【課題】高スループットで電位コントラストの測定等を高信頼性で行うことができ、構造が簡単な電子線装置、及び該装置を用いて歩留まり良くデバイスを製造するためのデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】パターンが形成された試料を電子線で照射し、該試料の評価を行うための電子線装置は、電子線源ＥＧ、対物レンズ１４、電磁偏向器１１、１２及び二次電子線検出器１７を収容した電子光学鏡筒１を備え、対物レンズ１４は、上部電極１８、中央電極１９及び下部電極２０から構成され、上部電極１８、中央電極１９及び下部電極２０に電圧を印加するための制御電源２１を更に備え、制御電源２１は、中央電極１９に一定値の電圧を印加し、上部電極１８でダイナミック・フォーカスを行って対物レンズ１４が合焦条件を満たすよう動作する。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造に関するより多くの情報を効率的に取得することのできる結晶評価装置および結晶評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる結晶評価装置１００は、試料を載置するための試料台１０と、前記試料台１０に載置された試料３２にＸ線を照射するためのＸ線源１２と、前記試料３２に照射されることにより生じた回折Ｘ線を検出するＸ線検出部１４と、前記試料３２にレーザ光を照射するためのレーザ光源１６と、前記試料３２に照射されることにより散乱したラマン散乱光を分光する分光器１８と、前記分光器１８が分光したスペクトルの強度を検出する光検出部２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線の吸収が少ない被検査体の透視画像の画質を向上させる。
【解決手段】 Ｘ線管１で発生したＸ線４をベルトコンベア５で運ばれてくる被検査体７に照射してラインセンサ３により透過Ｘ線を検出し透過像を得る。この透過像から被検査体７内部に存在する異物を検出する。Ｘ線管１とラインセンサ３の間に内部を真空としたケース２を配置すると、Ｘ線４はこのケース２内を通過するから、このケース２を通過する間ではＸ線４が空気によって吸収されることがない。これによりＸ線管１で発生したＸ線のうち、とくに波長の長い低エネルギーのＸ線が減衰することなく被検査体７に到達することになる。したがって、高エネルギーＸ線では透視画像にコントラストが付かず、低エネルギーＸ線で検査することが適当な種類の被検査体に対しても効果的に異物検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線吸収スペクトルのノイズを小さくでき、データ解析を容易とし、分析精度を向上できる、Ｘ線吸収微細構造分析方法およびその分析装置を提供すること。
【解決課題】 ポリクロメータでＸ線を分光して、分光したＸ線をサンプル１３に照射することにより、サンプル１３のＸ線吸収微細構造を分析するＸ線吸収微細構造分析方法において、測定時間内に、超音波発生装置７によりサンプル１３に振動を与える。これによって、サンプル１３の厚さや密度が不均一となりやすい場合であっても、測定時間内に、サンプル１３に振動を与えることによって、得られるサンプル１３のＸ線吸収スペクトルのノイズを平均化することができる。そのため、Ｘ線吸収スペクトルのノイズを小さくでき、その結果、データ解析を容易とし、Ｘ線吸収微細構造分析方法の精度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高額・大型の設備が必要なく、小型、低コストの設備で絶縁された導電体試料の分析・評価を高感度・高精度に行うことができる新規な元素分析・評価方法とその装置を提供する。
【解決手段】 ２から１００ｋｅＶの低エネルギーを有する正イオンを、軽元素及び重元素の少なくともいずれかの元素を含む絶縁された導電体試料３へ照射することにより、導電体試料３中に含まれる軽元素又は重元素から４ｋｅＶ以下の低エネルギー特性Ｘ線を発生させ、発生した特性Ｘ線を検出することにより導電体試料３中に含まれる軽元素又は重元素の分析・評価を行うこととする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、大気圧で分析すべき試料が真空で分析されるのを防止できる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】 真空と大気圧に雰囲気が切り替えられる分析チャンバ11内で、試料ホルダ8 に収納された試料3 に１次Ｘ線2 の照射などを行う分析装置本体10と、複数の試料ホルダ8 が載置される試料テーブル21を有し、分析装置本体10に対して試料ホルダ8 の搬出入を行う試料交換機20と、試料テーブル21における試料ホルダ8 の載置場所21a ごとに、試料3 に適用される雰囲気などの分析条件が設定される分析条件設定手段33と、その分析条件に従い分析装置本体10および試料交換機20の動作を制御する制御手段34とを備える。試料テーブル21における試料ホルダ8 の各載置場所21a に、分析チャンバ11内のいずれかの雰囲気が割り当てられており、その割り当て状況が表示手段31または試料テーブル21自体に表示される。 （もっと読む）

