【課題】被検体に荷重を負荷しながら、ＣＴ装置と連動して一連の過程を撮影することが可能な動態撮影システムを提供する。
【解決手段】本発明によって、荷重負荷制御装置１０と、被検体を撮影するＣＴ装置１１００と、ＣＴ制御装置１０００と、を備える動態撮影システムであって、前記荷重負荷制御装置１０は、入力装置１００と荷重を制御する荷重制御部２００とＸ線透過性を有する支持板９０１と前記被検体を固定する固定部８００と荷重負荷部３３０と荷重検出値Ｆを生成する荷重検知部４００とを備え、前記固定部８００と荷重負荷部３３０及び荷重検知部４００は前記支持板９０１上に固定され、前記荷重負荷部３３０は、前記荷重検出値Ｆに基づいて被検体に負荷される荷重を制御し、前記ＣＴ制御装置１０００は、前記荷重制御部２００からの指示情報に基づいて前記ＣＴ装置１１００による撮影を制御することを特徴とする動態撮影システム。 （もっと読む）

【課題】上記従来技術の現状を踏まえて、変形を受けたフェライト鋼板の変形組織を、迅速かつ大量に計測する方法を提供する。
【解決手段】変形されたフェライト鋼板のミクロ組織の評価において、走査電子顕微鏡を利用して得られる鋼板内部の反射電子像から、フェライト粒内に形成された転位セル構造の形態を示す二値化像を画像処理により抽出し、さらに、電子後方散乱回折法により得られる同一観察視野の結晶方位マップに、抽出された転位セル構造の形態を示す二値化像を重ね合わせることにより、フェライト粒ごとの転位セル構造の形成状態を結晶方位とともに可視化するフェライト鋼板の変形組織の評価方法である。 （もっと読む）

【課題】被検体の形状に依存せずに回転振れの影響を除去した断層像データを作成する。
【解決手段】断層撮影装置１０は、被検体５が載置される表面部２１Ａの反対側にマークＭが形成された裏面部２１Ｂを備えたテーブル部材２１と、テーブル部材２１に載置された被検体５にＸ線ビームＢ１を照射するＸ線管３１と、Ｘ線ビームＢ１を検出するＸ線検出器３２と、Ｘ線管３１およびＸ線検出器３２とテーブル部材２１とを、テーブル部材２１の表面部２１Ａに垂直な回転軸Ｒに沿って相対的に回転させる回転機構２３と、被検体５の透過画像データを収集するためのデータ収集部５１と、マークＭの位置を検出するためのマーク位置検出部４０と、マークＭの位置データに基づいて、透過画像データを回転振れの無い透過画像データに補正する軸振れ補正部５２と、補正された透過画像データから断層像データを作成するための再構成部５３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するＳＥＭ式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。
【解決手段】ＳＥＭ式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】煩雑な焦点補正の作業を行うことなく、試料上の線分析や面分析を簡便かつ自動的に行うことができる斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、電子線が照射された試料から発せられる特性Ｘ線をＸ線検出器により検出する際に、試料ステージを傾斜させることにより特性Ｘ線の取出角度を制御し、試料内部で励起された特性Ｘ線が全反射現象により検出さない角度に特性Ｘ線の取出角度を設定する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、前記取出角度が得られるように試料ステージを傾斜させた状態で予め任意の分析点の焦点調整を完了させた後、その焦点を維持しつつ試料表面の他の分析点を分析するのに必要な試料ステージの制御データを求め、求めた制御データに基づいて試料ステージを移動させることにより試料表面の微粒子又は薄層の線分析又は面分析を行う。 （もっと読む）

電子を放射するための陰極とダイナミック陽極とを含んでいるＸ線管を含んでいるＸ線結像システムを提供する。ダイナミック陽極は陰極から電子を受取り、非静止のＸ線ビームを発生する。ダイナミック陽極は非静止ビームを発生するために、Ｘ線ビームがオブジェクト上の第１の位置で誘導されている第１の位置と、Ｘ線ビームがオブジェクト上の第２の位置で誘導されている第２の位置との間で回転する。 （もっと読む）

【課題】 膜に保持された試料の試料交換を迅速に行うことができるとともに、分解能の低下を防ぐことができ、また真空室内の汚染を防止することができる試料検査装置及び試料検査方法並びに試料検査システムを提供する。
【解決手段】 試料検査装置は、第１の面３２ａに試料２０が保持される膜３２と、膜３２の第２の面に接する雰囲気を減圧する真空室１１と、真空室１１に接続され、膜３２を介して試料２０に一次線７を照射する一次線照射手段１と、一次線７の照射により試料２０から発生する二次的信号を検出する信号検出手段４と、真空室１１内において、３２膜と一次線照射手段１との間の空間を仕切るための開閉バルブ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡によって検出した分析位置におけるＸ線分析において、試料の移動、および試料の移動に伴う分析対象位置の位置合わせを要することなくＸ線分析を行う。
【解決手段】光学顕微鏡の対物レンズと、Ｘ線分析装置のＸ線発生器とを、同一光軸上で切り換え自在とすることによって、光学顕微鏡によって検出した分析位置に対して、試料の移動、および試料の移動に伴う分析対象位置の位置合わせを行うことなく、同じ試料位置のままでＸ線発生器からの一次Ｘ線を照射し、試料から放出される特性Ｘ線を検出しＸ線分析する。複合装置１は、光学顕微鏡系２とＸ線分析系３とを備えると共に、光学顕微鏡系２とＸ線分析系３が共有する回転自在のレボルバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】分析点の位置合わせを精度よく行うための浅い焦点深度及び高倍率観察と、薄片試料の分析点探しを透過光学像によって行うときの広い視野及び低倍率観察という両方の要求を満たす光学観察系を備える電子プローブマイクロアナライザの提供。
【解決手段】 分析点の位置合わせを精度よく行うための反射光学像の観察は、落射照明装置Ｓ３と観察装置Ｋ２と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を用いる。広い視野及び低倍率を要求される透過光学像を観察する場合は、観察装置Ｋ３とＯＭが備えている落射照明装置Ｓ３と有孔反射対物レンズ１０とこれらを結ぶ光路に配置された光学機構を利用する。 （もっと読む）

