【課題】試料の量が少ない場合に、回折線強度が弱くなる２θ高角度領域で十分な回折線強度を獲得でき、Ｘ線照射幅が広くなる２θ中角度領域及び２θ低角度領域において回折ピークの相対Ｘ線強度を正しく維持できるＸ線回折装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源Ｆから放射されたＸ線を発散スリット２によって規制して試料Ｓに照射し、試料Ｓから出た回折線Ｒ_２をＸ線検出器１０によって検出するＸ線回折装置である。発散スリット２の発散角は固定値であり、発散スリット２は試料幅方向のＸ線照射幅を規制するスリットである。試料Ｓは、その試料幅が標準試料幅よりも狭くその試料高さが標準試料高さと同じである縦長配置に配置される。Ｘ線検出器１０の出力に基づいて求めたＸ線強度Ｉ_ｏｂｓ（θ）を、試料幅から計算された実効発散角に基づいて補正して真のＸ線強度Ｉ_ｔｒｕ（θ）を求める。 （もっと読む）

本発明は、多染性放射源２及びエネルギー分解放射検出器６を含む、物体２０を画像化する画像化システムに関する。画像化システムは、異なる方向から打切り投影を得るため、物体２０及び放射源２を互いに関連して移動させる駆動装置を更に含む。計算ユニットは、打切り投影から、物体２０及び物体２０内の物質のうちの少なくとも１つのｋエッジ成分を決定し、決定されたｋエッジ成分から、非打切り投影を決定する。再構成ユニットは、非打切り投影を使用して、物体を構成する。
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【課題】高い分析精度を維持しつつ、非常に短時間で分析を行うことができるアスベストの定量分析方法を提供する。
【解決手段】被検試料Ｓに含まれるアスベストの回折線強度を求め、検量線に基づいてその回折線強度からアスベストの重量を求める定量分析方法である。アスベストの回折線強度を求める際、受光スリット５のスリット幅をアスベストの回折線幅と等しい幅に設定し、その受光スリット５及びＸ線検出器８をアスベストの回折線角度位置（２θ）に停止させた状態でＸ線検出器８によって所定時間、回折線を計数する。受光スリット５及びＸ線検出器８のスキャンによってアスベストの回折線強度を測定することに比べて、測定時間を大幅に短縮できる。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。本発明の好ましい実施形態は、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスの労力を低減し、ＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるために、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化する方法を提供することにより半導体ウェハ上に製造される集積回路または他の構造などの対象に対するＳ／ＴＥＭベースの計測用のインライン・プロセスも提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の検査対象について正確に欠陥検出を行うことができなかった。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、前記検査対象を透過した放射線の強度に対応した透過放射線画像を取得し、基準の検査対象を撮影したときの透過放射線の強度が所定の強度になるようにオフセットを与えるための補正画像データを取得し、前記補正画像データによって前記透過放射線画像を補正した結果に基づいて、前記検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】面分析における定量分析の精度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】試料表面上に点分析位置と点分析位置を含むように面分析領域を指定し、点分析位置に一次エネルギー線を照射して発生した二次エネルギー線に基づいて点分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、面分析領域内を一次エネルギーで走査して発生した二次エネルギー線に基づいて面分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、次に、点分析におけるピーク強度とバックグランド強度から原子濃度を求め、面分析におけるピーク強度とバックグランド強度の内で点分析位置に対応した位置に存在する元素に対応したピーク強度とバックグランド強度と、求めた原子濃度から元素に対応した相対感度係数値を求め、この相対感度係数と面分析におけるピーク強度とバックグランド強度とに基づいて面分析領域の定量計算を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の水平移動に伴って試料表面高さを一定にするべく高さ制御を行う場合に、高さの変化が急であると高さ制御が追従しきれずに不正確な分析となり、また急な高さ変化に追従可能とすると分析時間が長くなり過ぎる。
【解決手段】試料ステージ制御部１０はＸ、Ｙ座標値に応じたＺ座標情報に基づいて試料Ｓの表面高さの変化が急である場合には、水平方向への移動速度を遅くするべく駆動機構６、７を制御する。一方、これによって水平方向への試料Ｓの移動速度が変化するため、Ｘ線パルスの計数の開始・停止を決める同期信号の時間間隔を計測するべく、クロック信号を計数する計数器２３を設け、このクロック信号の計数値でＸ線パルスの計数値を除することで単位時間当たりの値に換算する。これにより、移動速度の変化の影響を受けない正確なＸ線強度を求めることができる。 （もっと読む）

