【課題】においの原因となる物質の濃度を制御し、においの原因となる物質を安定的に供給することが可能なガス供給装置を提供することを目的とする。
【解決手段】においの原因となる物質２０を収容する収容部２と、収容部２から放出された物質２０をキャリアガスにのせて供給する第１配管３１と、希釈ガスを供給する第２配管４１と、第１配管３１から供給された物質２０を含むキャリアガスと第２配管４１から供給された希釈ガスとが混合された混合ガスを供給する第３配管４２と、収容部２の質量を測定する測定装置６と、収容部２の質量の時間変化に基づいて、収容部２から放出された物質２０の量を演算する演算装置７と、演算装置７で演算された物質２０の量に基づいて、混合ガス内の物質２０の濃度が所望の濃度になるように、第１配管３１内を流れるキャリアガスの流量と第２配管４１内を流れる希釈ガスの流量とを制御する制御装置８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 有機媒体を使用することなく、簡便に金属の回収を可能とする金属の回収方法を提供する。
【解決手段】 キレート剤が水性媒体に不溶化可能なｐＨ条件下で、前記キレート剤と検体との混合液を調製し、前記混合液中で、前記キレート剤と前記検体中の金属との錯体を形成する。そして、前記混合液から前記錯体を回収し、さらに、前記不溶化可能なｐＨ条件とは異なるｐＨ条件下で、回収した前記錯体を水性媒体に溶解して、金属を回収する。この方法によって、有機媒体を使用することなく、簡便に金属を回収できる。 （もっと読む）

【課題】 有機媒体を使用することなく、簡便に金属の回収を可能とする金属の回収方法を提供する。
【解決手段】 第１キレート剤が水性溶媒に不溶化可能なｐＨ条件下で、前記第１キレート剤と検体との混合液を調製し、前記第１キレート剤と前記検体中の金属との第１錯体を形成する。前記混合液から前記第１錯体を回収し、第２キレート剤水溶液と、前記第１錯体の混合液を調製し、前記第１錯体由来の金属と前記第２キレート剤との第２錯体を形成する。前記水溶液は、前記第１キレート剤が不溶化可能なｐＨ条件とする。そして、前記混合液から前記第２錯体を含む液体画分を回収することで、金属を回収する。これによって有機媒体を使用することなく、金属を回収できる。 （もっと読む）

【課題】一定の鉛ボタンのプレス形状が得られ、試料の分析結果及び作業効率が良好となる鉛ボタンの処理装置及び鉛ボタンの処理方法を提供する。
【解決手段】ホルダーに設けた略円錐状の鉛ボタンを略プレート状にプレスするプレス部と、プレス部で略プレート状にプレスされた鉛ボタンを秤量する秤量部とを備えた鉛ボタンの処理装置。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＢ抽出に必要な試薬量の大幅な低減による低コスト化、ＰＣＢ抽出処理の簡便化、迅速化、高効率化等を実現することができるＰＣＢ抽出装置、並びにこれを用いた、ＰＣＢ検出装置及びＰＣＢ検出方法の提供。
【解決手段】本発明のＰＣＢ抽出装置は、絶縁油中に含まれるポリ塩化ビフェニル（ＰＣＢ）を抽出するＰＣＢ抽出装置であって、前記絶縁油を分解する第１のキャピラリーカラムと、前記第１のキャピラリーカラムにより分解された前記絶縁油からＰＣＢを抽出する第２のキャピラリーカラムとを有してなり、前記第２のキャピラリーカラムが、内部に前記絶縁油を流通させる流路と、前記絶縁油に含まれるＰＣＢを抽出するＰＣＢ抽出層とを有する。 （もっと読む）

