【課題】特定の位置を高精度で検出できる、又は、位置を検出し、その検出したことを容易に知らせることができる位置計測方法及び位置計測装置を提供する。
【解決手段】位置計測システム１を用いた位置計測方法によれば、モータ４２の回転軸４
３を回転させることで一対の永久磁石４４、４５が回転し、回転する一対の永久磁石４４
、４５から発生する回転磁束は、前記モータ４２の回転軸４３の延長線上に検出コイル６
１の不感帯部を形成するので、用前記検出コイル６１の位置を変えながら当該検出コイル
６１に誘起された信号を測定することで特定の位置を高精度で検出できる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を用いた欠陥検査において、被検査部位の形状と欠陥を自動的に区別することのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】表面形状計測手段３０が被検査部位を走査して得た計測結果データを取得する計測ステップと、放射線撮像手段４１を移動させながら被検査部位を撮像して得た撮像画像データを取得する撮像ステップと、被検査部位の所定部位を基準として、計測結果データと、撮像画像データを走査して得られる濃淡パターンデータとを対応付ける対応ステップと、対応ステップで対応付けした計測結果データと濃淡パターンデータの差分を求める差分算出ステップと、差分に基づき被検査部位の内部欠陥を検査する検査ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】被検査物における所望の範囲を視覚的に特定することが可能なＸ線検査技術を提供する。
【解決手段】Ｘ検査装置は、被検査物ＴＧに対してＸ線を使用して検査を行う検査部１と、検査部１において検査された被検査物ＴＧに対してマーキングを行うマーキング部１０とを備えている。検査部１は、被検査物ＴＧにＸ線１００を照射するＸ線照射部３と、Ｘ線照射部１から照射されて被検査物ＴＧを透過したＸ線１００を検出するラインセンサ４と、被検査物ＴＧにおいて透過Ｘ線量に関する所定の条件を満足する範囲、例えば異物や空洞部分あるいは脂肪分の範囲を、ラインセンサ４での検出結果に基づいて特定する検査制御部６とを有している。マーキング１０部は、検査制御部６で特定された、異物、空洞部分、脂肪分などの範囲を被検査物ＴＧにマーキングする。 （もっと読む）

