【課題】
回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。
【解決手段】
回路設計データから検査対象回路パターンと比較するために，欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え，複数の形状を作成する。作成された形状群と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し，原因別に欠陥を分類する。 （もっと読む）

【課題】被検査物の表面と裏面との温度差を無くしリフロー特性に応じた加熱が可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源と観察エリアとの間の微小間隙部側方から観察エリア上の被検査物上部に熱風を噴出して被検査物を上面側から加熱する第１加熱手段と、観察エリアとＸ線検出器との間に加熱源が配設され、各加熱源から観察エリアに向けて熱を放射して被検査物を下面側から加熱する第２加熱手段と、被検査物の上面側の温度及び下面側の温度を検出する温度検出手段と、温度プロファイルのデータを記憶する記憶手段と、被検査物の上面側と下面側との検出温度差が無くなるように第１及び第２加熱手段による各加熱量を協調制御しながら温度プロファイルに従って被検査物を昇温させる温度制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の所定の検査エリアを高速に検査することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線を出力する走査型Ｘ線源１０と、複数のＸ線検出器２３が取り付けられ、複数のＸ線検出器２３を独立に駆動可能なＸ線検出器駆動部２２と、Ｘ線検出器駆動部２２やＸ線検出器２３からの画像データの取得を制御するための画像取得制御機構３０を備える。走査型Ｘ線源１０は、各Ｘ線検出器２３について、Ｘ線が検査対象２０の所定の検査エリアを透過して各Ｘ線検出器２３に対して入射するように設定されたＸ線の放射の起点位置の各々に、Ｘ線源のＸ線焦点位置を移動させてＸ線を放射する。Ｘ線検出器２３の一部についての撮像と他の一部についての撮像位置への移動が並行して交互に実行される。画像制御取得機構３０はＸ線検出器２３が検出した画像データを取得し、演算部７０はその画像データに基づき検査エリアの画像の再構成を行なう。 （もっと読む）

【課題】迅速性に優れたＸ線透視像を表示する検査装置でありながら、注目点の深さ方向（透視方向）への位置情報を得ることのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検出器２と検査対象物Ｗとを相対的に傾動、回転もしくは移動させる前後で、Ｘ線透視像上で注目点Ｖを指示することにより、その注目点Ｖの透視方向への深さを算出する演算手段３０を備えるとともに、テーブル８に保持されている検査対象物Ｗを少なくとも透視方向に直交する方向から撮影する光学カメラ１０を設け、その光学カメラ１０により撮影された検査対象物Ｗの透視方向に直交する方向への外観像上に、演算手段３０で求められた注目点Ｖの透視方向への深さに対応する位置を重畳して表示することにより、Ｘ線透視像上の注目点Ｖの深さ情報をオペレータに知らせる。 （もっと読む）

【課題】 加熱炉内に収容されている電子部品などのワークに最も近接した位置でＸ線照射を行うことで、実際の加熱条件下におけるワークの挙動をリアルタイム且つ詳細に観察することのできる加熱型Ｘ線観察装置を提供することである。
【解決手段】 ハンダ付けの対象物であるワーク２０を収容して加熱処理を施す加熱炉１２と、前記ワーク２０にＸ線を照射してハンダ付けの状態を検査するＸ線検査ユニット１３とを備えた加熱型Ｘ線観察装置において、前記Ｘ線検査ユニット１３は、加熱処理中の加熱炉１２内に突出し、先端部のＸ線ターゲット部４０が前記ワーク２０の検査部位に近接した位置でＸ線を照射するＸ線照射管３０を備えた。 （もっと読む）

【課題】微細に加工された半導体デバイス内の所望の箇所の３次元的構造を観察するための電子顕微鏡用試料作製装置、電子顕微鏡及びその方法を提供する。
【解決手段】試料片１０の加工にダイサーを用い、試料片上の観察対象となる部分を突起状に削り出す加工に集束イオンビーム加工を用い、試料片１０を１軸全方向傾斜試料ホルダに、突起１１の中心軸と試料傾斜軸Ｚを一致させて固定し、高角に散乱された電子で結像したＴＥＭ像を投影像として用い、再構成を行う。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 （もっと読む）