【課題】試料に負担をかけることなく、かつ極めて簡便に、試料表面から放出されるガスを精度高く採取および測定する装置を提供する。
【解決手段】試料から放出されるガスに含まれる測定対象成分の該ガスに対する濃度を測定する測定装置であって、試料の一部を覆う容器と、既定濃度のマーカー成分を含みあるいは含まず、かつ含まれる成分の濃度が既知であるキャリアガスを容器に供給する流路と、既定の供給体積のキャリアガスを供給する手段と、容器内のキャリアガスと試料から放出されるガスとの混合ガスに対する測定対象成分の濃度およびマーカー成分の濃度を測定する濃度測定手段と、キャリアガスの供給体積値と、キャリアガス中の測定対象成分の濃度およびマーカー成分の濃度と、濃度測定手段により測定される容器内の測定対象成分およびマーカー成分の濃度の測定値とから測定対象成分の濃度を算出する濃度算出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ガス発生源から発生するガスを、外からのガスが混入することを防ぎつつ採取する装置を提供する。
【解決手段】 収容口から試料の一部を収容し、前記試料の他の部は収容しない状態で、収容している前記試料の一部から放出されたガスを採取する採取容器を有するガス採取装置において、
前記採取容器を収容する外容器を有し、
前記外容器は、前記採取容器と前記外容器と間に流動物質を供給するための供給口を有することを特徴とするガス採取装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱により濃縮される試料液体に不純物が混入することを抑制可能な加熱濃縮装置、及び加熱濃縮方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液体試料１１を収容し、かつ上端２５Ａに液体試料１１の蒸気が通過する第１の開放面２５ｂを備えた容器本体２５、及び容器本体２５の上端２５Ａに設けられ、液体試料１１の蒸気が通過する第２の開放面２６ａを備えた注ぎ口２６を有する加熱濃縮用容器１２と、容器本体２５の上端２５Ａに第１の開放面２５ｂを塞ぐように配置されると共に、第２の開放面２６ａとの間に排出部２９を介在させて、第２の開放面２６ａと対向する蓋体１４と、加熱濃縮用容器１２を加熱する加熱手段１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ 線分析装置において高精度な分析結果を得る方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板を酸蒸気に暴露する工程と、酸蒸気に暴露された前記半導体基板の表面の不純物を酸溶液で走査回収する工程と、前記走査回収した酸溶液を前記半導体基板上で濃縮乾燥させ濃縮乾燥物に変える工程と、前記濃縮乾燥物を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第一の測定値を得る工程と、前記半導体基板を酸蒸気に暴露する工程の後に、前記半導体基板上で前記濃縮乾燥物の位置とは異なる位置を全反射蛍光Ｘ線分析で測定し第二の測定値を得る工程と、前記第二の測定値を用いて前記第一の測定値の精度の確認を行う工程とにより半導体基板の分析を行う方法。 （もっと読む）

【課題】所定の雰囲気中の汚染状態を精度よく評価することが可能な汚染評価方法を提供する。
【解決手段】汚染状態を評価する雰囲気中に鏡面加工仕上げされた表面を有するへき開性物質からなる基板を持ち込んでへき開し（へき開工程）、へき開面をそのまま雰囲気中に所定時間暴露した後、へき開面を表面分析して汚染評価物質を検出する（定量分析工程）。評価する雰囲気中にへき開性物質からなる基板を持ち込んでへき開するので、汚染評価物質が表面に存在していないへき開直後の面が雰囲気中に暴露されることになる。そして、そのへき開面を分析して汚染評価物質を検出するので、評価する雰囲気中から付着した汚染評価物質のみが検出されることとなり、雰囲気中の汚染状態を精度よく評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】特段の準備作業を要することなくＳＶＯＣを含む化学物質を捕集することができる化学物質捕集装置を提供する。
【解決手段】化学物質捕集装置１は、チャンバー３と空気清浄機２０と捕集ポンプ２２とを備える。チャンバー３は、立方体形状であり、外板１０と内板１１とを有し、内板１１の内側には仕切り板１３が並設される。仕切り板１３の内面は捕集空間１６を区画し、仕切り板１３の外面と内板１１の内面とは空気供給路１７を区画する。仕切り板１３には、全域に多数の微細孔１５が均等に形成される。空気清浄機２０によって空気供給路１７へ供給される清浄化された空気は、多数の微細孔１５を介して６方向から捕集空間１６へ流入し、捕集空間１６の中心部に集まり、捕集管２３を介して捕集ポンプ２２によって捕集される。捕集空間１６に設置された試料２から放散される化学物質は、この空気の流れに乗って捕集される。 （もっと読む）

【課題】任意温度や任意雰囲気に置かれた材料に光照射して放散される化学物質放散量が測定可能な気体測定用装置を提供する。
【解決手段】被測定物５を設置するガス拡散容器１と、被測定物に光を照射する光照射手段２と、受光部位を可変可能とする機能を備えた遮光手段３と、被測定物温度を制御する温度制御手段４と、ガス拡散容器１にガス供給するガス供給手段６と、供給ガスを流量制御する流量制御手段７とガス捕集手段８を備える構成とすることにより、雰囲気や温度および供給気体流量などを変化させ光照射した時の被測定物５からの放散ガスを捕集することができる。 （もっと読む）

