【課題】入力された光信号の光入力パワーを効率よく利用して、ミリ波・テラヘルツ波の電磁波を発生させることを可能とする。
【解決手段】１つの基板上に、３ｄＢカプラ１３、位相シフタ１６、フォトダイオード１７，１８、および高周波線路１９を形成し、３ｄＢカプラ１３により、周波数の異なる２つの入力光信号Ｓ１１，Ｓ１２を合波して得られた光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５の位相が同相となるよう、光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５のうちの一方、例えば光ビート信号Ｓ１４の位相を位相シフタ１６により調整し、得られた光ビート信号Ｓ１６と光ビート信号Ｓ１４とをそれぞれ、フォトダイオード１７，１８でＯＥ変換し、得られた電気信号Ｓ１７，Ｓ１８を高周波線路１９で電力合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の波長プロファイルを有する偏波モード分散を発生させる。
【解決手段】本発明は、入力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、入力光信号の有する波長に依存するように、入力光信号に付与する（遅延差Ｔ_１（λ））第１遅延差付与装置１Ａと、第１遅延差付与装置１Ａからの出力光信号の有する偏波面を回転させる（回転角Ψ）偏波面回転装置２と、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する波長に依存するように、偏波面回転装置２からの出力光信号に付与する（遅延差Ｔ_２（λ））第２遅延差付与装置１Ｂと、を備えることを特徴とする偏波モード分散発生装置である。 （もっと読む）

【課題】光信号の歪の発生を低減しつつ、機器の小型化及び低コスト化を実現すること。
【解決手段】この光送信器１は、発光素子３からの出力光を、データ変調信号を基にＢＰＳＫ変調させるＭＺ型光変調器５と、ＭＺ型光変調器５に対してデータ変調信号を印加する増幅器７と、ＭＺ型光変調器５に印加されるデータ変調信号に直流バイアス電圧を重畳するオートバイアスコントロール回路１１と、増幅器７によって印加される変調信号のクロスポイント変動を検出し、クロスポイント変動を基に直流バイアス電圧を制御するクロスポイント変動検出回路１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光システム内で分散補償を実現する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】調整可能チャープ・ファイバ・ブラッグ格子が接続された少なくとも１つの経路が光システム内に結合され、そのような各格子がそれぞれの調整可能な量の分散を与える。そのような各格子に対するそれぞれの経路中に少なくとも１つのそれぞれのＤＧＤ要素が接続される。所与の経路中のこのようなそれぞれのＤＧＤ要素すべてからなる組が、格子の少なくとも１つの調整値に対して、格子によって導入される微分群遅延とほぼ等しい絶対値を有するバイアス微分群遅延ＤＧＤ_{（ｂｉａｓ）}を導入する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面プラズモン・ポラリトン（ＳＰＰ：ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍｏｎ ｐｏｌａｒｉｔｏｎ）の噴流を変調するための装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 装置は、金属性表面を有する基板と、構造物と、金属性上部表面に対向する誘電物体とを含む。構造物は、金属性表面上を伝播する表面プラズモン・ポラリトンを光学的に生成するように構成される。誘電物体は、金属性表面に沿った、及びその近くの異なる位置のアレイにおいて誘電率の値を調節するように制御可能である。 （もっと読む）

【課題】ＱＰＳＫ光送信装置を用いてＢＰＳＫ光を安定して生成し、単一装置で複数の伝送方式に対応することで、装置生産コスト削減を図る。
【解決手段】第１の位相変調部１２ａと第２の位相変調部１２ｂに入力されるデータ信号の出力形態を、２並列か直列かに切り替えられる機能を持つフレーマ１６を備える。フレーマ１６は複数のデータフォーマットから任意のフォーマットのデータ信号を選択して出力する機能を有する。また、受光素子１４と第１の制御回路１５ａの間に反転回路１９を設ける。第１の制御回路１５ａに入力される電気信号は当該回路１５ａの前に反転回路１９に入力されることになる。これにより、第１の位相変調部１２ａに入力されるデータ信号を遮断し、反転回路１９を反転設定として第１の位相変調部１２ａの透過率を最小点に固定させ、残る一方のデータ信号によって生成された光出力信号の振幅調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御することができる光変調器を提供する。
【解決手段】光送信機１０のマッハツェンダ型光変調器１２は、低周波信号Ｐｓが重畳された入力信号Ｍｓと印加されたバイアス電圧Ｖｂｓに応じて光ＣＷを変調し、光信号Ｏｓとして出力する。ＭＣＵ４０は、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差に基づき、バイアス電圧Ｖｂｔを設定する。ＭＣＵ４０は、制御を開始したときに、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差がゼロであった場合、バイアス電圧Ｖｂｔにオフセット電圧Ｖｔを重畳して、バイアス電圧をオフセットする。 （もっと読む）