【課題】測定種別の選択と光学部品の交換作業とを関連付けて、交換すべき光学部品の情報を図を用いて画面に表示することで、測定準備作業を容易にする。
【解決手段】Ｘ線分析装置の測定準備作業に関連して、選択画面において、複数の測定種別の中からオペレータが所望の測定種別を選択すると、その測定種別に応じて、取り付けるべき光学部品及び取り外すべき光学部品の情報が、図を伴って表示装置の画面に表示される。オペレータは、その作業指示を見て、Ｘ線分析装置の光学系から光学部品を取り外したり、光学部品を取り付けたりする作業を実行する。図を伴って表示する形態には、交換すべき光学部品１６，１８の光学系上の位置を図示することや、取り付け作業と取り外し作業の区別を絵記号６９で表示することや、光学部品の識別マーク７０，７２を表示すること、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】全反射蛍光Ｘ線分析装置１は、イリジウムＸ線管１１からのＸ線１２の中からＩｒ−Ｌα線１５とＩｒ−Ｌβ線１６を分光手段８により単色化して半導体基板Ｓに、それぞれ照射し、得られたそれぞれの分析データを演算手段２０により演算処理することにより、半導体基板Ｓ上の不純物であるハフニウムおよびタンタルを高感度、高精度に分析する。 （もっと読む）

【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向（水平方向）にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を１／２とすることによりステージ速度を２倍とすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】部品が両面に実装された基板を検査するための検査装置を提供する。
【解決手段】基板の検査装置が実行する処理は、片面のみに電子部品が実装された基板の第１の光学画像とＸ線透過画像との各位置確認マークを一致させて、電子部品の基準画像を生成するステップ（Ｓ８２０）と、両面に電子部品が実装された基板の第２の光学画像と第２のＸ線透過画像との入力を受けるステップ（Ｓ８３０）と、第１の光学画像と第２の光学画像とを比較して位置ずれ量を算出するステップ（Ｓ８４０）と、位置ずれ量を用いて第１の光学画像を補正して第３のＸ線透過画像を作成するステップ（Ｓ８５０）と、第２のＸ線透過画像から第３のＸ線透過画像を差し引いて第４のＸ線透過画像を導出するステップ（Ｓ８６０）と、第４のＸ線透過画像に基づいてはんだ付け部の合否を判定するステップ（Ｓ８７０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】効率的に高解像度で長尺状の被検査物をＸ線検査する。
【解決手段】被検査物であるテープ２２を一定速度で搬送しながらＸ線を透過させ、透過したＸ線を、外周面に輝尽性蛍光体を備えた回転する回転ドラム６０に照射する。Ｘ線の照射位置よりも回転方向下流側で励起光Ｌａを走査照射し、輝尽性蛍光体から発する輝尽発光光Ｌｂをフォトマルチプライヤー７８で受け、２次元のＸ線画像を得る。励起光Ｌａを走査照射した位置よりも回転方向下流側では、消去光を照射して残像を消去する。残像の消去された輝尽性蛍光体は、回転ドラム６０の回転により再び、Ｘ線照射位置に戻るので、長尺状のテープ２２を順次Ｘ線検査することができる。 （もっと読む）

【課題】ゴニオメータの機械誤差を現在以上に正確に補正することができるＸ線回折測定方法の角度補正方法を提供する。
【解決手段】標準試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ_Ｒ））を測定よって求め、回折線強度（Ｉ_Ｒ）と標準試料の真値の回折線強度（Ｉ_Ｒｔｒｕ）との比較から回折角度（２θ）ごとの誤差（Δ２θ）を求め、誤差（Δ２θ）及び系統誤差（Δ２θ_０）を Δ２θ_ｍ＝Δ２θ−Δ２θ_０ の式に代入して回折角度（２θ）ごとの機械誤差（Δ２θ_ｍ）を求め、測定試料に関して回折角度（２θ）ごとの回折線強度（Ｉ）を測定によって求め、測定試料に関して求めた回折角度（２θ）及び機械誤差（Δ２θ_ｍ）を ２θ_Ｋ＝２θ＋Δ２θ_ｍの式に代入して校正回折角度（２θ_Ｋ）を求めと、校正回折角度（２θ_Ｋ）に基づいて等間隔回折角度（２θ_Ｔ）を設定し、測定試料の回折線強度（Ｉ）を等間隔回折角度（２θ_Ｔ）に所定配分比で配分する。 （もっと読む）

