【課題】従来のヒーターでガス感応膜を高温に保持しガス濃度検出を行うダイヤフラム構造ガスセンサにはヒーター温度を測定する機構が設けられておらず、ヒーター抵抗値が一定範囲内に収まるように、ヒーター構成材料膜厚及びヒーターパターン幅を高精度で作製し、一定電力をヒーターに供給する手法で温度一定化を図っていた。このため、ヒーターパターン形成工程要求精度高であり、作製困難であった。
【解決手段】二種の物質で構成された熱電対の温接点をダイヤフラム上のヒーター近傍に形成し、周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成したヒーター温度を測定するサーモパイルを設ける。
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【課題】エアベースの変動に伴う誤動作を軽減することができるガス警報器を提供すること。
【解決手段】ガスセンサ３の検出電圧が警報濃度設定レベルを超えた場合に警報を報知するガス警報器であって、一定時間毎に前記ガスセンサ３のセンサ抵抗を測定し、測定されたセンサ抵抗のうちの最大値を記憶する測定・記憶手段１６４−１と、所定期間経過毎に、所定期間の経過時に記憶されたセンサ抵抗の最大値が、当該所定期間の１つ前の所定期間経過時に記憶されたセンサ抵抗の最大値より小さいか否かを判定する判定手段１６４−２と、当該所定期間の前記センサ抵抗の最大値が当該所定期間の１つ前の所定期間のセンサ抵抗の最大値より小さいと判定された場合、当該所定期間のセンサ抵抗の最大値に応じて警報濃度設定レベルを変更する警報濃度設定レベル変更手段１６４−３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】感応層と電極との接合強度を高めるようにしたガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアガスセンサのセンサ素子１は、絶縁基板１０と、この絶縁基板１０上に設けた接着層２０と、この接着層２０上に設けた一対の櫛歯状電極３０、４０と、この一対の櫛歯状電極３０、４０を介し接着層２０上に設けた感応層５０とを備えている。ここで、一対の櫛歯状電極３０、４０は、所定量のウイスカーを含有する電極材料でもって作製され、感応層５０は、所定量のウイスカーを含有する感応材料でもって作製されている。従って、ウイスカーによるアンカー効果が一対の櫛歯状電極３０、４０と感応層５０との間に発揮される。 （もっと読む）

【課題】水素等の可燃性ガスの影響及びＮＯx等の酸化性ガスの影響を低減することができ、従来に比べて臭気ガスに対する検知精度及び検知感度の向上を図ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、矩形状の平面形状を有し、シリコン基板２の上面に絶縁被膜層３が形成され、この絶縁被膜層３には、発熱抵抗体５が内包されるとともに、その上面には密着層７およびガス検知層４が形成された構造を有する。ガス検知層４は、金属酸化物半導体としてのＳｎＯ₂を主成分とし、さらに、少なくともＶ₂Ｏ₅と、Ｉｒとを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の特定ガス成分のうち、ある一つの特定ガス成分を他の特定ガス成分より優先的に検出可能なガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、環境気体中の複数の特定ガス成分の濃度変化を検出する第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂと、内部に第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂを収容し、ガス導入口９１が形成されたケース９０と、ガス導入口９１を閉塞するフィルタ膜８０とを備える。
複数の特定ガス成分のうち他に対して検出優先度が求められる特定ガス成分を第１ガス成分とし、第１ガス成分に対応した感ガス膜を第１感ガス膜１１ｂとし、環境気体がガス導入口９１の重心Ｃ０を通過してから各第１〜３感ガス膜１１ｂ、１２ｂ、１３ｂに達するまでの距離を通気最短距離Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３としたとき、通気最短距離Ｄ１は、通気最短距離Ｄ２、Ｄ３よりも短い関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体ガスセンサの濃度特性の直線性を改善する。
【解決手段】対象ガスに感応して電気抵抗値が変動する感ガス体１１１と、感ガス体１１１に対して直列に接続された分圧抵抗１１２と、感ガス体１１１に対しては並列に、分圧抵抗１１２に対しては直列に接続された並列抵抗１１３と、分圧抵抗１１２、感ガス体１１１または並列抵抗１１３の両端間の電圧を示す信号を外部へ出力する出力端子１１５とを備える半導体ガスセンサ１１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】手軽に使用可能であって、半導体ガスセンサの劣化による測定精度の低下を抑制することができるガス組成測定器を提供する。
【解決手段】呼気中の対象ガスの濃度を推定して呼気の組成を測定する測定処理を繰り返し行う呼気組成測定器１００を提供する。呼気組成測定器１００は、呼気に曝露される位置に設けられ、対象ガスに感応して値を出力する半導体ガスセンサである測定用センサ１０６と、測定用センサ１０６を校正するための第１〜第３の校正係数を記憶する記憶部１１０と、時間を計るタイマ１０９と、ＣＰＵ１０５とを有する。ＣＰＵ１０５は、二回目以降の測定処理の各々において、測定用センサ１０６の出力値と、第１〜第３の校正係数と、前回以前の測定処理に係る測定期間の長さと、今回の測定処理の開始以前に終了している非測定期間の長さとを用いた演算により、呼気中の対象ガスの濃度を推定する。 （もっと読む）

