【課題】複数の結晶相を有する試料についての各結晶相の割合と結晶子サイズとを短時間で同時に求める。
【解決手段】Ｘ線回折測定を行って被解析試料の実測回折パターンを得、その回折測定結果をリートベルト解析することにより近似計算式に含まれる各種パラメータを精密化するとともに、この精密化されたパラメータの値から上記被解析試料における各結晶相の割合（質量分率χ）と結晶子サイズ（結晶子径ｐ）とを算出するようにした試料の解析方法において、上記各種パラメータのうちの２次プロファイルパラメータに対して少なくとも最初の精密化処理を行う際に、上記２次プロファイルパラメータの中でも各結晶相の割合や結晶子サイズの算出結果に相対的に大きく影響するパラメータＵ，Ｘ，Ｙを、各結晶相のＵ同士，Ｘ同士，Ｙ同士がそれぞれ同一という制約条件の下で精密化する。 （もっと読む）

【課題】測定種別の選択と光学部品の交換作業とを関連付けて、交換すべき光学部品の情報を図を用いて画面に表示することで、測定準備作業を容易にする。
【解決手段】Ｘ線分析装置の測定準備作業に関連して、選択画面において、複数の測定種別の中からオペレータが所望の測定種別を選択すると、その測定種別に応じて、取り付けるべき光学部品及び取り外すべき光学部品の情報が、図を伴って表示装置の画面に表示される。オペレータは、その作業指示を見て、Ｘ線分析装置の光学系から光学部品を取り外したり、光学部品を取り付けたりする作業を実行する。図を伴って表示する形態には、交換すべき光学部品１６，１８の光学系上の位置を図示することや、取り付け作業と取り外し作業の区別を絵記号６９で表示することや、光学部品の識別マーク７０，７２を表示すること、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折の測定結果に悪影響を及ぼすことなく、ヒータの小型化が図れながら試料を加熱する均熱領域を広くできるＸ線回折装置を提供し、複数の試料に対して同時にＸ線回折測定が良好に行えるようにする。
【解決手段】試料が配置されるケーシング1と、ケーシング1内に配置された試料にＸ線を照射するＸ線照射器2と、試料を透過した回折Ｘ線を検出するＸ線検出器3と、ケーシング1内に配置され、このケーシング1内に配置された試料を加熱するヒータ4とを備える。ヒータ4は、試料に入射するＸ線（入射Ｘ線）の光軸の周りに、試料を囲むように配置する。ヒータ4は、試料を囲む筒状に形成したときは、筒部の中心軸が入射Ｘ線の光軸と平行となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】磁場発生部と、該磁場発生部を駆動する駆動部と、前記磁場発生部及び駆動部を三軸方向制御する方向制御部とを設け、磁場発生部の中心に配設された試料に、時間的に変動する磁場を任意の方向から印加可能とすることによって、小型で、既存の構造解析装置のアタッチメントとして使用することができ、微粒子が懸濁した試料によって擬単結晶状態を達成することができ、ｉｎ ｓｉｔｕで結晶構造の解析が可能となるようにする。
【解決手段】磁場発生部と、該磁場発生部を駆動する駆動部と、前記磁場発生部及び駆動部を三軸方向制御する方向制御部とを有し、前記磁場発生部の中心に配設された試料に、時間的に変動する磁場を任意の方向から印加して、前記試料中の微粒子を三次元配向させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折法において、基準ピークとなるようなピークが解析対象ピークの近傍に観測できないような場合にも適用できる結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線回折装置のＸ線受光器開口角が広い条件（without a receiving slit）と狭い条件（with analyzer crystal）とで、同一の反射指数（０００６）をもつ回折プロファイルのピークトップ点での回折強度値を測定し、開口角が広い条件における回折強度値に対する狭い条件における回折強度値の相対比の大小を評価することにより結晶の完全性や構造劣化の程度を判定する。 （もっと読む）

本発明は、220、143、又は270位のβサンドイッチ領域中に突然変異を有するp53の結晶に関する。この構造は、βサンドイッチ領域内に結合してタンパク質を安定化できるβリガンドを同定する、コンピューターに基づく薬剤設計のために使用することができる。 （もっと読む）

