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Fターム[2G088FF09]の内容

放射線の測定 (34,480) | 測定量 (4,792) | 放射線の種類 (4,057) | 中性粒子 (201) | 中性子 (183)

Fターム[2G088FF09]に分類される特許

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【課題】従来のHeガス中性子検出器と比べると、限られた発生源のHeガスを節約し、感度が高い低コスト中性子検出装置を提供する。
【解決手段】本検出器10は、内側体積部30を画定及び封止する外側シェル20と、内側体積部において外側シェルの少なくとも一部分上に配置された、中性子感度が高いボロン被覆部50とを含む。ボロン被覆部及び外側シェルの一方は、カソードとして機能し、内側体積部内に配置された中央構造物38は、アノードとして機能する。本検出器は、中性子感度が高いボロン被覆部に衝突する中性子に応答して、カソードとアノードとの間に電気エネルギーパルスを導く、内側体積部内のガスを含む。ガスは、3Heガスに衝突する中性子に応答してアノードにより受け取られる電気エネルギーパルスを発生させる。本方法は、中性子が3Heガスに衝突することにより、少なくとも1つの中性子を検出するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構造で放射線のエネルギを高精度に求めることができる放射線測定装置を提供する。
【解決手段】
放射線のもつエネルギを検出し、当該エネルギに相当する波高のアナログ電気信号を出力する化合物半導体検出器20と、当該検出器20から出力されたアナログ電気信号を増幅して出力する積分アンプ21と、この積分アンプ21からの出力信号を、あらかじめ設定されたサンプリング間隔でデジタル変換するA/Dコンバータ25と、デジタル変換された電気信号をデータ処理して、検出器に入力した放射線のエネルギを求める中央処理部(データ処理部)61と、を含む。積分アンプ21は、A/Dコンバータ25のサンプリング間隔よりも長い時間をかけて出力信号を放電するように時定数を設定してある。 (もっと読む)


【課題】中性子検出器のためのコーティングに使用される最適化されたホウ素粉末の提供。
【解決手段】ホウ素粉末がホウ素供給原料をジェットミル粉砕することによって作られた結晶性ホウ素粒子を含み、約75%超の結晶性ホウ素粒子が直径約1μm未満であり、約95%超の結晶性ホウ素粒子が直径約3μm未満であり、本質的に全ての結晶性ホウ素粒子が直径約15μm未満であるか、または、全ホウ素含有率が最小約97重量%であり、全ホウ素含有率に対する10B同位体の量が最小約98重量%である、ホウ素粉末に混入した可溶性残渣の量が7.00×10-4g可溶性残渣/gホウ素未満である、ホウ素粉末。 (もっと読む)


【課題】 機器に障害が発生しても適切に復旧して取得可能な情報を最大限取得する測定情報処理システム、放射線測定情報処理システム、測定情報処理プログラム、測定情報表示プログラム、及び測定情報処理方法を提供する。
【解決手段】 現在位置の位置情報を取得する位置情報取得装置22,32と、放射線量の測定情報を取得する測定装置24,29と、所定量の前記位置情報と所定量の前記測定情報を含む送信用情報を作成する測定装置プログラム14b(37b)と、電気通信回線を通じて前記送信用情報を送信する通信装置25,35と、前記通信装置25,35による電気通信回線との接続を開始し、前記送信用情報を送信し、該送信用情報を所定量送信すると電気通信回線との接続を切断し、前記接続開始から接続切断までの処理を繰り返して新しい前記送信用情報を次々に送信する通信プログラム14d(37d)とを有する測定情報処理システム1を提供する。 (もっと読む)


【課題】中性子検出用のホウ素コーティングを提供する。
【解決手段】中性子検出器10は、内部容積の境界を画定するシェル20を含む。中性子検出器10の一部は、カソードとして働く。検出器は、内部容積の中に位置付けられかつアノードとして働く中心構造を含む。検出器は、壁30の内側にあるホウ素コーティング60であって、中性子に対して感受性のあるホウ素コーティング60が形成されるように、ホウ素コーティング60の少なくとも一部がホウ素含有粉末から壁30に熱拡散されるホウ素コーティング60を含む。検出器は、中心構造によって収集された信号を送信するために、中心構造に動作可能に接続された電気コネクターを含む。ホウ素を熱拡散する関連した方法は、ある量のホウ素含有粉末が熱拡散するようにホウ素含有粉末を高温に曝すステップを含む。 (もっと読む)


