【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は厚い窓材を有する撮像窓を備える分析室内の試料に対して、分析室外から分析対象位置を鮮明に撮像できるようにして、分析位置の特定ができなかった試料の分析を可能にするＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】窓材４１を有する撮像窓４０を備える分析室２内でＸ線を試料Ｓに照射して分析を行うＸ線分析装置であって、窓材４１を透過させて試料Ｓを照明する試料照明手段７と、試料Ｓを分析室２の外部から撮像する撮像手段８であって、撮像部８１とフード８２を有し、試料照明手段７からの照射光が、窓材の裏面４１ｂで反射光となって撮像部８１内に入射しないように形成されている撮像手段８とを有し、試料照明手段７がフードを取り囲むように配置され、フードの窓近位部８２ｂの端部が撮像窓４０に近接しているＸ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】屈折コントラストＸ線撮像法と同じ密度分解能及びダイナミックレンジで、測定時間が短く、経時的な観察が可能で、かつ入射Ｘ線強度が時間的に変動している場合でも高い感度で試料を観察できるＸ線撮像装置及び撮像方法を提供する。
【解決手段】試料によって生じたＸ線ビームの屈折角を、複数のアナライザー結晶１１，１２による複数回のＸ線回折を利用してＸ線検出器１８で同時に検出する。 （もっと読む）

【課題】対象サンプルに関するX線エネルギースペクトルの放射線量子の背景補正された計数を正確かつ速く決定する方法。
【解決手段】本発明の方法は、対象サンプルから蛍光X線ビームを発生させるステップであって、前記X線ビームは、解析結晶及び検出器に入射されるステップと、前記解析結晶を、前記蛍光X線ビームに対して角度θが得られるように回転させ、前記検出器を、前記蛍光X線ビームに対して角度２θが得られるように回転させるステップと、一定の検出器角度２θで、前記検出器を用いて、パルス高分布エネルギースペクトルを測定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】透過法のＸ線回折測定を容易としうるＸ線回折測定方法の提供。
【解決手段】本発明のＸ線回折測定方法は、所定の回転軸線Ｚｓまわりに試料４８を回転させながらこの回転軸線Ｚｓに略沿った方向の入射Ｘ線を試料４８に透過させることにより、Ｘ線回折が測定される。好ましい測定方法では、貫通孔４６を有する試料ホルダー３４と、この試料ホルダー３４が取り付けられた状態で回転軸線Ｚｓまわりに回転しうる回転体２５とが用いられる。この回転体２５は、Ｘ線を通過させるためのＸ線通過孔３２を有している。Ｘ線通過孔３２は、上記回転軸線Ｚｓを通過させるように上記回転体２５を貫通している。試料ホルダー３４の貫通孔４６とＸ線通過孔３２とが連通した連通孔が形成されるように試料ホルダー３４が取り付けられている。試料４８は、試料ホルダー３４の貫通孔４６の内側に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は蛍光Ｘ線分析装置のＥＤＳヘッド保護方法及び保護機構に関し、最適なＸ線強度を得ることができる蛍光Ｘ線分析装置のＥＤＳヘッド保護方法及び保護機構を提供することを目的としている。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置で、試料上の測定点での位置を測定する位置検出器と、試料上の測定点の試料の高さを測定するラインセンサ３と、前記位置検出器で検出した試料上の位置座標と前記ラインセンサ３で測定した試料の高さを記録するメモリ１４と、該メモリ１４に記憶されている位置座標と試料の高さに基づき、ＥＤＳヘッド２の高さを制御する高さ制御手段１３と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ線分析装置による半導体封止樹脂中の有害元素管理方法において、誤差の少ない測定方法を用いて管理を行なう。
【解決手段】 本発明は、半導体封止樹脂中の有害元素管理方法であって、蛍光Ｘ線分析装置により定性分析を行ない含有判定する工程と、試料の上下面を一致させてＸ線照射面全体に試料を並べる試料準備工程と、試料の一方面およびその対向面を蛍光Ｘ線分析装置により測定し定量分析を行なう工程と、前記定量分析工程から得られた２つのデータのうち共存元素の影響が少ない方の定量結果を用いて閾値判定をする工程、を有することを特徴とする有害元素管理方法である。この方法によれば、半導体製品の封止樹脂中の有害元素を精度よく測定・管理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ビームを形成する小型かつ軽量のＸ線ビーム源を得る。
【解決手段】Ｘ線ビーム源１３は、絶縁材１に挿入され電圧を印加する導入線２と、導入線２の一端に設けられた陰極と、陰極と対面して設けられ発生した電子ビームを衝突させてＸ線を発生させる陽極であるターゲット６と、導入線２、陰極及びターゲット６を収納しＸ線が通過するＸ線透過窓５を有する真空容器７と、Ｘ線透過窓５の外側に設けられＸ線から特性Ｘ線を選択的に取り出すフィルタ８と、真空容器７及びフィルタ８を収納するハウジング１０と、ハウジング１０に設けられ特性Ｘ線を収束するＸ線集光素子であるフレネルゾーンプレート（ＦＺＰ）９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】固液界面の注目対象である特定元素(イオン)の構造もしくはその周辺の局所構造を容易に解析することができる評価方法と評価装置を提供する。
【解決手段】注目対象が含有される液体試料Sに対して、注目対象（Ｘ線の吸収原子）とは異なる材料からなる電極4を接触させる。この電極界面の液体試料SにＸ線エネルギーを変えながらＸ線を照射し、電極4近傍の注目対象にＸ線を吸収させて注目対象から電子を放出させ、その電子の放出に伴って電極4に生じる電気量を測定する。このＸ線エネルギーと電気量との関係から電極界面における注目対象またはその周囲の構造情報を解析する。 （もっと読む）