【課題】ラインスキャン方式において、電子ビームの位置ずれを補正して正確な二次元マッピング画像を得る。
【解決手段】ビーム走査部により電子ビームで試料表面の所定の領域を走査して得られた二次元画像の１つを参照画像として記憶しておき、予め設定された本数のラインスキャンごとにビーム走査部を駆動させて二次元画像を得、参照画像記憶部に記憶されている参照画像と比較して電子ビームのズレ量を算出する。その算出されたズレ量に基づいて偏向レンズにより電子ビームの位置を補正する。 （もっと読む）

バッグおよびパッケージに対するＸ線イメージング検査システム。透過イメージングが、扇形ビームおよびセグメント型検出器を使用して実行され、一方、散乱イメージングが、走査ペンシルビームで実行され、両方のビームは同時にアクティブである。ビーム間のクロストークは、シールド、散乱検出器設計、配置および向きの組み合わせによって軽減され、イメージ処理は、透過ビームから散乱されて散乱検出器の中に入る測定された放射線を差し引き、クロストークを低減する。
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【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】
被検査基板の帯電状態を任意に制御でき、信頼性の高い電子ビームを用いた回路パターンの検査装置を提供する。
【解決手段】
回路パターンが形成されたチップを複数有する基板表面に電子ビームを照射し、該照射によって基板から発生する信号を検出して画像化し、該画像と他の画像とを比較して回路パターン上の欠陥を検出する回路パターンの検査装置において、電子ビームで走査しながら一方向に移動する基板のひとつの移動であるラインに含まれるチップ列に電子ビームを照射する検査スキャンにより検査用の画像を取得した後に、検査スキャンにより電子ビームが照射された領域の帯電状態を飽和状態にする、あるいは帯電状態を元に戻すことによって画像の質が均一になるように、該照射された領域に再び電子ビームを照射するポストスキャンの電子光学条件を設定する条件設定手段を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】真正欠陥と疑欠陥の正答率を高め、欠陥検出率を向上させる。
【解決手段】基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出する基板検査方法であって、基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出して欠陥データを求め、この欠陥データの中から、予め求めておいた検出系に起因して検出される疑欠陥情報と合致する欠陥データを検索し、この検索で合致した欠陥データを疑欠陥として判定する。疑欠陥の検索に用いる疑欠陥情報は、疑欠陥の位置データと疑欠陥の強度データを含む。検索では、欠陥データの位置データと疑欠陥情報の疑欠陥の位置データの両位置データの合致、および、欠陥データの強度データと疑欠陥情報の疑欠陥の強度データの両強度データの合致の２つの合致を条件として行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程において、コンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を高速、かつ高精度に推定する。
【解決手段】検査用標準試料１のコンタクトホール７を被検査対象のコンタクトホールとほぼ同じ材質および構造により構成し、電子線を照射して検査用標準試料１の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の擬似欠陥部４におけるコンタクトホール７の電位コントラストとコンタクトホール７の底面に形成した擬似残存膜８の厚さまたは抵抗値との関係をあらかじめ取得しておく。その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 （もっと読む）

【課題】被検体の目的位置を容易に透過画像の視野に入れることが可能なＸ線透視検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器３の間に配置されたテーブル５面をｘｙ方向に移動させる移動機構６と、テーブル５をＸ線源１とＸ線検出器３の方向に移動させる拡大率変更手段７と、所定の拡大率において複数の移動位置で得た透過画像から一つの合成透過画像を形成する画像合成手段１１と、表示部９に表示された合成透過画像上で位置を指定する位置指定手段１２と、指定された位置が透過画像に入るよう移動機構６を制御する移動制御手段１３を備え、所定の最低拡大率で視野に入りきらない被検体４に対して全体を含む所望の範囲の合成透過画像を得、合成透過画像上で所望の位置を指定することで、容易にこの位置が視野に入る透過画像を得る。 （もっと読む）