例えば呼気などの流体中のＮＯ濃度を決定する半導体デバイスが開示される。デバイス（１）は典型的に、有機半導体層（１４）内にチャネル領域（１６）を画成するように互いに離隔された一対の電極（１８）と、チャネル領域を制御するゲート構造（１０）と、チャネル領域に少なくとも部分的に重なる受容体層（２２）とを有し、受容体層は、ＮＯと錯体形成するＩＩＩ族からＸＩＩ族の遷移金属イオン又は鉛（Ｐｂ）イオンを含むポルフィン又はフタロシアニン配位錯体を有する。このような半導体デバイスは、ｐｐｂレンジのＮＯ濃度を検出することができる。
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マイクロ流体ベースのラボオンテストカードが記載されている。テストカードは、ポイント・オブ・ケア（ＰＯＣ）分析器で使用される。テストカードは、サンプルを受けとり、次いでＰＯＣ分析器を用いてサンプル中の特定の物質を定量化又はカウントするように設計されている。テストカードは、複数の層を具えてもよい。一実施例では、テストカードは、濾過表面、捕捉チャネル、及び粒子検出器を具える第一分離チャンバを具えている。テストカードは、ナノワイヤーセンサを具えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタを用いて極性分子を検出するガス検出方法において、極性分子を検出していない状態での有機電界効果トランジスタのドレイン電流を時間的に安定させること。
【解決手段】ガスセンサは、有機電界効果トランジスタ１と、有機電界効果トランジスタ１の有機半導体層１３に光を照射するＬＥＤ２と、により構成されている。有機半導体層１３はヘキサベンゾコロネン誘導体からなる。有機半導体層１３に光を継続的に照射することで、極性分子を検出していない場合の有機電界効果トランジスタ１のドレイン電流が時間的に一定となり安定する。そのためガスセンサの感度や信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】例えば電極とガス敏感性層との間の接触位置での縁部の引き千切れによって熱的に高度に負荷された構造部材の場合に生じる問題を解決する。
【解決手段】少なくとも１つの電極５およびガス敏感性範囲３を基板上に有し、このガス敏感性範囲３が少なくとも１つの導電性のガス敏感性層で被覆されており、電極５がガス敏感性層と接触している電子的構造素子の場合に、少なくとも１つの電極５の少なくとも一部分は、ガス敏感性範囲３の一部分を覆っている。
【効果】電極のよりいっそう大きな層厚または電極のための材料の変性、例えばよりいっそう僅かな比抵抗値により、ガス敏感性層と電極との間の界面での縁部の引き千切れを、例えば熱応力下に回避させることができる。 （もっと読む）

【課題】高機能化、高感度化が可能な有機半導体装置、検出装置および検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、有機半導体からなる活性層２０と、活性層２０にキャリアを注入するソース電極１６と、活性層２０からキャリアを受けるドレイン電極１８と、活性層２０の一面に設けられ、キャリアの伝導を制御するゲート電極１２と、活性層２０の前記一面と反対の面のソース電極１６とドレイン電極１８との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜２２と、を具備する有機半導体装置である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの感受性の構成部材（３）を有し、上記感受性の構成部材（３）上に熱的に残らず分解可能な材料からなるマスキング層（３１）を設け、上記感受性の構成部材（３）を上記マスキング層（３１）によりほぼ完全に覆い、上記マスキング層（３１）上に温度安定性の材料からなる保護層（３３）を設け、上記マスキング層（３１）を熱分解又は低温運転する酸素プラズマによって除去するセンサ素子（１）の製造方法に関する。本発明は、更に、少なくとも１つの感受性の構成部材（３）及び温度安定性の材料からなる保護層（３３）を有し、上記感受性の構成部材（３）は上記温度安定性の材料からなる上記保護層（３３）により覆われていて、上記感受性の構成部材（３）及び上記保護層（３３）は互いに間隔を空けて配置されている、センサ素子に関する。
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【課題】簡単な構造で自己診断機能を有するガスセンサを提供する。
【解決手段】２つの電界効果型トランジスタからなり、該２つの電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２４上にゲート電極を設け、該ゲート電極によりガスを検知するガスセンサ３０であって、一方の電界効果型トランジスタに設けられた第一ゲート電極５と、他方の電界効果型トランジスタに設けられた第二ゲート電極６と、前記第一ゲート電極５と前記第二ゲート電極６との間を配線により接続して同電位あるいは一定電圧差の直流電圧あるいは交流電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、前記第一ゲート電極５と前記第二ゲート電極６とは、それぞれ異なる金属からなるとともに、一方の電界効果型トランジスタと他方の電界効果型トランジスタの構造を同じにする。 （もっと読む）