【課題】一次荷電粒子線を用いて、試料上の多数の測定点を迅速に処理することができる技術を提供する。
【解決手段】統括制御部２０１において、計算部２０１ａは、半導体ウェハ１３上の各測定点（一次荷電粒子線１１の照射位置）について、データ格納部２０１ｂに格納されている半導体ウエハ１３の表面電位分布関数から求まる当該測定点での表面電位の確からしさを求め、この確からしさに基づいて当該測定点での荷電粒子線光学系１０の設定パラメータ（例えばリターディング電圧）の振り幅を決定する。そして、決定した振り幅の範囲で設定パラメータを変化させながら一次荷電粒子線の集束状態を調べ、測定に用いる設定パラメータを決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の膜を積層して成膜する。この基板１上に形成され上記基板１上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、Ｘ線をマイクロ化されたスポット径で照射して、Ｘ線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】複数のエネルギー領域間の検出感度の均一化が図られたエネルギー弁別型の放射線検出器及び放射線検出方法を提供する
【解決手段】 放射線検出器６は、被検査物２を通った放射線を複数のエネルギー領域に弁別して検出する。放射線検出器６は、入射した放射線が有するエネルギーに応じた出力信号を生成する放射線検出部１０と、第１〜第Ｎの信号弁別閾値Ｔ_１〜Ｔ_Ｎによって出力信号を弁別すると共に、その弁別された出力信号を計数することによって複数のエネルギー領域Ｗ_１〜Ｗ_Ｎ内の放射線計数値である領域別計数値Ａ_１〜Ａ_Ｎを取得する信号処理部２０とを備えている。そして、上記第１〜第Ｎの信号弁別閾値Ｔ_１〜Ｔ_Ｎは、被検査物２を通る前の状態の放射線（基準放射線）を放射線検出部１０が検出した場合の複数のエネルギー領域Ｗ_１〜Ｗ_Ｎ各々の領域別計数値である基準領域別計数値Ａ_１（Ｂ）〜Ａ_Ｎ（Ｂ）が略均一になるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線管のメンテナンスを行うべきか否かの判断をすることができなかった。
【解決手段】カソードとアノードとによって加速した電子線を電子光学系によってターゲットに導いてターゲットからＸ線を出力させるＸ線出力部と、前記Ｘ線出力部によって出力されたＸ線の照射範囲にサンプルを配置するサンプル配置部と、前記照射範囲内のＸ線を取得してＸ線画像を取得するＸ線画像取得部とを含むＸ線検出器において、前記Ｘ線出力部における性能の劣化を示す複数のパラメータを取得して性能の劣化に関する出力を行う。 （もっと読む）

【課題】光学式異物検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡で詳細に観察する方法およびその装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ、装置規模を小さくできる方法およびその装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡５において、欠陥を再検出する光学式顕微鏡６を搭載し、この光学式顕微鏡６の焦点合わせを行う時に、試料１に対して光学式顕微鏡６の照明位置と検出位置を変化させない構成とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集かつ自動分類する装置において，ユーザの要求によりその分類クラスが多数になる場合や，またその基準が高頻度で変更される場合でも，容易に対応可能な分類システムを提供する。
【解決手段】
ユーザが分類クラスを定義する際に，各分類クラスが持つ属性を指定する仕組みを設ける。分類システムは各クラスが持つ属性を基に，内部のルール分類器と教示分類器との結合形態を自動変更し，ユーザの分類基準に合わせた分類システムを自動構築する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡内部に光学顕微鏡を組み込んだ装置を用いなくても既存の電子顕微鏡で、光学顕微鏡で観察した試料の特定部位を迅速に探索・観察することが可能なマスク及びそれを用いた方法を提供すること。
【解決手段】光学顕微鏡により観察した試料の特定部位が、少なくとも表面が導電性材料からなるマスク、あるいは、厚さ０．１８ｍｍ以下の非導電性材料からなるマスクに設けた穴の中に入るように、前記光学顕微鏡の試料台上で前記マスクを前記試料上に載置することにより、前記マスクの穴から前記試料の特定部位を電子顕微鏡で迅速に探索することができる。これにより、光学顕微鏡により観察した試料の特定部位を迅速に観察することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの外観検査と内部検査とを単一化して検査効率を極大化させる半導体デバイス検査装置を提供する。
【解決手段】表面実装型半導体チップパッケージや半導体モジュールなどの半導体デバイスに対する外観及び内部検査において、半導体デバイスの外観映像を獲得する外観映像検出部１２１と半導体デバイスにＸ線を照射して透過映像を獲得する透過映像検出部１３１と外観映像検出部１２１の検査情報と透過映像検出部１３１から獲得された映像情報とを基準映像と比較して良好/不良を判定するコントローラー１４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】数の検査レシピのなかから試料に適した検査レシピを容易且つ迅速に選択できるようにする。
【解決手段】演算装置１４は、ＧＵＩ１６に複数の検査レシピを表示する。検査レシピは、試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子カラムを制御するための設定値と、複数の特性値とを含む。複数の検査レシピは、互いにトレードオフの関係にある特性値（帯電ロバスト性、欠陥検出速度、欠陥検出精度等）を持つ複数の軸により特定される座標系上に配置されて表示される。 （もっと読む）