本発明は、分析平均面（analysis mean plane）（４）を画定する試料（１）の分析ゾーン（２）を放射する、一定の入射方向（３）で放出されるＸ線ビームの発生部（１０）と、前記放射された分析ゾーン（２）で回折したＸ線を少なくとも１次元座標上で検出する検出器（３０）と、を備えた試料（１）のＸ線解析装置において、更に、前記試料（１）と検出器（３０）の間に配置され、前記分析平均面（４）に含まれる回転軸（５）を中心に回転する周面の一部を切り取った面（partial
surface）からなるＸ線回折面（２１）を含むアナライザシステム（２０）を備え、前記回転軸（５）は前記Ｘ線の入射方向（３）とは異なる方向で前記分析ゾーン（２）の中心を通り、前記回折面（２１）を経て前記検出器（３０）に向かって回折されたＸ線を出射させるように前記回折面（２１）が配置されることを特徴とする。
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【課題】ＣＡＤデータを２次元的にだけでなく、３次元的にも利用して実際のパターンと理想パターンとの比較を容易にすることのできる荷電粒子システムを提供するものである。
【解決手段】本発明では、荷電粒子線の試料に対する照射角度の情報を用いて、理想的なパターン（例えば、ＣＡＤデータ等の設計データ）を２次元的表示から３次元的表示に変換して、観測画像と共に表示するようにしている。重ね合わせると、両者の比較はし易い。なお、理想的なパターンとしては、半導体の設計情報に基づく回路パターン（ＣＡＤデータ）の他、半導体ウェーハ上に露光を行う際の露光マスクに基づく露光マスクパターン、及び露光用マスクと露光条件に基づく露光シミュレーションに基づく露光シミュレーションパターン等があり、それらの少なくとも１つを３次元的に表示するようにしている。 （もっと読む）

Ｘ線又は他の放射ビームを使用した物体の検査の技術、特に、符号化放射ビームを用いて物体を照明し、物体によって散乱された及び／又は物体を通して伝達された放射線を検出することによって物体を検査するための装置及び方法を提供する。物体を検査するための装置は、物体の被検査領域を照明するために扇ビーム又はフラッドビームを利用する。可動マスクの形態を取ることができる変調器は、被検査領域の各セグメントが所定の時間的シーケンスに従って変動する放射線量を受け取るようにビームを動的に符号化する。物体からの放射線を受け取る後方散乱検出器又は任意的な透過検出器によって生成され得られる信号は、被検査領域の画像を構成することができるように、空間情報を再生するために復号される。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用した不純物同定、元素分析、組成、結晶性、表面界面状態をナノメートルオーダーの微小領域で分析可能とする。
【解決手段】３次元可視化する方法として、10ｎｍ以下に集束した中エネルギー１００〜４００ｋｅＶのイオンを試料に走査照射し、ラザフォード後方散乱されるイオンの飛行時間計測を、２次電子イオンをスタート信号として検出することにより求め、各照射位置に対応したＴＯＦ−ＲＢＳデータをナノメートル分解能で取得し、時間エネルギー変換により３次元可視化を可能とする。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物におけるコンクリート劣化が表面化していない早期の段階で、該構造物の劣化の危険性を予測することが可能なコンクリート劣化の診断システムを提供する。
【解決手段】コンクリート構造物及びその周辺の環境調査を行い対象とするコンクリート構造物の構造や立地条件を把握してコンクリートにおける劣化因子の抽出と劣化発生箇所の予測をし、該箇所のコンクリート表面について簡易な劣化の予兆検査を行い、予兆のあった箇所から採取したサンプルについて機器分析により精密な劣化診断をし、診断結果から劣化の予測を行う。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の元素分析を行うのに際し、金属母材上に形成されためっき膜のみを分離するのに適した方法を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき膜の分離方法においては、表面の一部にめっき膜が形成された金属母材を所定の溶解液に浸漬し、上記金属母材を溶解除去する工程（Ｓ４）を有する。
【効果】本分析方法によれば、めっき膜のみに由来する含有元素濃度の直接測定が可能になるので、鉛などの微量の含有物質濃度についても高い精度で測定することができる。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の所定の検査エリアを選択的に高速に検査することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線を出力する走査型Ｘ線源１０と、複数のＸ線センサ２３が取り付けられ、回転軸２１を中心に回転するセンサベース２２と、センサベース２２の回転角やＸ線センサ２３からの画像データの取得を制御するための画像取得制御機構３０等を備える。走査型Ｘ線源１０は、各Ｘ線センサ２３について、Ｘ線が検査対象２０の所定の検査エリアを透過して各Ｘ線センサ２３に対して入射するように設定されたＸ線の放射の起点位置の各々に、Ｘ線源のＸ線焦点位置を移動させてＸ線を放射する。画像制御取得機構３０はＸ線センサ２３が検出した画像データを取得し、演算部７０はその画像データに基づき検査エリアの画像の再構成を行なう。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置及びＸ線分析方法において、Ｘ線源を安定に挙動させ、定量分析を安定して行なうこと。
【解決手段】 １次Ｘ線を試料１に照射するＸ線管球３と、１次Ｘ線の強度を調整可能な１次Ｘ線調整機構４と、試料１から放出される特性Ｘ線を検出し該特性Ｘ線及び散乱Ｘ線のエネルギー情報を含む信号を出力するＸ線検出器５と、上記信号を分析する分析器６と、試料１とＸ線検出器５との間に配設されＸ線検出器５に入射される特性Ｘ線及び散乱Ｘ線の合計強度を調整可能な入射Ｘ線調整機構７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系（１，４）と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部（７）と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極（５）と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ（１３）と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器（１４）とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路（１５）と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路（１６）とを備える。 （もっと読む）