【課題】 高温高圧の反応容器の外部から反応容器内の固形物の濃度分布や反応状態を迅速に測定する。
【解決手段】 高圧容器内状態観察装置は、固体粒子３を収容してその固体粒子３を高温かつ高圧の状態で反応させる高圧容器２に放射線１０を照射する放射線源４ａ、４ｂと、放射線源４ａ、４ｂから照射されて高圧容器２を透過した放射線１１を検出する放射線検出器５ａ、５ｂとを有する。さらに、放射線検出器５ａ、５ｂの出力に基づいて高圧容器２内の固体粒子３の濃度分布を演算するデータ処理部６を有する。データ処理部６は、高温容器２内に固体粒子３がない場合の放射線検出器５の出力を基準としてこの出力との差に基づいて濃度分布を演算する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化した試料に電子線を照射して観察、特にX線検出による元素分析を、背景雑音を低減して高精度、高分解能で行える試料観察装置および試料観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】 薄膜試料の直後に孔部を有する軽元素材料からなる部材５６を配置して、電子線８で該試料２２の特定部位を観察する。
【効果】 本発明により、薄膜試料に電子線を照射して観察する際に、該試料以外の部分から発生するX線、および、該試料以外の箇所で散乱されて再び該試料に入射する電子線を低減できる。これにより高精度、高感度な２次電子像観察および元素分析が可能となり、一段と微細化が進むＬＳＩデバイス等の内部観察等を、高精度、高分解能で実施できる試料観察装置および試料観察方法を提供できる。 （もっと読む）

ヘリウム置換を行う蛍光Ｘ線分析装置で、試料室と照射室間の隔壁膜の交換が容易で、分析時に試料室の空気が照射室へ流入しないものを提供する。第１の枠体２１が、その窓２１ａが試料室３と照射室８間の壁部４の窓４ａに重なるように壁部４に気密に取り付けられ、その第１の枠体の窓２１ａを覆うように隔壁膜９が配置される。第２の枠体２３が、その窓２３ａが隔壁膜９を挟んで第１の枠体の窓２１ａに重なるように配置される。そして、枠体２１，２３の一方が永久磁石で、他方がそれに吸着される材料からなり、枠体２１，２３が隔壁膜９の周辺部を挟持するとともに、第２の枠体２３が第１の枠体２１に対し着脱自在である。
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【課題】本発明が解決しようとする問題点は、分析器の真空系と分析室の真空系を隔壁を用いて遮断した場合、低エネルギーのＸ線の検出が困難であったという点である。
【解決手段】試料を収容する真空に保持された分析室と、１次ビームを前記試料に照射する１次ビーム照射手段と、前記１次ビームにより前記試料から発生するＸ線を集束する集光手段と、前記Ｘ線の集束点に位置し、前記集束したＸ線を通過させるアパーチャと、前記アパーチャを通過したＸ線を分光・検出する真空に保持された分光手段と、を備える表面分析装置であって、前記分析室と前記分光手段を仕切る前記アパーチャにより前記分光手段内の真空度と異なる分析室内の真空度を保持することを特徴とする表面分析装置。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置で特定された欠陥は、他の装置を用いて解析が行われる。他の装置での欠陥位置の特定は、ビットパターンがウエハ上に数百個配列されているような場合は手作業でカウントしなければならないため、非常に困難で欠陥位置の誤認識も招く。また欠陥位置の特定に時間がかかるので、欠陥の解析結果がでるまでに時間がかかる。つまり製造ラインへのフィードバックが遅れ、スループットを低下させている。
【解決手段】欠陥検査装置で検出された欠陥の周辺に、レジストを用いてマーキングを形成する。
【効果】欠陥検査装置で検出された欠陥を、解析装置で正確に簡便に特定することができるため、短時間で解析結果が得られる。そのため、製造ラインへのフィードバックが早くなり、歩留まりが向上し、コスト低減に繋がる。 （もっと読む）