【課題】水素等の可燃性ガスの影響及びＮＯx等の酸化性ガスの影響を低減することができ、従来に比べて臭気ガスに対する検知精度及び検知感度の向上を図ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、矩形状の平面形状を有し、シリコン基板２の上面に絶縁被膜層３が形成され、この絶縁被膜層３には、発熱抵抗体５が内包されるとともに、その上面には密着層７およびガス検知層４が形成された構造を有する。ガス検知層４は、金属酸化物としてＳｎＯ₂とＩｎ₂Ｏ₃の少なくとも２種と、Ｉｒとを含む。 （もっと読む）

【課題】素子形状等による感度及びガス検知の応答性への影響を抑制するセンサ装置を提供する。
【解決手段】素子３００をケース２００内に収容して備え特定ガスを検出する装置１００であって、ケース２００は素子３００を収容している凹形状をなす収容部２１１を有するケース本体部２１０と、天板２２１を有すると共に本体部２１０に装着されて収容部を閉塞している内蓋部２２０と、内蓋部２２０を覆って内蓋部の天板の外表面との間に対象ガスを導く間隙を形成している外蓋部２３０とを備え、内蓋部２２０の天板２２１は、収容部２２１内に収容された素子３００に向かって突出して形成されると共に素子３００に近い側の端部に測定対象ガスを導くガス流通口を形成してなる筒状部２２２を備え、その端部に、ガス流通口を閉塞する形態でフィルタ２２４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】被測定ガスである酸化性ガスのＮＯ_２を吸着することなく、有機シリコーンガスを選択的に吸着させることができるようにして、センサの感度や応答特性の低下を防止し、センサ性能の長期安定を図る。
【解決手段】 ケース２０の内部に、酸化性ガスに感応するガスセンサ素子５０を収容し、ケース２０には同ガスが同センサ素子５０に接触可能のガス導入口２３がある。同ガスを同センサ素子５０に接触させてその濃度を検出する構成のガスセンサ１で、被測定ガスが、ガス吸着フィルタ７１を通過して同センサ素子５０に接触する構成のガスセンサで、ガス吸着フィルタ７１に、挟雑ガス吸着剤として、ＴｉＯ_２粉末を含ませてなるものを用いた。ＴｉＯ_２粉末を含ませてなるガス吸着フィルタ７１は、ＮＯ_２を吸着することなく、有機シリコーンガスを選択的に吸着、除去するから、酸化性ガスの検知感度がよくなる。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘ってガス選択性を有する半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部２と、ガス感応部２を被覆する触媒層３とを備える半導体式ガス検知素子Ｒｓであって、触媒層３は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物を含む金属酸化物半導体に、セリウム、スズ、アルミニウム、ランタン、ニオブ、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、ネオジム、ガドリニウム、バナジウム、シリコン、マグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属元素を固溶させた金属複合酸化物を含有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な演算を伴うことなく、還元性ガスを検出する。
【解決手段】ヒータコイル１２への電圧印加を電圧印加サイクルに従って１サイクル変化させた場合におけるセンサ素子１０の出力信号Ｖｓを取得する。この取得したセンサ素子１０の出力信号Ｖｓから極値出現時刻検知部２４によって極値出現時刻を取得する。ガス種特定部２５によって極値出現時間記憶部２３に記憶された還元性ガスのガス種毎の極値出現時間に対応した値と、極値出現時刻検知部２４が検知した最初の極値の出現時刻に対応した値とを比較して還元性ガスのガス種を特定する。 （もっと読む）

【課題】ガス感応層（ＳｎＯ_２層）の導入孔を大きくし、ガス感応層（ＳｎＯ_２層）内部におけるガスの浸透能力を向上させた薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一対の感知電極層５１，５１を渡すように電気絶縁層４上に設けられるガス感応層５２は、電気絶縁層４の表面に対して傾斜する多数の傾斜柱状晶５２１を成長させることで導入孔５２２が多数形成されるような層とした。大きくなった導入孔５２２を通じてガスがガス感応層５２の内部へ浸透し、検出能力を高める。 （もっと読む）

