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Fターム[2G046DB04]の内容

流体の吸着、反応による材料の調査、分析 (10,319) | ヒータに関する回路 (289) | 消費電力の低減に関するもの (37)

Fターム[2G046DB04]に分類される特許

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【課題】苛酷な環境条件下であっても計測精度の良い湿度検出装置を提供することにある。
【解決手段】電子回路基板1と、前記電子回路基板の一方の面に実装された湿度検出素子2を有し、前記湿度検出素子の全体と前記電子回路基板の一部を空気に晒して空気中の湿度を検出する湿度検出装置において、前記湿度検出素子が実装されている面と同一面に複数の加熱抵抗体3が実装され、前記加熱抵抗体は、前記湿度検出素子の周囲に設けた。 (もっと読む)


【課題】ガス種の判定ロジックを改良し、検知性能を維持しつつ低消費電力化を実現しようとするガス検知装置を提供する。
【解決手段】通常時にあっては干渉ガスまたは検知対象ガスの有無を検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれるか否かを判定し、さらに干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれる場合には干渉ガスを燃焼させる温度であってガス感知層が検知対象ガスのみを検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて検知対象ガスの有無または濃度を判定するガス検知装置とした。 (もっと読む)


【課題】検出対象ガスの有無及び濃度の検出を行うに、非検出対象ガスの影響を排除し、消費電力の低減を図ることができながらも、ガス漏れ発生から警報を発するまでの時間を短くして検知応答規定時間内に警報を発することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ガス検知装置であって、筐体の外部に存在する検出対象ガスが筐体の内部に設けられたセンサ素子に到達してガス検知層にて検出対象ガスが警報すべき濃度以上存在することの検出が可能となる下限時間の検知応答時間と、筐体の外部に存在する検出対象ガスを筐体内のガス検知層にて検出することが必要とされる時間の検知応答規定時間とに関して、ガス種を判定するガス種判定手段による判定結果に基づいて、検出タイミングが、検知応答時間以上かつ検知応答規定時間よりも短く設定された時間帯内となるように、通常周期を変更する通電周期変更手段を備えた。 (もっと読む)


【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 (もっと読む)


【課題】高感度、長寿命という優れた特徴を有するガス感知体を、さらには、ガス選択性を容易に付与することが可能なガス感知体を、容易に製造することができるガス感知体の製造方法及びガス感知体並びにガスセンサを提供する。
【解決手段】本発明のガス感知体の製造方法は、半導体微粒子を含む分散液から分散媒を除去することにより、未焼結状態の半導体微粒子堆積物を生成し、次いで、この半導体微粒子堆積物に絶縁性物質形成成分を含む溶液を浸透させて絶縁性物質形成成分から絶縁性物質を生成させ、半導体微粒子及び絶縁性物質を含むガス感知体を得る。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層81を4個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層81によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層81はガス感知層53と同じ材料とし、歪感知層81とガス感知層53とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 (もっと読む)


【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極7間にバリスタ(R)等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極7を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO2層を形成する際に、図示のようにSnO2を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ(R)等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】 電池駆動が可能で、水素と区別してメタンを選択的に検出でき、経時安定性の高いガスセンサを提供する。
【構成】 シリコン基板に設けた空洞上へ突き出した 支持層上に、ヒータ層と電極層とを設けて、ガス検出用の金属酸化物半導体膜で被覆する。金属酸化物半導体膜は、酸化第2スズと、酸化第2スズ100重量部当たり1〜6重量部のPtとを含み、膜厚が5〜40μmの第1層と、酸化第2スズと、酸化第2スズ100重量部当たり1〜6重量部のPdとを含み、膜厚が15〜60μmで、前記第1層を被覆する第2層とからなり、第1層と第2層との膜厚の合計が20〜80μmである。 (もっと読む)


【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層7を、第1層としてドナーとなる+5価または+6価の元素を添加したSnO2層9、その上の第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層10の、2層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第2層10における触媒添加量を10wt%を超え60wt%以下とすることにより、水素ガス選択性,メタンガス選択性ともに向上させる。 (もっと読む)


