【課題】
サブnmから数10nmの厚さの表面結晶層、あるいは、薄膜結晶の結晶構造、結晶ドメインサイズ、および、方位の異なる複数の結晶ドメインが存在する場合のドメインの割合を迅速に解析するための装置である。
【解決手段】
試料の表面とX線のなす角を制御する入射角変更機構、その機構の高さを調節する台、試料の高さを調節する台、２次元検出器、２次元検出器用の支持台、および試料ホルダから構成される超微細構造体のX線迅速構造解析装置。 （もっと読む）

【課題】後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）パターンの磁場歪みを修正すること。
【解決手段】後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）パターンの磁場歪みを修正する方法が提供される。最初に、ＥＢＳＤパターンが、電子顕微鏡内に配置された試料から生成される。顕微鏡内の磁場の所定の表現が用いられ、顕微鏡内の電子の軌道が異なった出現角度に対して計算される。次に、計算された軌道を用いて、顕微鏡の磁場が実質的に存在しない場合のＥＢＳＤパターンを表現する、修正されたＥＢＳＤパターンが、計算される。 （もっと読む）

【課題】
固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。
【解決手段】
溶液と固体との界面に界面に存在する２次元超微細構造体および１次元超微細構造体に、0.1 nm以下の短波長X線を表面から数°以下の角度で入射させ、生じる回折X線を２次元X線検出器に記録し、これらの超微細構造体からの回折X線強度を逆格子空間において可視化し、その構造を迅速に解析する。 （もっと読む）

【課題】 各種のトポグラフィとロッキングカーブ測定法が一台の装置で可能なＸ線単結晶評価装置を提供する。
【解決手段】 単結晶試料ＳＭを保持してＸ線発生装置３０から出射されるＸ線を照射して回折Ｘ線を生じるＸ線回折部２０と、Ｘ線回折部において試料で回折したＸ線を受光するＸ線検出部１００とを備えたＸ線単結晶評価装置は、Ｘ線発生装置から出射して単結晶試料に照射される光路部４０の一部に、結晶コリメータ４７が選択的に挿入可能なコリメータ４５を備え、かつ、Ｘ線検出部は、Ｘ線ＴＶ１１０とシンチレーションカウンタ（ＳＣ）１２０とを備えており、このＳＣは移動可能で、その移動位置によってアナライザ結晶１２１が挿入可能である。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造に関するより多くの情報を効率的に取得することのできる結晶評価装置および結晶評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる結晶評価装置１００は、試料を載置するための試料台１０と、前記試料台１０に載置された試料３２にＸ線を照射するためのＸ線源１２と、前記試料３２に照射されることにより生じた回折Ｘ線を検出するＸ線検出部１４と、前記試料３２にレーザ光を照射するためのレーザ光源１６と、前記試料３２に照射されることにより散乱したラマン散乱光を分光する分光器１８と、前記分光器１８が分光したスペクトルの強度を検出する光検出部２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造に関するより多くの情報を効率的に取得することのできる結晶評価装置および結晶評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる結晶評価装置１００は、試料３２を載置するための試料台１０と、前記試料台１０に載置された試料３２にＸ線を照射するためのＸ線源１２と、前記試料３２に照射されることにより生じた回折Ｘ線を検出するＸ線検出部１４と、前記試料３２にレーザ光を照射するためのレーザ光源１６と、前記レーザ光を偏光する第１の偏光子３４と、前記試料に照射されることにより散乱したラマン散乱光を偏光する第２の偏光子３６と、前記第２の偏光子で偏光されたラマン散乱光を分光する分光器１８と、前記分光器が分光したスペクトルの強度を検出する光検出部２０と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、プロテインキナーゼＣ（ＰＫＣ）θ、特に、ＰＫＣθの触媒ドメインの立体構造に関する。結晶学で製造するための、ＰＫＣθ触媒ドメインの発現方法、精製方法および結晶化方法を提供する。ＰＫＣθとインヒビターの複合体の原子座標もまた提供する。 （もっと読む）

【課題】 マクロな領域での配向度を的確に評価し得る配向度評価方法を提供し、全体の配向度が高く、着磁特性等に優れた希土類焼結磁石を実現する。
【解決手段】 希土類合金粉末が圧縮成形された成形体またはその焼結体を奇数個に等分割し、中央部分の分割片と最外部の分割片についてＸ線回折を行った後、ロットゲーリング法により各分割片の配向度を算出して配向度のばらつきを評価する。算出に際しては、各回折ピークのＸ線回折強度についてベクトル補正を行う。希土類焼結磁石においては、中央部分の分割片と最外部の分割片において、ベクトル補正して算出される配向度の差を１．５％以下とする。 （もっと読む）

【課題】 高解像度の格子歪み評価方法及びその評価装置を提供する。
【解決手段】 結晶材料に電子線を照射し，その透過波強度と回折波強度とのコントラストから前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価方法において，（１）前記結晶材料の複数の結晶面に対して，格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を，前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第１の工程と，（２）前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から，最適な結晶面と，前記電子線入射方位とを選択する第２の工程と，（３）前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し，前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて，前記格子歪みの程度を評価する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２方位のみの測定で結晶格子面傾斜角を精度よく測定することを目的とする。
【解決手段】ペンシル状Ｘ線ビームを含む面であるδ回転面に沿って回折点を通るδ回転軸と直交し、被検体である結晶の被検査面に略垂直なｚ軸と略同軸に設定されたφ回転軸回りにＸ線源、Ｘ線検出器及びδ駆動部を一体でφ回転させてδ回転面を所定角度に設定し該所定角度でδ回転を行ったときのＸ線検出器のピーク出力を与えるδ回転量の読み値から結晶の格子面法線の前記φ回転軸に対する傾斜角を計算するデータ処理部と、試験用結晶片をλ回転可能に保持しそのλ回転軸が上記ｚ軸と平行になるよう試験用結晶片３１をｚ駆動部９に取付ける治具３３とを有し、上記データ処理部は上記λ回転の１８０度異なる２つの位置に対する上記試験用結晶片３１の上記傾斜角のそれぞれの計算値から上記ｚ軸の上記φ軸に対する設定誤差を計算する。 （もっと読む）