【課題】流体の組成や構成の変化を高い時間分解能で検出し、空間における流体の変化を可視化する場合にも流体変化に対する応答性を高めることにある。
【解決手段】被測定流体をガス測定センサ１１に作用させて流体測定を行う流体測定手段２Ａ１〜２Ｆ１を複数有する流体測定器を設け、１つの流体測定手段２Ａ１〜２Ｆ１で行われる１回の流体測定に要する流体測定時間よりも短い設定時間毎に複数の流体測定手段２Ａ１〜２Ｆ１に順次、被測定流体を導入してそれぞれの流体測定手段２Ａ１〜２Ｆ１ごとに時間差をつけて流体測定を行う切り替え手段２８を設け、ある流体測定手段２Ａ１で流体の測定を行う間に、他の流体測定手段２Ｂ１〜２Ｆ１でも流体の測定を行うことができることにより、流体測定装置３０の計測時の時間分解能を高めることができ、これを用いた空間流体分布可視化装置１００により、流体変化に対する応答性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】気体状でまたは溶媒中の溶液に存在する有機リン化合物の電気的検出および／または定量のための方法とデバイスに関する。
【解決手段】半導体材料で隔てられたソース電極とドレイン電極とを備える電気デバイスにおいて、基Ｒと、３級アミンに空間的に近接している１級アルコールとを含み、前記１級アルコールが、有機リン化合物の存在下で前記３級アミンと反応することができる少なくとも１つの受容体分子が、基Ｒによって、電極(複数)の一方の上または半導体材料の上にグラフトされていることを特徴とする電気デバイスと、前記２つの電極間の正電荷の変化を検出するためのデバイスとを備える、有機リン化合物を検出および／または定量するためのデバイス。 （もっと読む）

【課題】性能が長期間安定して維持され、特性が安定して製造歩留りが高く、応答速度が大きいガスセンサを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の表面から内部へと設けられたｐ型領域６と、ｐ型領域の表面に配置された触媒３と、触媒３の上に位置するｐ側電極１１と、ソース電極２１およびドレイン電極２２と、基板内でｐ型領域に接してソースとドレインとを繋ぐｎ型チャネルと、半導体基板のｎ型領域の裏面に位置するｎ側電極１２とを備え、触媒３を介在させて、ｎ側電極とｐ側電極との間に電圧を加えて、ｐｎ接合１５に逆バイアス電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軽量小型で、防爆性を有する可燃性ガスセンサを実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】可燃性ガスセンサＧＳ１は、センサチップ１と、センサチップ１を搭載するステム２と、上部と側部とを有し、側部の最下部がステム２の外周と溶接された金属キャップ６とを含み、ステム２と金属キャップ６とによってセンサチップ１を囲んでいる。金属キャップ６の上部には、例えば直径が０．５〜３ｍｍの穴８が形成されており、金属キャップ６の内側にその穴８を覆う、例えば穴径が１〜４μｍ、厚さが０．３〜１ｍｍの防水透湿性素材９が断熱材１０によりかしめている。 （もっと読む）