【解決課題】 ガスセンサの駆動モードにおいて、消費電力の低下を図ることを目的とする。
【解決手段】 ヒータを内蔵し間欠的に駆動する半導体式ガスセンサを用いた検出方法であって、前記ヒータを駆動(S1)させて前記ガスセンサの温度を第1の温度に一定時間保ち、前記ガスセンサのクリーニングおよびその時のガスセンサの電気抵抗値の変化から予備検知(S3)を行い、該予備検知(S3)の結果によって、前記一酸化炭素[CO]が存在する可能性がある場合は、ガスセンサの温度を前記第1の温度より低い第2の温度になるようヒータを駆動(S4)して、または、ヒータを切って本検知(S6)を行い、前記COの存在可能性が無い場合は、前記ヒータの駆動を停止(S7)することよりなる薄膜ガスセンサのガス検出方法である。 (もっと読む)


【課題】フィルタ層の剥離やクラックの発生を防止した長寿命の薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】
ヒータ層に通電する2本のヒータリードと、所定のガスを感知する感知層電極とを接続する2本の感知層リードを備えたダイヤフラム構造の薄膜センサにおいて、各ヒータリードおよび各感知層リードは、ダイヤフラムを構成する貫通孔の軸心に対して放射状に、かつ、この軸心を支点として各リード間の成す角を所定の角度以上、好ましくは30度以上広げて位置付けた。 (もっと読む)


【課題】ガス検出室内のオフガスに生じる、半径方向の温度差を小さくし、オフガスを加熱するヒータの消費電力を抑えるとともに、ガス検出室内でのオフガスの結露を好適に防止する水素センサを提供することを課題とする。
【解決手段】ガス検出室25を形成する有底の円筒型のケース20の開口部を閉塞するベース部33に縁部33aを形成し、ベース部33を、縁部33aを介して結露防止ヒータ51で加熱する。そして、ガス検出室25内のオフガスを、ケース20の半径方向の温度差を生じないように、ベース部33で加熱する構成とした。 (もっと読む)


【課題】安価かつ簡易な構成により調節作業の高精度化および機械化を実現し、性能および生産性の向上を共に図る薄膜ガスセンサを提供する。また、このような薄膜ガスセンサを搭載して性能および生産性の向上を共に図るガス漏れ警報器を提供する。さらにまた、このような薄膜ガスセンサの調節作業を行う薄膜ガスセンサ設定調節装置および薄膜ガスセンサ設定調節方法を提供する。
【解決手段】設定調節部7は、ヒータ層3、設定調節部7およびシャント抵抗8により形成される直列回路に電源を供給したときのヒータ層3およびシャント抵抗8を通じて取得された情報に基づいて、デジタルポテンショメータ71の抵抗値を変化させて設定調節部7の合成抵抗値を増減させて、ヒータ層3が最適出力をするように設定調節された薄膜ガスセンサ100,200,300とした。 (もっと読む)


【課題】電池を電源とする臭い検知装置において、本質的な所から電力消費の低減を図る。
【解決手段】ヒータと感ガス体を有する金属酸化物半導体ガスセンサを用い、時刻Toで測定スタートスイッチが投入されるとまず高温加熱モードTHに入り、感ガス体を高温加熱するために所定周期で相対的に大きな値のオンデューティの電流パルスPWでヒータを駆動する。その後、被検知対象ガスを検知するために電流パルスPWのオンデューティを低減させて低温加熱モードTLとする。ヒータ電源制御部はさらに、時刻To直後においては低温加熱モードTL下におけるよりもさらに小さなオンデューティで、かつ上記の所定周期よりも短い周期の電流パルスPWでヒータを駆動し、突入電流Ih-sの大きさを抑える。ヒータの熱抵抗の上昇に伴い、電流パルスPWの周期を長くして高温加熱モードTH下における所定周期と相対的に大きな値のオンデューティに近付けて行く。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡便かつ容易にセンサ素子の異常を判定することができるとともに、精度よく正確に検出対象ガスの有無及び濃度を検出することができる技術を提供する。
【解決手段】支持基板上に、検出対象ガスとの接触により電気抵抗値が変化するガス検知層、ガス検知層を加熱するヒータ層を形成したセンサ素子と、ヒータ層への通電駆動を断続的に行ってガス検知層の温度を低温状態と高温状態との間で変化させる通電駆動手段と、高温状態に変化したときのガス検知層の電気抵抗値に基づいて、検出対象ガスを検出するガス検出手段とを備えたガス検知装置であって、通電駆動手段によるヒータ層への通電駆動の開始から電気抵抗値が安定化するまでの電気抵抗値の低下状態に基づいて、ガス検知層が異常状態であると判定する異常状態検出手段を備えた。 (もっと読む)