【課題】誰でも容易、且つ確実にしかも微小試料を損傷することなく捕集し、そのまま試料を効率よく冷凍でき、Ｘ線構造解析などに悪影響を及ぼすことがない、構造が簡単な捕集具を提供すること。
【解決手段】グリップの先端部にループを設けた微小試料捕集具であって、ループ内に、エレクトロンスピニング法により、１００〜２００ｎｍの微細径の合成繊維からなる網状物を形成した微小試料捕集具、その製造方法および該微小試料捕集具を用いた微小結晶構造解析方法。 （もっと読む）

【課題】
非破壊検査による検査・試験パスの短縮を図り例えば薬剤開発期間の短縮、しいては製造・品質の安定化を図った分子構造複合同定装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、被検試料載置板１６に載置された同じ被検試料１７に対して０．５ｍｍ以下の直径に制限したＸ線ビームと赤外線・可視光・紫外線の何れか一つあるいは複数の波長ビームを照射する照射光学系（１，１２；２，２２，１１）と、前記被検試料から得られるＸ線回折パターン及び前記被検試料から放出される反射光又は散乱光を検出する検出光学系（９；１１，３，５）とを備え、前記被検試料から同時または連続して少なくともＸ線回折スペクトル及び可視光による反射光像を検査できるように構成した分子構造複合同定装置である。 （もっと読む）

Ｘ線光学装置は、光学装置と、Ｘ線ビームの一部を選択的に遮る調整可能なアパーチャとを含む。調整可能なアパーチャは、光学装置と試料との間に配置され、光学装置と一体化されるか、又は光学装置に近接して配置される。調整可能なアパーチャにより、ユーザがＸ線の収束を容易かつ効果的に調整できるようになる。このようにすることで、可能性のある測定をすべて考慮した最大収束を有する光学装置を使用し、アパーチャを調整して特定の測定に合わせた収束を選択することにより、Ｘ線光学装置の光束及び解像度を最適化することができる。
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【課題】
新たな斜め入射補正式を考案し、従来の補正精度を上回る精度を得る。
【解決手段】
Ｘ線構造解析における回折Ｘ線の検出器への斜め入射時の強度を、cosνに加えてf(0)/f(ν)を乗ずることにより補正する斜め入射強度補正法であって、f(ν)が所定の式で表される。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）で示される３−（Ｎ−メチル−Ｎ−ペンチル）アミノ−１−ヒドロキシプロパン−１，１−ジホスホン酸一ナトリウム塩一水和物（イバンドロネート）の新規な結晶多形に関するものである。
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【課題】相対距離および軸線の交差精度だけでなく角度の精度制御を必要とするＸ線計測および検査で用いる位置決め装置を提供する。
【解決手段】それぞれが構台（３４）にそって可動な２個の離間された平行な線形アクチュエータ（３２、３６）を含む装置により、Ｘ線源（２４）、検出器（２６）および試料（２０）が互いに位置決めされる。線源（２４）および検出器（２６）は、アクチュエータ（３２、３６）により垂直方向に、回転アクチュエータ（２８、３０）により回転して移動可能である。同等の配置も説明されている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶試料の結晶方位を高精度に測定する。
【解決手段】 後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。
【解決手段】単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、第１と第２の入射Ｘ線源をそれぞれ、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミュニケートさせ、所定の第１の放射波長のＸ線を前記第１のＸ線源から選択し、所定の第２の放射波長のＸ線を前記第２のＸ線源から選択し、ここで第１の放射波長と第２の放射波長は相互に異なっており、選択されたＸ線を前記ウェハ上の測定スポットにフォーカスし、前記ウェハから反射された第１と第２のＸ線を受信し、受信された第１の波長の反射Ｘ線と第２の波長の反射Ｘ線に基づいて、温度測定中のウェハのシフト運動または撓みを考慮してウェハの格子定数を検出し、格子定数によって決定されたウェハの温度を求める。 （もっと読む）

【課題】 単結晶試料又は配向性が高い多結晶試料であっても、電子後方散乱回折像のコントラストを改善することができる方法を提供する。
【解決手段】 試料の観察領域以外の領域にイオンビームを照射して結晶性を劣化させた劣化領域を形成する（ステップＳ１２）。その後、劣化領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１３）。さらに、試料の観察領域における電子後方散乱回折像を撮像する（ステップＳ１４）。最後に、各回折像の間で、同一画素毎に回折強度の差を算出することにより回折像のコントラストを改善する（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】 試料台に対する水晶板の姿勢に関わらず、正確に水晶板のカット面の評価を行うことが可能なカット面検査装置、及びカット面検査方法を提供する。
【解決手段】結晶格子面に対して所定の角度でカットされた試料を支持する試料台と、試料台を回転させる回転手段と、試料で回折したＸ線の回折Ｘ線を検出するＸ線検出手段と、検出する反射レーザビーム検出手段と、検出された反射レーザビームに基づいて、基準水平面に対するカット面のカット面実角度を検出するカット面実角度検出手段と、カット面実角度を用いて、基準水平面に対する試料台の回転角を補正する補正手段と、補正された回転角、及び検出された回折Ｘ線に基づいて、カット面の評価を行う評価手段と、を備える。 （もっと読む）