少なくとも１つのポンプと、質量流量センサと、周囲温度センサと、周囲圧力センサと、前記質量流量センサの温度を測定する温度補償センサと、制御システムとを備える安定した空気流量を維持するための流量調整システムが開示され、前記流量調整システムを用いて流量を測定するための方法、サンプリング装置と、濃縮トラップ１と、較正およびチューニングモジュールと、ブランクモジュールと、前記流量調整システムと、クロマトグラフィーユニットと、検出ユニットとを備える気相と粒子相との両方における空気中に存在する空気により運ばれる化合物を監視するための装置、ならびに前記監視装置を用いて空気流中の空気により運ばれる化合物を検出するための方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】たばこ煙に特異的存在するニコチン、エテニルピリジンを測定対象とすることを特徴とし、分子拡散作用で捕集することを特徴とする高性能の空気質測定用パッシブサンプラーを提供する。
【解決手段】環境中でたばこ煙に特異的に存在するニコチン、エテニルピリジンを分子拡散作用によるパッシブ法で捕集するために、スチレン・ジビニルベンゼン共重合体/ポリジメチルシロキサンを吸着剤１とし、これを担体２に噴霧塗布した後、不活性ガス中で熱処理をした吸着ディスク３、ウィンドスクリーン５、吸着ディスク固定用スペーサー６を装着する。ＸＡＤ４吸収管を使用したアクティブ法（ＩＳＯ１８１４５）との対応により、サンプリングレートを算出し、高性能のパッシブサンプラーを提供した。 （もっと読む）

【課題】
多くの水分を含むヒト又は動物の呼気中のＶＯＣｓ成分を、乾燥や濃縮することなく、迅速に分析短時間に精度よく呼気を分析して、迅速に被験者（又は被験動物）の身体状態を調べることを可能にする方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
センサによってヒト又は動物の呼気分析をする方法であって、センサ表面の処理によって親水性、疎水性、荷電、導電性等を変えた複数のセンサを配設したセンサアレイを呼気と接触させて計測する。複数のセンサを配設したセンサアレイを備えていることで、呼気中の成分の量と種類による被験者（又は被験動物）の呼気のプロファイルを得る。呼気中のＶＯＣｓを構成する個々の分子種を分離同定をせずに、呼気成分のプロファイルを測定する （もっと読む）

【課題】本発明は、ポリシリコン等の膜を備える半導体基板がエッチング可能であるとともに、ウェーハ基材のエッチングを抑制できる半導体基板の分析方法を提供する。
【解決手段】本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。本分析方法によれば、微量の分析対象物の高感度な分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高精度な分析が可能な化学物質モニタ装置及び化学物質モニタ方法を提供する。
【解決手段】 試料ガス中の測定対象物質のイオンを生成するイオン源部３と、イオン源部に試料ガスを導入する導入配管２と、イオンの質量分析を行う質量分析部４と、試料ガスを希釈する乾燥空気を導入配管に導入する配管とを有し、イオン源部に導入される試料ガス中の水分濃度がほぼ１％以下となるように導入配管に乾燥空気を導入して、測定対象物質の検出を行う。
【効果】 水分濃度の管理により水分による感度低下を防ぎ、定量精度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】スラリー中の金属分析方法を提供する。
【解決手段】次のステップを順次実施するシリコン研磨用スラリー中および研磨後スラリー中の金属分析方法：（１）シリコン研磨用スラリーまたは研磨後スラリーを、フッ化水素酸と硝酸により、第１の分解容器で溶解するステップと、（２）前記第１の容器を第２の容器に入れて、第１の容器と第２の容器の間に超純水を入れるステップと、（３）前記第２の容器をマイクロウエーブにより加熱するステップと、（４）第１の容器の溶液を加熱蒸発させて乾燥させるステップと、（５）乾燥残渣を酸に溶解して測定用試料を調整するステップと、（６）前記測定試料を用いて、金属分析するステップ。 （もっと読む）

本発明は、分析されるべき気体の濃度を判定するための気体分析装置を備える、半導体基板の輸送容器内の気体の汚染を測定するためのステーションであって、前記分析装置が、希釈係数（Ｄ）によって分析されるべき気体の流れ（Ｑ）を希釈するように構成された希釈ユニット（３）と、ポンピングによって希釈された気体の流れ（Ｑａ）をサンプリングするためにサンプリングパイプ（７）を介して希釈ユニット（３）と連通しており、サンプリングされた希釈された気体の流れ（Ｑａ）を分析し、前記分析された希釈された気体の流れ（Ｑａ）および希釈係数（Ｄ）によって分析されるべき気体の流れ（Ｑ）の濃度（Ｃ）を判定するための少なくとも１つの処理手段を備える分析ユニット（５）とを備える、気体の汚染を測定するためのステーションに関する。本発明はさらに、関連する気体分析方法に関する。
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