を提供する。
【解決手段】試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。回折スペクトルは、構造の寸法を決定するために解析される。
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【課題】 設計寸法が０．１μｍ程度のＬＳＩ内部の特定箇所に電圧を直接印加し、デバイス内に生じる現象を観察可能とする。
【解決手段】 荷電粒子ビームを用いて、対象試料の任意の領域を微小試料片に加工、摘出する工程に、摘出した微小試料片７２に微細導線３０ａ，３０ｂを取り付ける工程、取り付けた微細導線に電圧を印加する工程を加える。 （もっと読む）

【課題】高い精度でモルタル圧縮強さ推定値を得る方法を提供することにより、セメントの品質異常を未然に防止することができる信頼性の向上した状態での出荷を可能とすること。
【解決手段】セメント製造プラントの運転において、品質管理情報として収集した、セメント中のクリンカー構成鉱物及び添加材の量の情報、クリンカー構成鉱物の結晶構造の情報、クリンカーの少量成分の量の情報、およびセメントの粉末度及び４５μｍ残分の情報を、過去に蓄積されているそれら情報及びモルタル圧縮強さ実測データの間の重回帰分析を基に求めたモルタル圧縮強さの推定式に適用することにより、モルタル圧縮強さを推定することを特徴とするセメントの品質推定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良品から不良品への経時変化を同一試料、同一視野で追跡し、不良発生のメカニズムを観察することのできる内部構造観察用又は電子顕微鏡用の試料ホルダーを提供することにある。
【解決手段】本発明は、内部構造観察用の試料ホルダーであって、試料ホルダー本体と、複数本の探針と、試料を保持する試料保持台を有し、前記探針及び試料の少なくとも一方を移動可能とする圧電素子と、前記探針に接続され、前記試料に電圧を印加する配線を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 引張強度が４００Ｍｐａ以上の高強度フェライト鋼板について、その加工硬化特性を正確に評価可能な方法を提供する。
【解決手段】 成形されたフェライト鋼板の塑性変形を受けた部位において、同一方向性を有する転位セルが並んだ転位セル構造からなるフェライト結晶粒の存在割合を測定した後、該フェライト結晶粒の存在割合に基づいて、前記フェライト鋼板の加工硬化特性を評価することを特徴とするフェライト鋼板の加工硬化特性の評価方法。 （もっと読む）

【課題】集光素子上の金属薄膜は、帯電を防ぐ大きな効果をもたらすが、逆にこの金属薄膜による軟Ｘ線の吸収が行われ、信号強度の大きな減衰を招き、結果として検出感度の大幅な劣化となる。
【解決手段】試料と集光素子の間に接地電位の金属グリッドを置くことにより集光素子上での帯電による電界を遮蔽し、照射電子線の位置変動を抑える。又、集光素子上の金属薄膜の蒸着を止めることにより、軟Ｘ線の金属薄膜による吸収を無くし、検出感度の向上を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の３次元的な元素構成を原子レベルで高精度に分析する際に、分析中の試料の移動を不要とし、試料の取り付け・取り外し等の作業が不要な元素分析装置および当該元素分析装置に使用可能な試料ホルダ等を提供する。
【解決手段】被測定体を搭載する電子顕微鏡用の試料ホルダ１０において、前記被測定体に照射される電子線が通過可能な開口２８、２８’を有する筐体１６と、前記筐体１６の内部に設けられ、前記被測定体から離脱した元素の位置および飛行時間を測定する検出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】分析時間の短縮を図れるとともに分析対象体表面のコンタミネーションの発生を抑制して分析精度の向上を図れるといった、優れた電子顕微鏡装置と共に用いる分析装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡装置Ｐが電子線を照射した際に試料Ｓから放射され且つ前記電子顕微鏡装置Ｐでの解析に用いるエネルギー線とは別のエネルギー線に関するデータを一時的に記憶するデータ記憶部１と、電子線照射条件に変化が生じたか否かを監視する電子線照射条件変化監視部２と、前記試料Ｓの分析を前記別のエネルギー線を利用して行う際に、前記電子線照射条件変化監視部２を参照し前記電子線照射条件に変化が生じていないとの監視結果を得た場合には、前記データ記憶部１に一時的に記憶している前記別のエネルギー線に関するデータを読み出して、前記試料Ｓの分析に用いるエネルギー線分析部３と、を具備して成ることを特徴とする電子顕微鏡装置Ｐと共に用いる分析装置。 （もっと読む）

【課題】分析領域にダメージを与えることなく分析可能な試料をつくることができる、分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。次に、分析領域２１の近傍に形成された、クラック１４や異物１５を分析する際に邪魔となる障壁１２に応力を加えて除去する。このとき、障壁１２と繋がっていた基板１３の一部分１３ａから分析領域２１に亀裂３１が伝わったとしても、分析領域２１の周囲に形成した亀裂防止溝２２によって、分析領域２１に亀裂３１が進行することを抑えることができる。これにより、クラック１４や異物１５の状態を、障壁１２を除去する前の状態に維持することができ、クラック１４を観察したり異物１５の元素を特定したりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）