【課題】検知対象ガスに感応するセンサ素子の周辺温度の変化に拘わらず、当該センサ素子の動作温度を所定の温度に保つことのできるガス検知装置を提供する。
【解決手段】検知対象ガスに感応して電気抵抗値が変化するガス感応層1、及びガス感応層1を加熱するヒータ層2が形成されたセンサ素子10と、ヒータ層2への通電を通電状態と通電停止状態との2状態間で制御するヒータ制御手段4と、センサ素子10の周辺温度を検出する温度検出手段5と、ガス感応層1の電気抵抗値及び周辺温度に基づいて、検知対象ガスを検出するガス検出手段6と、周辺温度に基づいて、ヒータ層2が通電状態に駆動される際の駆動電力を制御する駆動電力制御手段7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、検出対象ガスの有無及び濃度の検出を行うにあたり、消費電力の低減を図りつつ、より正確な検出対象ガスの有無及び濃度を検出できる技術を提供する。
【解決手段】ガス検知層及びこれを加熱するヒータ層を形成したセンサ素子と、ヒータ層への通電を断続的に行う通電駆動手段と、ヒータ層通電時のガス検知層の電気的特性に基づいて検出対象ガスを検出するガス検出手段とを備え、電気的特性が本検知移行基準値と比較して所定の変動をした場合に、通電駆動手段がヒータ層への通電時間を予備検知通電時間から本検知通電時間に延長して検出対象ガスの検出を行うガス検知装置において、予備検知通電時間内の電気的特性に基づいてガス検知層の雰囲気中に存在するガス種を判定するガス種判定手段を備え、ガス種判定手段による判定結果に従って、本検知移行基準値を決定する基準値決定手段を備えた。 (もっと読む)


【課題】本発明は、一つのパルス通電により加熱される一つのセンサ素子(ガス検知層)の電気抵抗値を用いて、検出対象ガスおよび湿度の検出を行い、装置構成の簡略化、消費電力の低減を図りつつ、より正確な湿度を検出できる技術の提供を提供する。
【解決手段】検出対象ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、及びガス検知層を加熱するヒータ層を形成したセンサ素子と、ヒータ層への通電を断続的に行って、ガス検知層の温度を変化させる通電駆動手段と、ヒータ層通電時のガス検知層の電気的特性に基づいて、検出対象ガスを検出するガス検出手段とを備えたガス検知装置であって、ヒータ層への通電を停止してから再度通電が開始されるまでのヒータ層通電停止時のガス検知層の電気的特性を用いて、検出対象ガスが含まれる被検出ガスの湿度を検出する湿度検出手段を備える。 (もっと読む)


【課題】酸性ガスを確実に除去するとともに十分な反応速度を確保し、長期間にわたり高い応答性を実現した可燃性ガス検出装置を提供する。
【解決手段】検出空間212を有するケース体20と、検出対象ガスのうち酸性ガスを吸着する無機化合物を主体とする無機化合物フィルタ60と、無機化合物フィルタ60を通過した検出対象ガスのうち雑ガスおよび酸性ガスを吸着する活性炭を主体とする活性炭フィルタ30と、所定の時間間隔でパルス通電を行ってオンとオフを繰り返す間欠駆動がなされて、検出対象ガスのうち可燃性ガスに感応して検出信号を出力する薄膜ガスセンサ10と、を備える可燃性ガス検出装置1とした。 (もっと読む)


【課題】消費電力が少なく熱絶縁性・熱衝撃に優れた耐久性を有するガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部11および加熱手段を設けた被支持基板部10が、複数の架橋部20によって支持基板部30に支持してあるガス検知素子Xであって、1つの架橋部20では、被支持基板部10に対する架橋部20の延出方向と、支持基板部30に対する架橋部20の延出方向とを、異なる方向に設定してある。 (もっと読む)


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