【課題】 冷却した試料の交換操作時に、極低温に冷却された試料ステージ支持部の破損を防止できる試料交換機構の提供を目的とする。
【解決手段】 オペレータが試料交換の時に操作する搬送用グリップ12と試料搬送機構８と一体で動くブロック13の間を、ばね15と一方向のみに移動可能なスライダで連結する。試料ホルダ４が試料ステージ２に接触後、ばねが伸び始め、試料ホルダ４と試料ステージ２の接触面は、ばね15による密着圧力が働く。適切なばね定数を持つばね15を選択し、断熱材の最大許容付加圧力の範囲内でストッパ10がストッパ受け部11に当接するように設定すれば、断熱材３の破損を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】測定ヘッド下の検出器以外、クレードル（円弧）又はその他の構造体がなく、測定距離は、ソフトウェアにより自由に選択可能であり、ほとんどの部品が購入できるくらいに簡易な設計のため、複雑、不正確、さらにコスト高な構造を避けることができるゴニオメータを提供する。
【解決の手段】ゴニオメータ（１）は、応力測定及び粒子の微細構造の特定を行い、フレーム（４）と、測定位置（３１）において測定を実行するため、第１の線形移動装置（５）、第２の線形移動装置（６）及び傾動装置（１６）により移動可能にフレーム（４）に設けられた測定ヘッド（７，８，９，１０）とを備え、傾動装置（１６）の回転軸（１２）が測定位置（３１）に一致せず、測定中に、前記移動装置（５，６，１６）により、測定ヘッド（７，８，９，１０）の円弧形（３０）の移動を作り出す手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機物顕在化方法では、被検査物表面の異物を識別するためには、薄膜を堆積させる時間を多く必要とし、異物を識別させるための作業等が煩雑であった。また、被検査物表面の異物を識別する際には、被検査物を不活性ガスが封入された特別な環境下に置く必要があるため、異物の存在を容易に確認することができなかった。
【解決手段】 被検査物である基板１の表面に１次電子源７２からの電子線、およびイオン源７３からの不揮発性ガスイオンを照射し、電子線および不揮発性ガスイオンが照射された基板１から発生する２次電子を２次電子検出器７４により検出して、基板２表面に存在する有機物１４を識別する。また、基板１の表面に金属薄膜１９を成膜し、金属薄膜１９が成膜された基板１表面に光を照射して、光の干渉により生じる、有機物１４が存在している部分と存在していない部分とのコントラスト差を識別する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は探針による試料電位分布像の取得方法及び装置に関し、試料の微小電圧変動を捉えることが可能な探針による試料電位分布像の取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料１４のパターン面に接触させる第１の探針と第２の探針とからなる２本の探針１１，１２と、試料１４上を電子ビーム又はイオンビームで走査する走査手段と、試料１４上の任意の位置の電位を前記２本の探針を用いて検出する電位検出手段１８と、該電位検出手段１８の出力と電子ビーム又はイオンビームとを同期させて試料電位分布像を取得する取得手段２１とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】
測長ＳＥＭは、高真空に保たれた試料室にウェーハを搬入して半導体デバイスの線幅や穴径を測長する装置であり、測長ＳＥＭを使用して、真空中の装置状態を容易に把握する。他の真空装置についても適用できるようにする。
【解決手段】
真空中の駆動系の状態、真空バルブ、真空状態や電子光学系の状態を画面化したことにより真空中の装置状態の把握を可能とした。また、各種センサのＯＮ／ＯＦＦタイミング、Ｏｐｅｎ／Ｃｌｏｓｅタイミングおよび真空の状態をタイミングチャート化し時間計測や、リファレンスデータとの比較を可能とした。
この機能を有することにより、装置保守点検や装置修理時に的確な判断を行う
。 （もっと読む）

【課題】薄膜の２次電子放出能を複雑な機構を用いることなく、感度よく、さらには成膜装置内でも測定して評価できる表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】検査対象物としての、基板８の表面に形成された薄膜８ａに高周波プラズマ１３を接触させて、高周波プラズマ発生手段の回路に接続させたインピーダンス測定器１４で高周波プラズマ１３のインピーダンスを測定し、そのインピーダンスの測定値より、予め求めたインピーダンスと薄膜からの２次電子の放出数との相関に基づいて、薄膜８ａの２次電子放出能を評価する。従来用いられていたイオンビームに代えて高周波プラズマ１３を使用するので、２次電子の放出量が多くなり、２次電子を高感度に測定できる。イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス（ＣＬ）を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。
【解決手段】表面側にシリコン層を有する基板２をステージ３に載置する工程と、基板２を温度１００Ｋ〜４Ｋに冷却する工程と、ステージ３と基板表面を照射するための電子線とのいずれか一方を２次元的に走査して、基板表面の所定領域内を電子線により順次照射する工程と、基板表面から発生したＣＬ光のうちの波長１２００ｎｍ〜１７００ｎｍの近赤外光を検出すると共に、検出位置確認のために、基板表面から発生した２次電子を検出する工程と、検出された２次電子により基板表面の画像である２次電子像を表示すると共に、２次電子像に対応させて、検出された近赤外光の強度を表示し、基板表面で近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程とを順に実行している。 （もっと読む）

【課題】 真空下にて試料を分析および／または処理する際に必要とされる複数の機能を備えた器具を提供する。
【解決手段】 端子１および突起部６を有する基板１００、ならびに端子１と接触する電極３および突起部６を挿入するための凹部１０を有するホルダー２００を備える回路形成用カセットであって、突起部６が凹部１０へ挿入されることによって基板１００とホルダー２００とが固定される構成を有する回路形成用カセットを用いる。 （もっと読む）

【課題】 試料のガスとの反応量に対する試料の結晶構造等の回折結果を同時に測定可能なＸ線回折装置及び試料の測定方法を提供する。
【解決手段】
Ｘ線発生手段１とチャンバー部2-1とＸ線検出器３とを備え、チャンバー部2-1内の試料にＸ線を照射し、当該試料からの回折Ｘ線を測定するＸ線回折装置において、チャンバー部2-1を真空とする真空排気手段（符号１１，１２等）と、チャンバー部2-1に各種ガスを導入するガス導入手段（符号１３等）と、チャンバー部2-1内のガス変化量を測定するガス量測定手段（符号５，６，７等）とを有し、Ｘ線検出器３は、同時に複数の回折Ｘ線を検出できるように複数のＸ線検出素子を配列してなり、少なくともガス量測定手段とＸ線検出器とを制御すると共に、これらからデータを取得する制御手段（符号１０等）を備えたＸ線回折装置とする。 （もっと読む）