原子力発電所の伝熱面の表面から物質の試料を摘出し、試料の高解像度走査電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分光法と、試料の走査透過電子顕微鏡/制限視野電子線回折/スポット分析および元素マッピング分析との少なくとも1つを行うことをも含む、原子力発電所の伝熱面の表面上の堆積物中の結晶を分析する方法。
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【課題】スメアリング現象の発生を抑えることにより、超小角領域における試料からの散乱線を正確に捕えることができる超小角Ｘ線散乱測定装置を提供する。
【解決手段】試料Ｓから出射したＸ線を検出する検出器７と、Ｘ線実焦点Ｆと試料Ｓとの間に設けられたＸ線平行化ミラー１６と、ミラー１６と試料Ｓとの間に設けられたモノクロメータ２２と、試料Ｓと検出器７との間に設けられたアナライザ２３とを有する超小角Ｘ線散乱測定装置である。ミラー１６は、直交するミラー１６ａ，bを有する。ミラー１６ａ，bは多層膜ミラーであり、Ｘ線反射面は放物面形状であり、多層膜の格子面間隔はブラッグ条件を満足するように放物面に沿って連続的に変化している。モノクロメータ２２及びアナライザ２３はチャネルカット結晶によって形成される。アナライザ２３は２θ軸線を中心として走査回転し、アナライザで分光された回折線が検出器７によって検出される。 （もっと読む）

本発明は、１つ以上の化合物が濃度勾配に従って存在する溶液を含む１つ以上の結晶化チャンバを備えるマイクロ流体デバイスに関する。結晶化チャンバの形状によって、対流現象が制限される。また、本発明は、このデバイスの使用、詳細には液液拡散による結晶化における使用と、結晶化の方法とに関する。
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【課題】上記従来技術の現状を踏まえて、変形を受けたフェライト鋼板の変形組織を、迅速かつ大量に計測する方法を提供する。
【解決手段】変形されたフェライト鋼板のミクロ組織の評価において、走査電子顕微鏡を利用して得られる鋼板内部の反射電子像から、フェライト粒内に形成された転位セル構造の形態を示す二値化像を画像処理により抽出し、さらに、電子後方散乱回折法により得られる同一観察視野の結晶方位マップに、抽出された転位セル構造の形態を示す二値化像を重ね合わせることにより、フェライト粒ごとの転位セル構造の形成状態を結晶方位とともに可視化するフェライト鋼板の変形組織の評価方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶粒及び結晶方位を考慮した磁場解析を行い、多結晶磁性体の磁気特性を得ることができる磁場解析方法を提供する。
【解決手段】結晶粒の形状Ｄ１０、結晶方位Ｄ２０、単結晶の磁気特性Ｄ３０、励磁条件Ｄ４０のデータを入力し、まず結晶粒の形状に沿って多結晶体を空間メッシュに分割する（Ｓ１００）。次いで、結晶粒の結晶方位に基づいて座標変換を行って、単結晶の磁気特性を個々の結晶粒に入力可能にして、結晶粒ごとに磁場解析計算を実行する（Ｓ２００）。すべての結晶粒に対して計算が終了すると、磁束密度分布（Ｓ３００）と鉄損分布（Ｓ４００）とを取得する。その後平均化処理を行なって、結晶体としての磁束密度や鉄損分布を取得する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、硬組織についてより精密な評価を行ない、正確かつ迅速に骨粗鬆症の評価を可能とする骨粗鬆症の評価方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の骨粗鬆症の評価方法は、硬組織における結晶の配向性を分析することにより、骨粗鬆症の評価を行うこと特徴とする。本発明の骨粗鬆症の評価方法の好ましい実施態様において、さらに、骨粗鬆症の原因因子に応じて、骨粗鬆症の評価を行うことを特徴とする。また、本発明の骨粗鬆症の評価方法の好ましい実施態様において、原因因子が、原発性骨粗鬆症、又は続発性骨粗鬆症であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、硬組織についてより精密、かつ迅速な評価を行なうことを可能とする硬組織の評価方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の硬組織の評価方法は、硬組織における結晶の配向方位を決定し、当該配向方位の結晶の配向性を分析することを特徴とする。また、本発明の硬組織の評価方法の好ましい実施態様において、前記配向方位が、前記硬組織における結晶の配向方位の中で最大の配向方位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の試料でも、側面反射ラウエ法を用いて、確実に、単結晶材料の結晶方位測定する結晶方位測定方法及びその装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生装置１０からのＸ線を試料Ｓの測定表面に対して側方から入射して得られる反射Ｘ線回折像（ラウエ像）を、蛍光板３０とＣＣＤカメラ４０とから構成される検出器により検出する結晶方位測定装置において、検出器は、測定表面から得られる反射Ｘ線回折像が投射される方向に配置されると共に、その有感面（特に、蛍光板３０の表面）が、反射Ｘ線回折像が投射されるψ角方向に対して傾斜して設定することが可能であり、これにより、従来の側面反射ラウエ法の欠点を克服し、有感面を有効に利用してラウエ像による結晶方位の測定・検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ステージに対するIII−Ｖ族化合物半導体ウェハの相対位置を高精度に測定できる結晶方位測定方法及び結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】この結晶方位測定方法では、まず、オリエンテーションフラットＯＦが設けられたIII−Ｖ族化合物半導体ウェハＷをステージＳの表面Ｓａ上に載置する。次に、III−Ｖ族化合物半導体ウェハＷの主面Ｗａの法線方向から見て、オリエンテーションフラットＯＦ上の第１の点Ｐ_１とステージＳの表面Ｓａにおける基準直線ＳＬとの第１の距離Ｄ_１と、オリエンテーションフラットＯＦ上の第２の点Ｐ_２と基準直線ＳＬとの第２の距離Ｄ_２とを測定する。その後、オリエンテーションフラットＯＦにＸ線Ｘ１を照射し、オリエンテーションフラットＯＦからの回折線Ｘ２によってIII−Ｖ族化合物半導体ウェハＷの所定の結晶方位を測定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線及び中性子線等の放射線の回折ピークを高精度且つ短時間で検出可能とする試料位置調整装置、放射線回折装置及び放射線回折法を提供する。
【解決手段】ゴニオメータに搭載された試料（結晶）１０を、ピエゾ素子３４により振動させながらＸ線の回折ピークを探索する。回折ピークが検出されない場合はピエゾ素子３４に印加する交流電圧の振幅を大きくする。また、回折ピークが検出された場合は、ピエゾ素子３４に印加する交流電圧の振幅を小さくするとともに、中心電圧を変更する。 （もっと読む）

