【課題】パターン形状に優れると共に、硬化処理によるパターン変形がなく、半導体素子等の更なる高集積化や多層化に伴い要求されている低比誘電率の硬化パターンを形成することができるポジ型感放射線性組成物等を提供する。
【解決手段】本ポジ型感放射線性組成物は、（Ａ）下式（１）で表される加水分解性シラン化合物、及び下式（２）で表される加水分解性シラン化合物から選ばれる少なくとも一種の加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させて得られる重合体と、（Ｂ）感放射線性塩基発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有するものであって、ｐＨが酸性である。


〔式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シアノ基、シアノアルキル基又はアルキルカルボニルオキシ基、Ｒ^１及びＲ^２は、各々１価の有機基、ａは１〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】耐クラック性、パターニング性および耐熱性に優れる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】下記成分（Ａ）及び（Ｂ）を含有することを特徴とする感放射線性組成物。
（Ａ）下記一般式（１）で表される加水分解性シラン化合物、該加水分解性シラン化合物の加水分解物、及び該加水分解物の縮合物からなる群より選ばれる少なくとも１種


［一般式（１）中、Ｒ^１は、炭素数１〜１２のアルキル基等である。Ｒ^２は、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルキレン基等である。Ｘは加水分解性基である。Ａは４価の有機基を示す。ｐは各々独立に０〜２の整数であり、ｑは各々独立に１〜３の整数であり、かつｐ＋ｑ＝３である。］
（Ｂ）光酸発生剤 （もっと読む）

【課題】ポリシルセスキオキサン共重合体、その製造方法、これを利用するポリシルセスキオキサン共重合体薄膜、及びこれを利用する有機電界発光表示装置を提供。
【解決手段】アルコキシフェニルトリアルコキシシラン、アルコキシフェニルアルキルトリアルコキシシラン、アルコキシカルボニルフェニルトリアルコキシシラン及びアルコキシカルボニルフェニルアルキルトリアルコキシシランよりなる群から選択されたいずれか１つの単量体と、両端に反応サイトを有するα、ω−ビストリアルコキシシリル化合物単量体とを有機溶媒／水の混合溶媒の中で酸または塩基触媒を使用して共重合して製造されたポリシルセスキオキサン共重合体、その製造方法、これを利用したポリシルセスキオキサン共重合体薄膜、及びこれを利用した有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｂ）
（式中、Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０のヘテロ原子を含んでもよい一価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、スルホネートに、嵩高いステロイド構造を有しているため、適度な酸拡散制御を行うことができる。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（ＲＯは水酸基、又は炭素数１〜２０のオルガノオキシ基を示す。Ｒ¹は炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を示し、ＲＯと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の周期的な構造を有する３次元モールドを、製造効率良く製造する方法と、この製造方法によって得られる３次元モールド、加工物、及び樹脂成形品を提供する。
【解決手段】本発明の３次元モールドの製造方法では、レジスト層を基体上に備える被加工物を準備する工程、第一の加熱工程、照射工程、第二の加熱工程、及び現像工程を少なくとも有する。レジスト層は、下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解物および縮合物の少なくとも一方を含む。下記一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。第二の加熱工程ではレジスト層を３００℃以上で加熱する。更にこの製造方法によって得られる３次元モールドをモールドとして、加工物及び樹脂成形品を作製する。
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【解決手段】被加工基板上に、化学増幅ポジ型レジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成する工程、該膜に第１ポジ型パターンを得る工程、更に該ポジ型パターンに反転膜形成用組成物に使用される有機溶剤への耐性を与える工程、第２化学増幅ポジ型レジスト材料で反転膜を形成し、該膜に第２ポジ型パターンを得る工程を含み、更に第２ポジ型レジストパターンを得るアルカリ現像液工程において、上記アルカリ性現像液に可溶に反転された第１ポジ型パターンが、第２パターンを得る工程中に溶解除去、反転転写される工程を含むダブルパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、ヒドロキシ基含有溶剤や高極性溶剤を用い反転用膜の第２レジスト膜を成膜しても、第１ポジ型レジストパターンにダメージを与えず、間隙に第２レジスト材料を埋め込むことができ、第１ポジ型パターンを現像液でアルカリ可溶除去でき、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１の発明は、基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、オキソシクロアルキル基を２つ以上有する化合物（ａ）と、フェノール類（ｆ）との重縮合反応によって得られる樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする下地材。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料などに有用な単分子膜およびそれらが複数積層した積層膜を提供する。
【解決手段】 シルセスキオキサン誘導体からなるアクリル系又はスチレン系付加重合性単量体と一般式（Ｂ）で表される付加重合性単量体との共重合体の単分子膜を基板に被覆することによって、単分子膜、または積層膜を得る。