本発明は、ガス反応層を備えた少なくとも１つの半導体素子（５）を有するセンサエレメント（１）であって、該センサエレメント（１）がフリップチップ法によってキャリヤ（３）上に固定され、センサエレメントのガス反応層がキャリヤ（３）に向いており、前記ガス反応層に、検査しようとするガスを供給するための手段が設けられている形式のものに関する。前記半導体素子（５）は被覆部（１１）によって包囲されている。また本発明は、センサエレメント（１）を製造するための方法に関する。本発明の方法によれば、ガス反応層がキャリヤ（３）に対面し、検査しようとするガスがガス反応層に供給されるように、ガス反応層を備えた半導体素子（５）を、フリップフリップ法によってキャリヤ（３）上に固定する。次いで半導体素子（５）を固定した後で被覆部（１１）を被着するようにした。さらに本発明は、このようなセンサエレメントを、内燃機関の排ガスライン内に使用する使用方法に関する。
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【課題】高い測定精度を可能にする、冒頭で述べた種類のガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ（１）は少なくとも１つの導電性のガス感知層（７）を有し、当該ガス感知層（７）は目標ガスと接触可能な表面領域（９）を有し、当該表面領域内での仕事関数は表面領域と接触している目標ガスの濃度に依存している。少なくとも１つの電気ポテンシャルセンサは、エアギャップ（８）を介して表面領域（９）に容量結合している。表面領域（９）は少なくとも１つの繰り抜き部によって構造化され、当該繰り抜き部内に、ガス感知層（７）と導電結合されている平坦な材料要素（１８）が配置され、当該材料要素の材料はガス感知層（７）の材料と異なり、且つ金属、および／または、金属を含有する化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】プラチナ膜をゲート電極に使用するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ型の水素ガスセンサにおいて、プラチナとゲート絶縁膜（酸化シリコン膜）との密着性を維持しつつ、高濃度の水素ガスにさらされても水素被毒を抑制できる特徴をもち、かつ、パラジウム膜をゲート電極に使用するＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ型の水素ガスセンサと同程度以上の水素応答強度を実現するデバイス構造を提供する。
【解決手段】ゲート構造において、プラチナ微結晶５間の結晶粒界６（粒界近傍領域７を含む）に酸素をドープした非晶質のチタン、プラチナ−チタン拡散層からなるＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を形成した構造とする。さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。 （もっと読む）

【課題】高い測定精度を可能にする、目標ガスの濃度を測定する方法を提供する。
【解決手段】目標ガスの濃度を測定する方法において、ガスセンサが準備され、そのガスセンサのセンサ信号２０は、一定の温度において目標ガス濃度２１に依存し、かつ第１のコントロール領域内では、第２のコントロール領域３０内におけるよりも小さい測定感度を有する。コントロール領域３０の位置は、温度に依存する。ガスセンサの温度は、センサ信号が目標ガス濃度に実質的に依存せず、かつ第２のコントロール領域３０内にあるように、制御される。その場合に、ガスセンサの温度が、目標ガス濃度２１のための尺度となる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの内部を利用したＣＮＴ−ＦＥＴセンサを提供すること。
【解決手段】ＣＮＴ−ＦＥＴセンサ１０は、基板１２上に形成された、両端部が開放されてチューブ状の端面が露出したカーボンナノチューブ１４と、該カーボンナノチューブ１４に接続して形成されたソース電極１６及びドレイン電極１８と、上記カーボンナノチューブ１４の上記開放された両端部が露出し且つ上記カーボンナノチューブ１４の少なくともソース−ドレイン間を覆うように形成された絶縁体２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属−半導体トランジスタ式の水素感知器及び、半導体プロセスと無電気メッキ技術を結合することにより、水素感知器を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースを形成するステップと、該半導体ベースに半導体緩衝層が設けられるステップと、該半導体緩衝層に半導体主動層が設けられるステップと、該半導体主動層に半導体ショットキー接触層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に半導体ハット層が設けられるステップと、該半導体ハット層にオーム金属接触電極層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に無電気メッキ技術でゲート電極とするショットキー金属接触電極層が設けられるステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】濃度０の場合に出力が０となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】１．Ａの有機電界効果トランジスタ１００は、導電性基板１０表面に絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の表面２０ｓを、疎水化処理をしたものと、しないものとで１組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで１組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層３０を形成する。導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。１組とした２つの有機電界効果トランジスタ１００の、ガス濃度０の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度０の場合に出力が０となる構成とできる。 （もっと読む）

【課題】流体における少なくとも一つの成分の存在及び／又は量を決定するための良好なセンサーデバイス、該センサーデバイスの製造方法、及びセンサーデバイスを使用した成分の存在及び／又は量の決定方法を提供する
【解決手段】本発明は、液体における少なくとも一つの成分の存在及び／又は量を決定するためのセンサーデバイス２０を提供する。センサーデバイス２０は、少なくとも一つのセンサーユニットを備え、該センサーユニットは、少なくとも一つの伸長されたナノ構造体８と、該ナノ構造体を囲む誘電材料９とを備える。誘電材料は、少なくとも一つの成分のうちの一つに関して選択的に透過性であり、誘電材量を通して浸透した成分を検出可能なようなものである。 （もっと読む）