【課題】微細Ｘ線ビームを試料に照射するＸ線装置において、ＸＹＺφステージ上の試料位置を正確な位置に調整する。
【解決手段】Ｘ線ビーム２’をＸＺ面に入射し、Ｘ軸を移動して回折Ｘ線２ａ強度が急変するＸ座標Ｘ１、Ｘ２を基準として試料１面内の位置を決定する。また、Ｚ軸廻りに１８０度φ回転をした前後に読み取られる座標Ｘの値Ｘ' _ob、Ｘ_obの差ΔＸを求め、ΔＺ＝ΔＸ・ｔａｎθ／２（θは入射角）としてＺ軸をΔＺ補正する。ＸＹ面と試料表面１ａがずれていると、Ｚ軸廻りの回転によりＸ線ビームの位置がＸ軸に対してずれる。このずれは回転前後に読み取られる座標の差ΔＸとして観測されるので、このずれを補正することができる。 （もっと読む）

【課題】タンパク質結晶のスクリーニングにおいて、従来より光学検査やＸ線回折技術が用いられてきたが、いずれにも欠点・制限がある。そこで、試験サンプル内のイン・サイチュー結晶形成の評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】光撮像及びＸ線回折技術の両方が利用され、これら処理の結果が組み合わされて、収穫及び後続するＸ線結晶学のための結晶材料の適性に関する全体スコアを求める。 （もっと読む）

【課題】結晶サイズの異なる各種の試料に対しても精度の高い測定が可能となるＸ線結晶構造解析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線結晶構造解析装置は、発生するＸ線を所定の位置において点状に絞り込む集光ミラー１１を備えており、Ｘ線発生装置１０から発生したＸ線を、ゴニオメータ２０に備えた試料ホルダ上に保持された試料Ｓに照射してその結晶構造を解析するが、更に、Ｘ線発生装置１０とゴニオメータ２０との間の相対的な距離を可変するための手段として、距離可変手段を移動用レール（ガイド）１５，２４を、その一方又は双方に設け、低分子の大きな結晶を含む各種の試料に対しても精度の高い測定を可能にした。 （もっと読む）

【課題】分解能の高い光電子観察画像を得るために、試料上で、オージェ電子分光分析による分析部位と光電子観測部位との位置合わせが容易な光電子顕微鏡装置を得る。
【解決手段】紫外光またはＸ線を試料（１４）の表面に照射することにより発生する光電子を電子レンズ系（９、１０）により結像して試料表面を観察する光電子顕微鏡装置において、オージェ電子励起用の電子線源（１４）と電子検出器（７）とを有し、電子線源（１４）で生成された電子線を電子レンズ系（９、１０）にて集光し、試料（１４）の表面に照射する。 （もっと読む）