【課題】 結晶方位の解析方法において、方位測定誤差を吸収できるとともに、測定点数の増加を招来しない効率の良いデータ処理方法を提供する。
【解決手段】 電子後方散乱回折により所定距離間隔の格子状測定点を測定した結晶方位データを、コンピュータによってデータ処理する結晶方位の解析方法であって、前記結晶方位データを用いて隣り合う測定点の方位差を演算し、得られた方位差を予め定められた閾値と比較することにより結晶粒界を求めるステップと、同一結晶粒内の前記結晶方位データを用いて、同一結晶粒内の各測定点について、各測定点の周囲の所定範囲内にある測定点との結晶方位データの平均を算出することにより、平均化された結晶方位データを求めるステップと、同一結晶粒内の前記平均化された結晶方位データを用いて、同一結晶粒内の方位差を演算するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内に実装された半導体チップの反り応力を、パッケージを破壊することなくＸ線を用いて測定する方法と装置およびプログラム等を提供する。
【解決手段】単結晶基板をパッケージ材料で封止した部品にＸ線を照射し、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を前記パッケージ材料越しに検出し、前記検出ステップの結果を用いて前記単結晶基板の応力を求める。 （もっと読む）

本発明は、(ａ)支持構造体(１０８)の第１の面上に配置されている第１の材料層(１１０)であって、この第１の材料層はこれに入射荷電粒子(１０４)が当るのに応答して二次電子を発生するように構成されているとともに、開口(１１２)を有しており、この開口は入射荷電粒子の一部がこの開口を通過するように構成されている当該第１の材料層と、(ｂ)支持構造体の第２の面上に前記第１の材料層から例えば、０．５cm以上の距離だけ離間されて配置されている第２の材料層であって、この第２の材料層は、荷電粒子が前記開口を通過してこの第２の材料層に当るのに応答して二次電子を発生するように構成されている当該第２の材料層とを具える装置、システム及び方法を提供するものであり、装置は荷電粒子検出器とする。
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【課題】高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダを提供することを課題とする。
【解決手段】図（ａ）に示すように、ヒータ収納凹部２１へヒータ１５を入れ、下蓋１４を被せ、第２ボルト３５で固定する。これで、（ｂ）に示す形態のヒータ付き試料ホルダ１０が完成する。
【効果】Ｘ線透過部材３１は金属であるため、皺が寄ったり劣化する心配が無く、繰り返し使用することができると共に高温にも耐える。したがって、本発明によれば、普通のＸ線回析計測装置を用いるにも拘わらず高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダが提供される。 （もっと読む）

本発明は、特に低分子有機物質、例えば、薬物または薬物製品を特徴づける（キャラクタリゼーションする）方法を提供する。この方法は、固体低分子有機物質を短波長でのＸ線全散乱分析にかけるステップと、それによって生成されたデータを収集するステップと、データを数学的に変換し、洗練されたセットのデータを提供するステップとを含む。
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【課題】立方晶系の結晶構造を持つ金属材料に対して塑性歪を測定する。
【解決手段】結晶構造が立方晶系である金属材料の被測定部材、あるいは測定部材より採取した試験片の同一視野における変形前と変形後の結晶方位分布を取得する（Ｓ４，Ｓ７）。任意の結晶方位測定点と隣接する結晶方位測定点間における変形前と変形後の結晶方位分布より変形前と変形後の格子歪を求める（Ｓ５，Ｓ８）。変形前と変形後の格子歪から結晶内に蓄積した塑性歪を測定する（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子線回折像を用いて、微小な結晶粒の結晶方位解析を可能にし、また、解析を自動化することにより、多点の結晶方位を迅速に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明は、電子線を試料に照射して透過電子を検出する透過電子顕微鏡において、前記透過電子顕微鏡は、前記試料の電子線回折像を撮像する電子線回折像撮像部と、前記試料の組成情報を取得する検出部と、前記電子線回折像から格子面間隔の情報を取得する解析部と、前記取得された組成情報と前記格子面間隔の情報から試料の同定を行う物質同定部と、前記同定された試料の情報から、前記試料の回折像を演算する演算部と、を有し、当該演算された回折像と前記電子線回折像とのずれ量に基づいて、前記試料の結晶方向を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小領域の硬さ分布を非接触で求める。
【解決手段】１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 （もっと読む）

