【課題】
半導体ウェハ上の欠陥の画像をレビューＳＥＭで収集する場合，スループット性能と欠陥検出性能とはトレードオフの関係にあるため，現状では各種の条件設定（レシピ設定）はマニュアルにて行われている。このレシピ設定作業の効率化が望まれていた。
【解決手段】
レビューＳＥＭに，複数の撮像条件で取得された画像セット，若しくはシミュレーションにより複数の撮像条件を模擬した画像セットを記憶する手段と，各画像セットに対する欠陥位置情報を記憶する手段，及び撮像条件と処理時間に関する情報を記憶する手段を設ける。さらに，それらの記憶情報から，上記の画像セットに対する撮像条件毎の予測欠陥検出性能とスループットを試算する手段及びその結果を表示する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】 高拡大率で、被検体の高分解能高品位の３次元画像を得ることにある。
【解決手段】 Ｘ線ビームを照射するＸ線源３と、被検体１から透過してくるＸ線ビーム２を検出するＸ線検出器４と、Ｘ線ビーム内で、Ｘ線ビーム中心線の方向に対し９０度より小さなラミノ角で交差する回転軸ＲＡに対し、被検体１とＸ線ビームとを相対回転させる回転手段６と、Ｘ線検出器４で検出したＸ線透過像から３次元画像を作成する制御処理部１２とを備え、制御処理部１２は、被検体１とＸ線源３との間で干渉しない回転可能範囲に基づき、半回転を超え１回転を満たない角度範囲で回転され所定の回転角度毎にＸ線ビームの透過像をＸ線検出器４で撮影するスキャン制御部１２ａと、Ｘ線検出器４で検出された多数の透過像から被検体の３次元画像を作成する再構成部１２ｃとを設けた構成である。 （もっと読む）

【課題】共焦点顕微鏡からの出力される各種画像情報と電子顕微鏡の出力画像情報とが合成された特有の画像情報を出力でき、試料分析に有用な複合型顕微鏡装置を実現する。
【解決手段】観察すべき試料を保持する試料ステージが配置される試料室と、試料の電子顕微鏡画像を撮像する電子顕微鏡と、試料の共焦点画像を撮像する共焦点顕微鏡と、電子顕微鏡及び共焦点顕微鏡からの出力信号とを受取り種々の画像信号を出力する信号処理装置を具える。共焦点顕微鏡及び電子顕微鏡のビーム軸は、互いに平行に設定する。試料ステージは、共焦点顕微鏡の対物レンズの光軸及び電子顕微鏡のビーム軸と直交する２次元平面内の位置を規定する２次元座標系を有し、共焦点顕微鏡及び電子顕微鏡は座標系を共有する。この結果、電子顕微鏡画像と共焦点顕微鏡により取得された２次元カラー情報や表面高さ情報とを合成して、カラー電子顕微鏡画像又は３次元電子顕微鏡画像を表示する。 （もっと読む）

【課題】伝熱管の破損の有無及び破損箇所を高精度且つ短時間に検出できること。
【解決手段】蒸気発生器１０における伝熱管１１の破損の有無を確認するために、伝熱管の外管と内管の隙間を流れるＨｅガスが、伝熱管の破損箇所から漏出したことを検出するガス漏出第１検出器１６、ガス漏出第２検出器１８と、伝熱管の破損箇所を特定するために、伝熱管１１を挟んで対向配置された中性子発生装置３３と中性子検出イメージセンサ３４とを有し、中性子発生装置３３から放出された中性子が、外管と内管の隙間を流れて破損箇所から漏出したＨｅ３ガスにより吸収され、そのときの中性子の影を中性子検出イメージセンサ３４が２次元画像として検出するものである。 （もっと読む）

【課題】
同じ検査領域に繰り返し電子線を照射することなしに、検査条件を決定することができる基板の検査装置、および、基板の検査方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子を検出し、検出された信号を画像化して記憶し、該記憶された画像を他の同一の回路パターンから形成された第二の画像と比較し、予め設定された欠陥判定条件に基づいて比較結果から基板の欠陥を抽出する基板の検査装置において、基板の一端から他端にわたる範囲の領域の画像を蓄積する記憶部と、該記憶部に蓄積された画像を利用して欠陥判定条件とは異なる欠陥判定条件で繰り返し欠陥判定する欠陥判定部とを備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化および解像性の向上の両方を同時に実現する。
【解決手段】所望の方向のビーム幅のみが小さくなるようにビーム整形を行ない、得られた楕円形状ビームを用いて長径方向にビームを走査することにより、短径方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】放射線トモシンセシス撮影装置において、散乱放射線の影響の排除を行うとともに、放射線源の利用効率を向上させる。
【解決手段】被写体に向けて放射線を射出する多数の放射線源１ａを有し、各放射線源１ａから射出されて被写体を透過した放射線が被写体の投影像の一部分を形成するように多数の放射線源が分散配置された放射線照射部１を設け、各放射線源１ａが、ファンビームの放射線を射出するものであるとともに、そのファンビームの広がり角が大きい方の面が多数の放射線源１ａの配列方向と交差し、互いに平行に並ぶように配置する。 （もっと読む）