【課題】基板表面の研磨残渣を除去し、清浄な基板表面を得る基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素（ＳｉＣ）研磨材などで研磨されたアルミナ基板を、５００〜８００℃に加熱された炭酸ナトリウムと炭酸リチウムとを混合した溶融塩中へ含浸することにより、アルミナ基板表面に存在する無機研磨材の残渣を除去する。その後、無機研磨材の残渣が除去されたアルミナ基板表面に、白金又は白金合金による薄膜電極及び白金又は白金合金によるヒータを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ガス検知層が剥離することを防止するとともに、絶縁性の密着層を介したガス検知層と検知電極との電気的な接続を図り、特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガス検知層４とシリコン基板２および絶縁被膜層３，２３０から構成される基体１５との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。この密着層７を絶縁性金属酸化物から構成されており、ガス検知層４の特性に対し影響を与えない。そして、検知電極６のガス検知層４と対向する側の面６１は全面、ガス検知層４と当接することで、ガス検知層４と検知電極６とが電気的に接続され、特定ガスの濃度変化に応じて変化するガス検知層４の電気的特性が良好に検知される。 （もっと読む）

【課題】ガス漏れ警報機能及び不完全燃焼警報機能を併せ持つガス警報器において、点検を実施する際に誤作動を防止することができるガス警報器を提供すること。
【解決手段】点検モード時に、メタンガスの代用となる水素ガスと一酸化炭素ガスとを含む点検用ガス中の一酸化炭素ガス濃度に応じた感知素子３ａ出力を検出する点検用一酸化炭素ガス濃度出力検出手段１１Ａと、検出した一酸化炭素ガス濃度が不完全燃焼警報濃度に達した否かを判定する点検用一酸化炭素ガス濃度判定手段１１Ｂと、不完全燃焼警報出力手段１１Ｃと、点検用ガス中の水素ガス濃度を検出する点検用水素ガス濃度出力検出手段１１Ｄと、点検用水素ガス濃度判定手段１１Ｅと、ガス漏れ警報出力手段１１Ｆと、点検時のヒートサイクルを通常モード用ヒートサイクルより短縮するように変更するヒートサイクル変更手段１１Ｇとを備えている。 （もっと読む）

【課題】狭小部や可動部に容易に配置することのできる、物質検知センサを提供すること。
【解決手段】可撓性を有する絶縁層２を形成し、互いに間隔を隔てて対向配置される第１電極３Ａおよび第２電極３Ｂと配線７とからなる導体パターン８を、絶縁層２の上に形成した後、導電性層４を、特定のガスの種類および／または量に応じて、膨潤する割合が変化する導電性材料から、絶縁層２の上に、第１電極３Ａおよび第２電極３Ｂ間にわたって、形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成を追加することでセンサ特性に与える影響を最小限に抑えつつガス感応層とガス選択燃焼層との接合強度を増大させ、パルス駆動時の昇温・降温による歪みに影響されにくくした薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気絶縁層４・一対の感知電極層５１，５１・ガス感応層５２を覆う島状あるいは網目状の接合層５３と、この接合層５３を介して一対の感知電極層５１，５１の一部・ガス感応層５２の全部・これらの周囲の電気絶縁層４の一部を覆うように設けられるガス選択燃焼層５４と、を備えるような薄膜ガスセンサ１とした。そこで、接合層５３を薄くして島状あるいは網目状に形成する製造方法を採用した。 （もっと読む）

【課題】ＧＣオーブン内で水素等の可燃性ガスの漏洩により爆発などの危険な事態が生じることを防止するためのシステムを提供する。
【解決手段】ガス検出システムの一例はガスクロマトグラフオーブンと、ガス検出器と、試料ガス移動デバイスと、フロー検出器とを備えている。ガス検出方法の一例は上記オーブンから試料ガスを流出させる工程と、その流量が最小値以下であるかどうかを判定する工程と、上記試料ガス中の、可燃性ガスなどの第１のガスの濃度が最大値以上であるかどうかを判定する工程とを備えている。上記流量または上記濃度がエラー状態を示すかまたは限界値から外れている場合、警報応答が開始される。上記警報応答には、上記第１のガスの上記オーブンへの流れを遮断し、安全ガスなどの第２のガスを上記オーブンに流すことが含まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２感知膜成膜前の下地面を平坦化して凹凸部の高低差を減少させ、柱状晶間が粗になる部分を極力少なくしてＳｎＯ_２感知膜の抵抗値のバラツキを低減させた薄膜ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイアフラム構造のＳｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に多層構造の支持層２，３，４，を介して形成されたヒータ層５と、ヒータ層５の上にＳｉＯ_２絶縁膜６を介して形成された一対の感知膜電極７と、これら一対の感知膜電極７にかかるように成膜されたＳｎＯ_２感知膜８と、を有する薄膜ガスセンサにおいて、感知膜電極７を、研磨加工により平坦化処理したＳｉＯ_２絶縁膜６の表面に形成する。 （もっと読む）