（一般式（Ｂ）において、Ｒ^bは水素もしくはメチルを表し、Ｚ²は−ＮＨ−であり、ｎは２〜２０の整数である。） （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｃ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｃ）
（Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。 （もっと読む）

【課題】ArF露光装置を用いて４０ナノメートル以下のラインアンドスペースパターンを形成する。
【解決手段】シリコン含有重合体を含む反射防止膜用組成物を利用して反射防止膜パターンを形成し、前記反射防止膜パターンの間にシリコン含有重合体を含むフォトレジスト組成物を利用してフォトレジストパターンを形成した後、これらパターンを食刻マスクにスピンオンカーボン層と下部被食刻層に対する食刻工程を行なうことにより、工程段階及び製造コストを低減することのできる二重パターニング方法を利用した半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジストとしての物性に優れたポジ型レジスト組成物を与えることのできる環状シロキサン化合物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物及び／又は下記一般式（１）で表される化合物を下記一般式（２）で表されるジビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる化合物を、下記一般式（３）で表されるモノビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる環状シロキサン化合物である。


ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ^２−ＣＨ＝ＣＨ_２ （２）
ＣＨ_２＝ＣＲ^３−（Ｒ^４）_ｈ−Ｔ （３） （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成に於いて、ラインエッジラフネスが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。また、屈折率が高いレジスト膜を形成することができる為に、特に液浸露光に適したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）環状構造中に複数の硫黄原子を含むヘテロ環状基を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】第一のレジスト膜上に第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】多価アルコール化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ高解像度であり、現像ラチチュードも広く、安価なポジ型感光性組成物及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）酸の作用により分解する基を有し、分解後、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大するノボラック樹脂、及び（Ｃ）光の作用により酸を発生させる化合物を少なくとも含むポジ型感光性組成物である。該（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が、少なくとも１つのフェノール性水酸基及び少なくとも１つのカルボン酸基を有する樹脂である態様、該（Ｂ）のノボラック樹脂中の少なくとも一部の水酸基が、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、及びシリル基の少なくともいずれかで置換されている態様などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第２のパターンを保護膜上に形成する工程と、第２のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、有機半導体層、または導電膜等薄膜の高精度で生産効率の高いパターニング方法を提供することにある。また、移動度の高い高性能の有機ＴＦＴと、高精度で生産効率の高い有機ＴＦＴの製造方法を提供することにある。
【解決手段】酸の存在下で分解する保護基を分子内に有することを特徴とする表面処理材料。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物、特に、二層、あるいは多層レジストに好適な感光性組成物、感光性組成物に好適な樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して脱離する基を有する特定のシロキサン単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物、該樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、および該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸水溶液で現像したときに、露光部の感光性組成物を除去することができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型の感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱処理されるとアルコキシシランの縮合物（Ａ）を架橋させる物質（Ｂ）と、露光されると塩基を発生する光酸可溶化剤（Ｃ）とを含有するポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法、半導体素子。 （もっと読む）

【課題】露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、ポジ型感光性組成物を現像液に不溶化する化合物であり、アルコキシシランの縮合物（Ａ）よりも疎水性が高く、光線もしくは放射線の照射により分解する部位を有する化合物（Ｂ）とを含むポジ型感光性組成物であり、感光性組成物１が光線もしくは放射線で選択的に露光されたときに、露光部の感光性組成物１Ａが現像液に可溶になるポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜１Ｃの製造方法及び半導体素子。 （もっと読む）