【課題】高速プリアンプ回路、検出電子機器、および放射線検出システムを提供する。
【解決手段】プリアンプ回路は、放射線検出器から電流信号を受信して、増幅電圧信号を生成するトランスインピーダンス・アンプを備える。トランスインピーダンス・アンプの出力は、第2増幅ステージに接続される。検出電子機器は、検出器上の第1位置から電流信号を受信して第1電圧信号を生成する第1トランスインピーダンス・アンプと、検出器上の第2位置から電流信号を受信して第2電圧信号を生成する第2トランスインピーダンス・アンプとを有する。第2増幅ステージは、第1増幅電圧信号と第2増幅電圧信号とを与える。差動出力ステージは、第1増幅電圧信号と第2増幅電圧信号を受信し、各々から一対の出力を提供する。読取回路類は、一対の出力の各々を処理する処理構造を有する。処理構造は、タイムスタンプを有する単一のデジタル出力を提供する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも少ない個数のマトリックス状検出素子で同じ空間分解能を有する中性子検出装置を提供する。
【解決手段】中性子と中性子検出用物質との核反応によって熱エネルギーが生成され、異なる方向へ放射される少なくとも2つの粒子のうち、一の粒子の前記熱エネルギーを受容し電子状態の変化が生じる超伝導物質からなる第1粒子検出素子1xを複数個並列に配置したX座標検出素子群と、他の粒子の前記熱エネルギーを受容し電子状態の変化が生じる超伝導物質からなる第2粒子検出素子1yを複数個並列に配置したY座標検出素子群とを備え、第1粒子検出素子の検出に基づいて前記核反応がおこった位置のX座標を検出し、何れの第2粒子検出素子の検出に基づいて前記核反応がおこった位置のY座標を検出することを特徴とする中性子検出装置100。 (もっと読む)


【課題】中性子検出器のカソード基材とウラン酸化物コーティング層との密着性を向上させた中性子検出器のカソードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカソードは、カソード基材1と、前記カソード基材1に形成された金属中間層2と、前記金属中間層に形成されたウラン酸化物コーティング層3を備え、前記金属中間層2の形成後及びウラン酸化物コーティング層3の形成後に熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療(眼科治療、DNA切断)等に好適に使用できる新たなリチウムガラスからなる真空紫外発光素子及び散乱中性子を1次中性子やX線から分離して測定することが可能な中性子検出用シンチレーターを提供する。
【解決手段】リチウムガラス材料20Al(PO−80LiFに対してNdF又はErFが添加されたリチウムガラスからなる真空紫外発光素子及び中性子検出用シンチレーター。 (もっと読む)


【課題】光子計数検出装置を小型化して高解像度画像を提供するためのマルチエネルギー放射線に含まれた光子のエネルギー帯域を区分する光子エネルギー帯域区分装置及びその方法を提供する。
【解決手段】センサに入射されたマルチエネルギー放射線に含まれた光子を、各エネルギー帯域に対して区分して計数する読み取り回路を含む光子のエネルギー帯域を区分する装置において、センサによる光子から光電変換を受けて変換された電気信号が入力されて累積する積分器と、積分器によって累積された電気信号と、複数の臨界値の内のいずれか一つの臨界値とを比較する比較器と、比較結果に従って、いずれか一つの臨界値から他の臨界値へ順次に変更することを指示し、比較器から入力された変更された臨界値それぞれについて順次に比較した結果に基づいて光子のエネルギー帯域を区分するデジタル信号を出力する信号処理部とを有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁性を確保し、検出信号のノイズを低減できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器としての位置敏感型検出器10は、陰極となる筒状の外囲器15、外囲器15内の中心に沿って設置された陽極16、および外囲器15の両端に設けられ陽極16の両端と接続された一対の端子17,18を有する複数の検出部11を備える。複数の検出部11の一端の端子17を裸ワイヤ20で直列に接続する。ケース12の収容空間25に複数の検出部11の一端の端子18および裸ワイヤ20を一体に収容する。複数の検出部11の一端の端子17および裸ワイヤ20を一体に絶縁する絶縁材27を、ケース12の収容空間25に充填する。 (もっと読む)


【課題】従来のNaI(Tl)検出器のようにγ線のスペクトルを分析できる上に、速中性子の測定も可能であり、また、検出器の価格が、NaI(Tl)検出器に比較して安価であり、軽量大型の検出器を提供する。
【解決手段】検出部は、PS31・36と、ライトガイド33a・33bと、PM部35a・35bと、プリアンプ部37a・37bと、を有している。PS(プラスチックシンチレータ)31・36は、それぞれγ線と中性子とを光エネルギーに変換する。ライトガイド33a・33bは、検出された光を光電子増倍管35a・35bへと導く機能を有する。光電子増倍管35a・35bは、光信号を電気信号に変換する。プリアンプ部37a・37bは、光電子増倍管からの電気信号を増幅する機能を有する。ホウ素入りパラフィン32は、5mm検出器36を通過した中性子を吸収させる機能を有する。 (もっと読む)