【課題】
微細なパターンの検査において、電子ビームの照射によって生じる試料表面の帯電現象による電子ビームの焦点ずれや照射位置のずれを抑制し、欠陥の誤検出を防止するとともに、検査時間を短縮できる検査装置，検査方法を提供する。
【解決手段】
ダイに設けられたアライメント用マークの画像を複数個取得し、アライメント用マークの画像の中心座標と該マークの座標との間のずれを、座標の補正値として記憶装置へ保存するとともに、試料の表面の複数の座標における高さを計測し、該計測された複数の座標の画像を撮像して焦点を調整し、該調整値と前記高さセンサで計測された高さとの関係を高さの補正値として記憶装置へ保存し、記憶装置に保存された画像の座標の補正値と高さの補正値とを含む検査条件を用いて、試料の画像の座標と高さとを補正する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが変動しても、また、試料から検査対象領域を撮像した撮像画像に周期性が少なくても、良好かつ迅速に欠陥検出できる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】試料１１上の検査対象領域の撮像画像３１を撮像する撮像手段１３と、撮像画像３１から欠陥候補４１ａ〜５０ａを検出する欠陥候補検出手段１４と、検査対象領域における欠陥のないパターン情報３３を格納する格納手段１５と、欠陥のないパターン情報３３から擬似欠陥候補４１ｂ〜４９ｂを検出する擬似欠陥候補検出手段１６と、欠陥候補４１ａ〜５０ａと擬似欠陥候補４１ｂ〜４９ｂとを位置的に対応付けし、対応付けができなかった欠陥候補５０ａを欠陥３７として登録する欠陥候補限定手段１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡の超微小焦点より発生するＸ線を用いて、Ｘ線拡大撮影を行うこと。
【解決手段】 電子顕微鏡で用いられる電子線の超微小焦点の位置に、台形の金属ターゲットを設置し、加速された電子をターゲットにあてることにより、発生する制動Ｘ線を、電子顕微鏡の加速筒（鏡筒）と直角方向に置かれたアダプター内に導き、ターゲットの近傍に設置された試料に当てる。透過したＸ線は、ターゲットから遠くに置かれたＸ線検出器によって拡大画像を得る。照射する電子線の焦点のターゲット上の位置を変えることにより、観察する試料部位と拡大率を決める。 （もっと読む）

【課題】
大多数のヌイサンスの中に少数のDOIが存在する状況で、少数の適切な欠陥の教示で分類性能を向上することが可能となり、ユーザの欠陥教示の負担を軽減しつつ、高い分類性能を確保すること。
【解決手段】
試料を撮像して検出した複数の欠陥の中から一つ以上の欠陥を抽出し、前記欠陥の分類クラスを教示し、欠陥の画像情報と分類クラスとから分類基準と分類性能を算出することを繰り返し行い、最終的に得られた分類基準に基づいて未知の欠陥の分類クラスを判断する。
【効果】
少数の適切な欠陥の教示で分類性能を向上することが可能となり、ユーザの欠陥教示の負担を軽減しつつ、高い分類性能を確保できる。 （もっと読む）

【課題】試料分析装置において、観察しようとする試料に形成されたデバイスに含まれるプラグや配線構造をはじめとする試料特定箇所に、単一または多数系統の外部電圧を印加し、デバイスをオン・オフさせたときの構造、組成、電子状態の変化を分析できるものにおいて、試料を自由に回転・傾斜させることを可能にする。
【解決手段】試料傾斜機構を備えた試料ホルダ本体を有する試料分析装置において、サンプルキャリアは、第一の固定部材と、第二の固定部材と、前記第一の固定部材と前記第二の固定部材とを接続する変型可能な接続部と、当該接続部上に形成され前記第一の固定部材と第二の固定部材とを導通させる単一または多数の配線構造と、を備える。前記試料傾斜機構を操作して傾斜角を調整し、試料ホルダ本体先端に設けた回転ピボットを中心に試料ホルダ本体を回して回転角を調整する。 （もっと読む）