【課題】オペレータがＸ線画像を柔軟に補正することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１０は、Ｘ線照射器１３と、Ｘ線ラインセンサ１４と、画像生成部２１ａと、ＬＣＤモニタ３０とを備える。Ｘ線照射器１３は、商品ＧにＸ線を照射する。Ｘ線ラインセンサ１４は、商品Ｇを透過したＸ線の濃度値Ｓｒに応じたＸ線透視像信号を出力する。画像生成部２１ａは、Ｘ線の濃度値Ｓｒに基づいてＸ線画像を生成する。ＬＣＤモニタ３０は、Ｘ線画像の画像補正画面１００を表示する。画像補正画面１００は、濃度値Ｓｒの変換領域の位置に関するパラメータ、濃度値Ｓｒの変換領域における濃度値Ｓｒの変化率Ｓｒに関するパラメータ、および、濃度値Ｓｒの変換領域に含まれる濃度値Ｓｒの強調領域の位置に関するパラメータの少なくとも１つの設定を受け付ける。 （もっと読む）

【目的】本発明は、パターンを転写するモールド上に作成されたパターンを検査するモールド検査方法およびモールド検査装置に関し、微細寸法のモールド（押し型）上のパターンの検査をする新たな方法を提供し、しかも、極めて短時間に微細寸法のモールド上のパターンを検査することを目的とする。
【構成】モールド上に作成されたパターンに対応する部分とそれ以外の部分との電子放出を異ならせて予め作成した転写板に、励起源を照射して励起させ、転写板上から放出された電子を、電圧により引き出して拡大画像を生成するステップと、生成された拡大画像をもとにモールド上に作成されたパターンを検査するステップとを有するモールド検査方法である。 （もっと読む）

【課題】試料面が、ある自転軸に直交する同一面上にあることを容易に確認できる技術を提供する。
【解決手段】鏡面の試料面を持った複数の試料を取り付けた複数の試料取り付け窓を有する試料ホルダーを、これら複数の試料取り付け窓が同一の軌跡を持つように回転させて、個々の試料取り付け窓をある配置場所に順次配置し、その配置場所にある試料取り付け窓を自転させて、その試料面を観察し、試料面が自転軸に直交する同一面上にあることを確認する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】 金属材料の結晶方位の測定誤差を低減し、塑性ひずみにより発生する結晶方位差の局所分布をより明確に同定できるようにする。
【課題解決の手段】 電子後方散乱回折を用いて金属材料の表面観察を行い、当該表面観察により得られた結晶方位の分布から結晶方位差の局所分布を測定する方法に於いて、先ず、金属材料表面の測定領域全体をＲＡ×ＲＡ個のピクセルで構成される複数の格子状のサブ領域に分割して各ピクセルで電子後方散乱回折により結晶方位を測定すると共に、サブ領域毎に結晶方位測定値の平均値を算出し、次に、サブ領域毎に算出される平均化された結晶方位から局所方位差を算出する。 （もっと読む）

【課題】試料のセット時に生じる試料表面の傾斜を補正する方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、試料ステージに載置された試料に電子線を照射し、試料内部から発せられる特性Ｘ線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に試料ステージを傾斜させて特性Ｘ線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性Ｘ線のみをＸ線検出器で選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、所定の基準面に対する試料表面の傾斜角度を求める工程と、求められた傾斜角度が相殺されるように試料ステージを傾斜させて特性Ｘ線の取出角度を設定する工程を備える。 （もっと読む）