【課題】接合された異種材料の界面を破壊することなく、その界面における結晶性物質の分析を行うことができるＸ線回折法を提供する。
【解決手段】異種材料の接合界面に存在する結晶性物質を同定するＸ線回折法で、次の過程を備える。異種材料の接合界面のうち、その断面が曲線で表される領域を分析対象面とする試料SをＸ線照射源10と回折線検出器30との間に配置する過程。照射源10から、分析対象面に対して、前記曲線の接線方向にＸ線52を照射する過程。このＸ線52の照射に伴って発生する回折線54を回折線検出器30で検出する過程。Ｘ線を分析対象面の接線方向に照射することで、非破壊状態の分析対象面から回折線を的確に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線ホログラフィ測定方法に関し、回折Ｘ線ホログラフィ測定と透過Ｘ線ホログラフィ測定の両方の測定を可能にする。
【解決手段】 測定部を有する基材の一の面に対する他の面にＸ線を吸収するＸ線吸収膜と、前記測定部に対応する前記他の面に、前記Ｘ線吸収膜を貫通する第１の開口と、前記Ｘ線吸収膜と前記基材と前記測定部位に隣接する領域とを貫通する第２の開口と、前記第２の開口の上方に設置される前記結晶片とを有する測定用試料の一の面に対する他の面からＸ線を照射し、前記測定部からの回折光と前記結晶片からの回折光を前記一の面側に位置する検出面で重ね合わせ、前記重ね合わせにより形成された干渉縞をホログラムとして分析する。 （もっと読む）

【課題】温度変化を伴って所定角度範囲のＸ線測定を繰り返して行う場合に、Ｘ線測定の中断をできる限り抑えることができ、しかも、得られた測定結果の分析を正確且つ迅速に行えるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】試料にＸ線を照射したときにその試料から出たＸ線をＸ線検出器によって検出するＸ線分析装置である。温度変化曲線３９に従って試料温度を変化させながら、Ｘ線回折測定を行って２θ＝５°から２θ＝４０°の間で複数の回折線プロファイル３５を縦軸に沿って間隔をおいて複数描く。５°〜４０°の間で角度が増加する順方向移動時のＸ線強度データ３５（→）を角度座標軸（座標表示３６の横軸）上の５°から４０°へ向かって画面上で表示させ、角度が減少する逆方向移動時のＸ線強度データ３５（←）を同じ角度座標軸上の４０°から５°へ向かって画面上で表示させる。順・逆表示をスイッチアイコン４３によって切替えて表示できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】コヒーレント性を有するＸ線を、結晶性のある測定試料に照射することによって得られるスペックル状の回折光を用いて、該測定試料の結晶の不均一構造の分布を、容易に得ることができる方法を提供する。
【解決手段】コヒーレントなＸ線光を２分岐し、一方を、結晶性を有する測定試料に照射して得られたスペックル状の回折光と、他方のＸ線光を単結晶の参照結晶に照射して得られた回折光とを、二次元の検出器上で干渉させてホログラムパターンを取得し、このホログラムパターンに対してフーリエ変換を行って、該測定試料の結晶性の不均一性などの結晶構造に関する空間分布情報を得るようにする。こうすることで、スペックル状の回折光から直接、オーバーサンプリング法を用いた演算処理に比べ、容易に上記情報を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の歪みを容易に検出する。
【解決手段】ブラッグ反射条件から微小角ずれた条件でＸ線を結晶に照射し、結晶から透過するＸ線を検出し、透過Ｘ線が検出される位置の入射Ｘ線による軌跡からの変位に基づいて結晶の歪みを検出する。この条件で照射されたＸ線は結晶の歪みによって変位を受けるため、透過Ｘ線の位置を検出することで結晶歪みを検出可能である。結晶の縁または結晶ドメイン境界の近傍にＸ線を照射し、結晶の縁または結晶ドメイン境界に対応する位置に透過Ｘ線が検出されるか否かによって結晶の歪みを検出することが好適である。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線分析と熱分析との両方を同時に行う装置において、それらの分析の測定条件の関連を測定者が容易に、迅速に、且つ正確に把握でき、きめ細かな設定を可能にする。
【解決手段】 Ｘ線分析装置による測定と熱分析装置による測定とが同時に行われるＸ線分析及び熱分析同時分析装置において、Ｘ線分析測定のための測定所条件を記憶するＸ線条件記憶メモリと、熱分析測定のための測定条件を記憶する熱条件記憶メモリと、画像信号に従って画面３３上に画像を表示する画像表示装置とを有し、熱条件記憶メモリに記憶された熱分析測定条件を示す折線グラフＴ及び、Ｘ線条件記憶メモリに記憶されたＸ線分析測定条件を示す複数の縦線Ｘの両方を、画面３３上に同時に表示する。折線グラフＴは温度変化曲線であり、隣接する一対の縦線Ｘは１回のＸ線分析測定が行われるタイミング及び時間を示している。 （もっと読む）