【課題】高性能でありながら比較的安価な、特に簡易型の放射線測定器においてはさらに乾電池等のバッテリーでも長時間連続使用が可能な、半導体放射線測定器を提供すること。
【解決手段】放射線センサー、増幅器、波高弁別器、及び波高弁別器からの出力パルス信号を計数する第一のカウンタを有し、第一のカウンタの計数値に所望の処理を行う演算処理装置を備えた半導体放射線測定器において、演算処理装置がさらに第二のカウンタを有し、第二のカウンタと増幅器の間に、その抵抗値が、波高弁別器の第一の弁別レベルよりも大きな第二の弁別レベルに設定されている弁別レベル調整用可変抵抗が接続されており、第一のカウンタ出力と第二のカウンタ出力の論理演算関係からγ線を検出する。 (もっと読む)


【課題】放射線照射に対して高い輝度の発光を示すシンチレーター並びにシンチレーターに好適な金属フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】LiCa(1−x)MgGaF(0.1≦x≦0.9)の組成を持ち、賦活材としてランタノイドを含有する金属フッ化物結晶について、放射線照射に対して高い発光輝度を示す様子が分かった。この金属フッ化物結晶は、発光素子としての用途に好適に使用でき、特に、中性子検出用途を含むシンチレーターに好適である。 (もっと読む)


【課題】中性子の幅広いエネルギーに対して、特に高エネルギーに対して、高精細かつ高効率で検出することのできる中性子検出器を提供する。
【解決手段】中性子の入射方向に沿って延在し、光を反射する反射層としての作用を有する金属膜と、金属膜上に形成され、中性子の入射方向に沿って延在し、中性子と反応して放射線を放出する第1の蒸着膜と、中性子の入射方向に沿って延在し、かつ、第1の蒸着膜に隣接して配設され、光を反射する反射材料からなる第2の蒸着膜と、中性子の入射方向に沿って延在し、かつ、第2の蒸着膜に隣接して配設され、第1の蒸着膜にて発生した放射線から光を発生させるシンチレータ層と、を有する積層構造を、複数段積層させた多段積層構造を有し、シンチレータ層で発生させた光を、金属膜と第2の蒸着膜で反射させつつシンチレータ層内を伝搬させて外部に導出するよう構成した検出部を有する。 (もっと読む)


【課題】 所望の中性子線量のレンジにおいて有感であって、且つ即時測定が可能な中性子線量検出素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】中性子の線量測定に用いられる中性子線量検出素子の製造方法であって、中性子線量検出素子となる、所定の方向に磁化された永久磁石を用意する工程と、前記永久磁石の中性子有感レンジを低中性子線量側にずらすことによって、前記永久磁石の中性子線量検出の感度を調整する感度調整工程とを備えることを特徴とする中性子線量検出素子の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減できるSEU対策指令装置及び電気装置を得る。
【解決手段】図3(a)において、SEU対策指令装置は、中性子センサ100から通知される中性子レベルを予め設定されたレベル閾値D1と比較し、レベル閾値D1を越えている場合(ステップS103)、中性子レベルフラグを1に設定し、SEU対策対象装置に中性子レベルフラグ1を通知する(ステップS104,106)。ステップS103において、中性子レベルがレベル閾値D1以下の場合、中性子レベルフラグを0に設定し、当該フラグをSEU対策対象装置に通知する(ステップS105,106)。一方、SEU対策対象装置は、ステップS203において通知された中性子レベルフラグが1ならばSEU対策実施状態を入にし(ステップS204)、中性子レベルフラグが0ならばSEU対策実施状態を切にする(ステップS205)。 (もっと読む)


【課題】放射線が入射された位置を特定できる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】中性子と反応して荷電粒子を発生する変換部と、半導体基板に形成される前記荷電粒子を検出する複数の検出回路と、それぞれの前記検出回路に入射する前記荷電粒子の到来方向を制限する遮蔽部と、を備える放射線検出装置とする。また、それぞれの検出回路は、PN接合をさらに備える放射線検出装置とする。 (もっと読む)


【課題】放射線が入射された位置を特定できる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】中性子と相互作用して荷電粒子を発生する変換部と、半導体基板に形成される前記荷電粒子を検出する複数の検出回路をそれぞれ有する複数の回路層とを備え、前記複数の回路層は、積層される放射線検出装置とする。また、中性子と反応して第1荷電粒子を発生する第1変換部と、中性子と相互作用して、前記第1荷電粒子よりもエネルギーが大きい第2荷電粒子を発生する第2変換部と、半導体基板に形成される前記荷電粒子を検出する複数の検出回路をそれぞれ有する複数の回路層と、それぞれの前記検出回路に入射する前記第1荷電粒子の到来方向を制限する遮蔽部と、を備え、前記複数の回路層は、積層される放射線検出装置とする。 (もっと読む)


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