【課題】改良された電圧コントラストテスト構造を提供する。
【解決手段】テスト構造は単一のフォトリソグラフィステップ、単一のレチクルまたはマスクで製造され、電圧コントラスト検査中に特定の電位パターンを有するサブ構造１０２、１０４ａ〜ｇを含む。電子ビームがテスト構造にわたって走査されるとき、予期された輝度パターンが作られ、テスト構造の予期された電位の結果、画像化される。しかし電圧コントラスト検査中に予期されないパターンの電位が存在するとき、これは欠陥がテスト構造内に存在することを示す。異なる電位を作るために、サブ構造の第１セット１０２は、大きい導電パッドのような比較的大きい導電構造１１０に結合され、サブ構造の第１セットは、比較的大きい導電構造に結合されないサブ構造の第２セットよりもより遅く帯電する。 （もっと読む）

【課題】基準パターンを活用して基準データをもとにして各種の計測条件を自動設定することができるパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターンに荷電粒子線を走査して検査対象パターン画像を生成し、検査対象パターン画像の画素の位置を置き換えることで回転した画像を取得する生成手段と、検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、セル検査を用いて、基板表面に存在する欠陥を容易かつ高精度に検出することができる基板表面の検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に複数の材料を含む基板１０上の欠陥３２を検査する基板表面の検査方法であって、
前記複数の材料のうち少なくとも２種類の材料のコントラストが所定範囲内となるようにランディングエネルギーが設定された電子ビームを、前記基板の表面に照射する電子ビーム照射工程と、
前記基板から発生した電子を検出し、前記２種類の材料からなるパターンが消去された又は薄くなった状態で前記基板の表面画像を取得する工程と、
取得された該表面画像において、背景画像と区別できるコントラストを有する対象物の像を、前記欠陥３２として検出する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精度および効率に優れたパターン検査装置、パターン検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】上下方向に互いに隣接する複数層にそれぞれ形成されたパターン同士の相対的位置関係に依存するプロセス上の危険度に応じて欠陥検出のための閾値を変える。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置のメモリマット部の最周辺部や、繰り返し性の無い周辺回路まで高感度に欠陥判定できる検査技術を提供する。
【解決手段】
繰り返しパターンを有する複数のダイで構成された回路パターンの画像を取得する画像検出部、取得した検出画像について、繰り返しパターンの領域とそれ以外の領域とに応じて加算対象を切り替えて参照画像を合成し、検出画像と比較して欠陥を検出する欠陥判定部、検出された欠陥の画像を表示する表示装置を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィーのための物体の検査を可能にし、短い全長を有する反射型顕微鏡を提供する。
【解決手段】物体平面内での物体を検査する反射型Ｘ線顕微鏡であって、物体は、波長＜１００ｎｍ、特に、＜３０ｎｍの光線で照明され、像平面に拡大して結像され、第１鏡と第２鏡とを含み、物体平面から像平面までの光路内に配置される第１副系とを備える。反射型Ｘ線顕微鏡が光路内で第１副系に後置されて少なくとも第３鏡を有する第２副系を含むことにより特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】欠陥及び欠陥座標３３の特定が可能な欠陥レビュー装置を提供する。
【解決手段】検査画像２８に基づいて、実パターン２８ａの輪郭をなす画素と輪郭の法線方向に並ぶ各画素との距離値を画素毎に設定した距離検査画像２９を生成する距離検査画像生成部５と、実パターン２８ａに対応する設計パターン２６ａの輪郭をなす画素と輪郭の法線方向に並ぶ各画素との距離値を画素毎に設定した距離設計画像２７を生成する距離設計画像生成部６と、画素毎に、距離設計画像２７と距離検査画像２９の距離値の差分を設定した距離差分画像３０を生成する距離差分画像生成部９と、距離差分画像３０に基づいて、欠陥２８ｂが発生している欠陥座標３３を特定する欠陥座標特定部１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線の形成後に、熱履歴に起因するビア不良を検出するビア不良検出構造を提供する。
【解決手段】 ビア不良検出構造は、半導体基板上の第１配線、前記第１配線の上方に位置する第２配線、及び前記第１配線と第２配線を電気的に接続する第１ビアを含むビアチェーン（１５）と、前記ビアチェーンの一端側に接続される検査領域（Ｃ）と、前記ビアチェーンを、前記半導体基板と電気的に接続するコンタクト領域（Ｂ）と、を含み、前記検査領域は、前記ビアチェーンの一端側から引き出され、前記第１配線よりも大きなサイズの引き出し配線（２２Ｃ、２３Ｃ、２４Ｃ）が前記ビアチェーンの第２配線よりも上層まで積層された多層引き出し配線と、前記多層引き出し配線を各層間で接続する引き出し配線ビア（３２、３３）とを含む。 （もっと読む）