【課題】高精度で安定して金属材料の継続使用の可否を評価することが可能な金属材料のクリープ損傷評価方法及びクリープ損傷評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試験材料のクリープひずみ量と結晶方位分布との相関を予め求めておき、調査材料の結晶方位分布を測定して、予め求められた相関に当てはめることで調査材料のクリープひずみ量を推定する。推定された調査材料のクリープひずみ量を、試験材料が加速クリープ域に到達するひずみ量と比較することで、調査材料の継続使用の可否を判断する。 （もっと読む）

本発明は、薬物候補の合成中に小分子断片の成長を導くことに寄与するように抗体−タンパク質標的相互作用から得られる接触残基情報を使用することを含む、創薬のための改良された方法に関する。特に、本発明は、リード最適化中に小分子断片の成長を誘導し、それにしたがって標的タンパク質の生物活性を変化させ得る小分子化合物を生成するための、抗体−タンパク質標的相互作用から得られる原子構造情報の使用に関する。
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【課題】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングを行うこと。
【解決手段】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングが、標的物質の溶液を、微細製作された流体デバイスの複数のチャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内に同時に導入することによって達成される。次いで、この微細製作された流体デバイスは、チャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内の溶液条件を変更するように操作され、それによって、多数の結晶化環境を同時に提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】結晶サンプルの電子線回折トモグラフィのための方法及びデバイスであって、サンプル３８の別個の場所４２、４３毎にビームが収束するようなビーム走査プロトコルと組み合わせて、サンプルの複数の別個の場所にわたる電子ビームの走査を利用して、一連の電子線回折パターンを入手し、テンプレートマッチングを用いて、結晶方位及び厚みマップを特定し、共通の強度スケールファクターを入手する。 （もっと読む）

【課題】 高い中性子吸収能を有する中性子吸収体およびこれを用いた原子力発電装置用制御棒を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素質焼結体を用いた中性子吸収体１であって、炭化硼素質焼結体中のグラファイトの含有量が１質量％以上１０質量％以下である中性子吸収体１とする。また、このような中性子吸収体１を用いた原子力発電装置用制御棒とする。これらにより、相対密度が高い炭化硼素質焼結体が得られるので、相対密度と比例関係にある中性子吸収能を高くすることができるとともに、圧縮強度も高くなるので、耐久性が向上し、ひいては安全性を高めることができる。 （もっと読む）