【課題】対象とする物品を用意することなく、その物品を検査するために必要な観察ポイントや観察方向等をティーチングすることができ、かつ、そのティーチング作業の作業性を良好なものとすることのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】入力された対象物の３次元形状情報および寸法情報と、試料ステージ１３への設置位置情報に基づき、対象物の３次元モデルＭを表示するとともに、その３次元モデルＭ上で、対象物を観察する際の複数の観察ポイント、観察方向および観察倍率を逐次設定して記憶し、実際の対象物の観察時に、設定された順序通りの観察ポイント、観察方向および観察倍率が得られるように、試料ステージ１３と、Ｘ線発生装置１１とＸ線検出器の対との相対的位置を移動させる。３ＤＣＡＤデータ等に基づく３次元モデルの表示を用いた設定により、対象物を用意することなく、対象物のどのポイントをどの方向から観察するのかを把握しやすく、ティーチング作業の容易化と効率化を達成することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】
電気的評価を行わなくても、最適なプロセス条件を決定することができる半導体欠陥検査装置、および半導体欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の領域ごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。また、試料を検査して得られる欠陥の種類を記憶したデータベースを参照して、抽出した欠陥の種類を特定し、試料の製造プロセスごとに欠陥の種類別の欠陥密度を求め、表示するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】断面加工方法および装置において、断面加工の加工効率を向上することができるようにする。
【解決手段】観察目標断面２、または観察目標断面２を含む観察領域で、試料１の断面観察を行うために、試料１に対して順次除去加工を施すことによって破断位置を移動させて破断面１ｃを形成していく断面加工方法であって、観察目標断面２の近傍において破断面１ｃが形成可能な範囲に、除去加工によって破断可能、かつ破断面１ｃ内で破断形状が識別可能となるマーク部４Ａ、４Ｂを形成するマーク部形成工程と、このマーク部形成工程で形成されたマーク部４Ａ、４Ｂを含む範囲で、試料１およびマーク部４Ａ、４Ｂに対して除去加工を施して、破断面１ｃを形成する断面形成工程と、この該断面形成工程で形成中または形成後の試料１の断面の観察像を取得する観察像取得工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
画像処理基板を含む画像処理装置のきめの細かい機能診断を行うことができる半導体外観検査装置を提供する。
【解決手段】
電子光学系から送信される画像，検査レシピ，検査シーケンスを記憶する記憶装置を有し、電子光学系を用いた検査を実施しない場合に、前記記憶装置へ記憶された前記画像を画像処理装置へ入力し、当該検査レシピ，当該検査シーケンスを用いて画像処理を実行し、前記画像処理装置で処理された処理画像により、当該画像処理装置の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】導電性を持つシリコン層と、その上に積層された酸化シリコン膜と、を備えた基板に対して電子線を照射し、当該基板から放出される２次電子の数を検出すると共に、基板を水平方向に移動させることにより、酸化シリコン膜内のコンタクトホールに埋め込まれた金属配線と前記シリコン層とが電気的に接続されているか否かを検査するにあたり、酸化シリコン膜のチャージアップを抑えることのできる技術を提供する。
【解決手段】金属配線が形成された領域においては検査用の加速電圧で金属配線及び酸化シリコン膜に電子線を照射し、一方金属配線が形成されていない領域においては基板に入射される電子の数とこの基板から放出される２次電子の数との差が上記の検査用の加速電圧よりも小さくなる加速電圧で電子線を照射することによって、当該金属配線が形成されていない領域においては酸化シリコン膜のチャージアップを抑える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系試料をＸ線回折測定して、twist 分布の存否を判定する。
【解決手段】ＧａＮ系試料をＸ線回折測定して、選択した複数の異なる反射指数hklごとのhklプロファイルを求める。選択した反射指数hklで特定される反射指数hkl面と試料表面との角度を面角度θｃとし、各hklプロファイルの横軸であるスキャン角度Δθをsinθｃで割り、hklプロファイルの横軸をΔθ／sinθｃに規格化しなおし、複数の選択した反射指数hklごとの再規格化したhklプロファイルを求める。しかも、面角度θｃを６０度より小さい範囲とする。複数の再規格化したhklプロファイルを、ピーク頂点をそろえる状態にして重ね、重ねた複数の再規格化したhklプロファイルのピーク拡がり形状が一致する場合には、hklプロファイルのピーク拡がり形状は、結晶のモザイク性により生じる局所的なtwist 分布に起因して生じるピーク拡がり形状だと判定する。 （もっと読む）

【課題】成形体の欠陥を精度良く検査でき、製品の歩留まりを向上させることができるセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】このセラミック電子部品の製造方法では、熱中性子線Ｒによってグリーン体２１を撮像する。熱中性子線Ｒは、Ｘ線に比べると、有機化合物中に多く含まれる水素原子Ｈに対して十分な減衰係数を有している。したがって、グリーン体２１の内部において、バインダ樹脂２３で結合された粉体材料の分布状態を高いコントラストで検出でき、グリーン体２１内部の充填欠陥２５を精度良く検出することができる。これにより、グリーン体２１及び焼結体４１を用いて得られる製品の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの形状に基づいて画像処理することにより効率よく被検体を検査すること。
【解決手段】検査方法は、（ａ）被検体のＸ線透過画像を撮像するステップと、（ｂ）前記Ｘ線透過画像から、第１輝度に基づいて互いに分離された検出候補画像を生成するステップと、（ｃ）前記検出候補画像の各々の縦横比に基づいて第１ボイド候補の画像を選択するステップと、（ｄ）第２輝度に基づいて残りの検出候補画像の各々から第２ボイド候補の画像を生成するステップと、（ｅ）前記第１ボイド候補画像と前記第２ボイド候補画像を合成してボイド候補の画像を生成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの微細化に対応して検査時の画素サイズを小さくする必要がある場合にもスループットの低下を抑制する手段の提供。
【解決手段】回路パターンを有する被検査試料９に荷電粒子線を照射し、発生した信号から画像を取得し、この画像から回路パターンの欠陥を検出する検査方法及び検査装置において、被検査試料９に対して荷電粒子線を走査する方向の検査画素サイズと、被検査試料を載置して移動するステージ３１，３２，３３の移動方向の検査画素サイズをそれぞれ別個に設定して検査する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いた欠陥のレビュー方法、および欠陥のレビュー装置において、電子ビームの自動焦点合わせの設定に要するユーザの工数を低減し、試料の観察を容易化する。
【解決手段】
観察対象の座標上に予め登録された複数個の座標位置について焦点合わせを行い、座標位置における各焦点位置に基づいて焦点合わせの基準を作成し、該基準と前記焦点位置との間のずれ量に基づいて焦点探索範囲を設定し、観察対象の欠陥検出の自動焦点合わせの範囲を、設定された焦点探索範囲に基づいて決定する。 （もっと読む）