物体の放射線相互作用データ、及び特に物体の画像を取得する方法及び装置であって、例えば、Ｘ線またはガンマ線源のような放射線源、及びＸ線またはガンマ線検出システムのような放射線検出システムであって、それらの間にスキャニング領域を定義するようにお互いに離間して配置され、放射線検出システムは、入射放射線に関する分光学的に分解可能な情報を検出及び採取でき、前記検出システムに入射する放射線に関する１つ以上の強度情報のデータセット、及び少なくとも１つ、好ましくは複数のスキャニング位置における前記スキャニング領域の物体の入射放射線との相互作用を採取し、好ましくは、前記検出システムにおいて受信された、前記物体との相互作用の後の放射線、及び例えば前記物体を透過した放射線から前記スキャニング領域の物体の画像を生成し、それぞれの前記強度データセットを、前記放射線源の前記スペクトルの範囲内の少なくとも３つの周波数帯域に亘って、それぞれの周波数帯に対する強度データアイテムを生成するために分解し、既定の強度データセットにおける、少なくとも２対の前記周波数帯域の前記強度データアイテムの間の数値的関係を、放射線相互作用に関連する特有の物理的物質特性と関数関係にある１つの数値的指標を得るために算出し、その数値的指標を、強度データセットを生成する物質に近似する成分の指標を得るために、潜在的な成分の物質の特有の物理的物質特性を示すデータのライブラリと比較する。 （もっと読む）

【課題】 極短時間に、スペクトルの異なる２種類のＸ線で２つの画像を得ることが可能なＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】 受光素子(8)の各画素(20)が、Ｘ線を検出する第１の領域(21A)と第２の領域(21B)とを含む。フィルタ(5)に形成された複数の窓(30)が、第１窓群(31A)と第２窓群(31B)とに分類される。第１窓群の窓(30A)と、第２窓群の窓(30B)とは、Ｘ線透過率の波長依存性が異なる。受光素子とＸ線フィルタとを第１の位置関係にしたとき(図3A)、第１画素群の画素(20A)及び第２画素群の画素(20B)内の第１の領域に、それぞれ第１窓群の窓(30A)及び第２窓群の窓(30B)を透過したＸ線が入射し、第２の領域にはＸ線が入射しない。第２の位置関係にしたとき(図3B)、第１画素群の画素内の第２の領域及び第２画素群の画素内の第２の領域に、それぞれ第２窓群の窓及び第１窓群を透過したＸ線が入射し、第１の領域にはＸ線が入射しない。 （もっと読む）

【課題】蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】試料１０からの蛍光Ｘ線を測定する測定装置２と、試料１０全体及び試料１０の測定箇所の画像データをそれぞれ取得する撮像装置３と、試料１０全体及び測定箇所の画像データをそれぞれ測定結果と対応付けて管理する管理部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は厚い窓材を有する撮像窓を備える分析室内の試料に対して、分析室外から分析対象位置を鮮明に撮像できるようにして、分析位置の特定ができなかった試料の分析を可能にするＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】窓材４１を有する撮像窓４０を備える分析室２内でＸ線を試料Ｓに照射して分析を行うＸ線分析装置であって、窓材４１を透過させて試料Ｓを照明する試料照明手段７と、試料Ｓを分析室２の外部から撮像する撮像手段８であって、撮像部８１とフード８２を有し、試料照明手段７からの照射光が、窓材の裏面４１ｂで反射光となって撮像部８１内に入射しないように形成されている撮像手段８とを有し、試料照明手段７がフードを取り囲むように配置され、フードの窓近位部８２ｂの端部が撮像窓４０に近接しているＸ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】検出された欠陥からシステマティック欠陥を分別する。
【解決手段】欠陥分類定義部２２１は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。欠陥分類処理部２２２は、欠陥レビュー装置１０で取得された欠陥からサンプリングしたサンプリング欠陥データ１３３（２３３）について、その欠陥の位置が前記定義された領域のどの領域に含まれるかによって、欠陥を分類する。欠陥集計部２２３は、その分類された欠陥を集計し、各領域の欠陥密度を求め、ある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、システマティック欠陥判定部２２４は、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定する。 （もっと読む）