【課題】
設計データや良品パターンを参照パターンとして、電子デバイスのパターン形状を評価する方法があるが、設計データや良品パターンでは、電子デバイスの製造条件に適合した形状を正確に定義することが困難であり、パターンの形状を高精度に評価することができない。
【解決手段】
電子デバイスの回路パターンの形状を評価する方法であって、少なくとも２つ以上の回路パターンの輪郭データから回路パターンの輪郭分布データを生成する手段と、前記輪郭分布データから、パターンの形状評価に用いる参照パターンを生成する手段と、前記参照パターンと評価対象パターンの比較によってパターンの形状を評価する手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被検査試料の特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、スループット低下をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】被検査試料に電子線ビームを繰り返し往復ライン走査させ、試料から発生する２次電子または反射電子に基づき生成された画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査装置において、電子線ビームの振り戻しを、画像取得、プリチャージ又はディスチャージに用いる機能を備える。 （もっと読む）

【課題】迅速性に優れたＸ線透視による検査装置でありながら、被検査物に存在する欠陥等の特異点の深さを、オペレータに対して有効に報知することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物ＷのＸ線透視像上で、あらかじめ設定されている特異点を抽出し、被検査物Ｗの透視視野の移動もしくは透視方向の変更の前後で抽出された特異点像の位置情報から、当該特異点像の透視方向への深さを算出し、その算出された特異点の深さに応じて、Ｘ線透視像上の特異点像を色分けする等、その表示態様を相違させることで、特異点像の深さをオペレータに感覚的に素早く報せることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】短期間内で大きい検査域のスライス画像を形成できるトモシンセシス装置及び方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線源（１）と、Ｘ線検出器（２）と、検査されるべき対象物（４）の一連のＸ線投影画像の捕捉中に撮像面（Ａ）に対して平行な移動面（Ｂ）で対象物（４）を移動する移動装置（３）と、Ｘ線投影画像の捕捉及び移動装置（３）を制御する制御装置（５）とを有し、断層写真合成方法を用いてＸ線投影画像から対象物のスライス画像を形成するＸ線装置で、大きい対象物のスライス画像の形成を短い期間内で可能にするために、Ｘ線源（１）及びＸ線検出器（２）は、Ｘ線投影画像の捕捉中に静止され、制御装置（５）は、対象物（４）を検査域中の撮像されるべき全ての点が少なくとも１０、好ましくは、５０の異なるＸ線投影画像において撮像されるように移動速度、及び、上記Ｘ線投影画像の捕捉の瞬間が選択されるように制御する。 （もっと読む）

【課題】
ノイズ成分を抑制した２次電子画像を得て、高精度の欠陥検査を可能とする欠陥検査方法ないし欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡により、欠陥検査対象物において繰り返しパターンを有する欠陥検査対象領域の観察画像を取得し、予め登録されているマスキング用パターンを観察画像に重ね、観察画像からマスキング用パターンで覆われた領域の信号を除去した欠陥検査用画像を得、欠陥検査用画像を用いて、繰り返しパターンの欠陥検査を行う。 （もっと読む）