【課題】３値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、ＭＣＵ３０を用いてＭＺ型光変調器に印加するバイアス電圧Ｖ_Ｂを制御する。ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓをバイアス電圧Ｖ_Ｂに重畳する。このとき制御入力値ｆは制御誤差ｅとなる。制御誤差ｅがゼロであった場合、ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓを入力信号に重畳する。このとき制御入力値ｆは判別量ｄとなる。ＭＣＵ３０は、判別量ｄの正負符号からバイアス電圧Ｖ_Ｂが最適なバイアス点にあるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】 負チャープを生じさせるマッハツェンダ干渉素子において、消光比のチューニングを容易にする。
【解決手段】 マッハツェンダ干渉素子は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第１および第２の半導体アームと、前記第１および第２の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、前記第１の半導体アームに設けられた第１位相制御電極、第１変調電極、および補助電極と、前記第２の半導体アームに設けられた第２位相制御電極および第２変調電極と、を備え、前記第２変調電極の電極実効長は、前記第１変調電極の電極実効長よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型領域とＮ型領域との間の電圧印加により位相を変調させる際の応答速度を高めることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路素子１が位相変調部に用いられた光変調器。光導波領域４は、光の導波方向に沿って延在する厚板部３と、厚板部３の幅方向一方側および他方側にある薄板部２（２Ａ、２Ｂ）とを有する。光導波領域４は、厚板部３にてＰ型領域５とＮ型領域６とに分離されている。Ｐ型領域５とＮ型領域６の薄板部２Ａ、２Ｂには、それぞれ電圧印加用の電極７Ａ、７Ｂが接続されている。薄板部２Ａ、２Ｂの厚さは８０〜１１０ｎｍとされる。 （もっと読む）

【課題】ドライバーから見た際の高周波電気信号の電気的反射Ｓ₁₁が小さな光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、当該電気的終端用中心導体と抵抗膜を介して接続される電気的終端用接地導体とを備え、抵抗膜は、電気的終端用中心導体を伝搬する高周波電気信号の伝搬方向に沿って複数個形成されている。 （もっと読む）

【課題】周波数間隔が等しく且つ強度が一定で平坦な光サブキャリアを生成することができ、且つ、装置構成が簡易で装置規模が小さい光サブキャリア生成器を提供する。
【解決手段】非線形な位相−電圧特性を有する光位相変調部２５，２６を備えたマッハツェンダ型光変調器２０と、ＣＷ光源３１と、光位相変調部２５，２６に同一振幅電圧Ｖ_mの正弦波電圧信号を印加する正弦波電気信号源３２と、光位相変調部２５に直流バイアス電圧Ｖ_b1を印加する直流電圧源３３と、光位相変調部２６に直流バイアス電圧Ｖ_b2を印加する第２の直流電圧源３４とを有し、且つ、これらの電圧の大小関係がＶ_b1＞Ｖ_b2≧Ｖ_mであり、光位相変調部２５，２６のそれぞれを、同一振幅電圧Ｖ_mの正弦波電圧信号と互いに異なる直流バイアス電圧Ｖ_b1，Ｖ_b2とで駆動して、光位相変調振幅を制御することにより、光位相変調部２５，２６間で非対称に光位相変調を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】変調の高効率化と波長帯域の広範囲化とを両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される導波路と、導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、リング変調器内の光パワーをモニタする光検出器と、リング変調器及び光検出器に接続され、光検出器により検出された信号に基づいて変調信号をリング変調器に印加する制御部とをそれぞれ有する複数の変調部とを有し、複数の変調部は、リング変調器の直径が互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＨＦ帯の電波のセンシングを高感度に行うことができる電波受信・光伝送システムを提供する。
【解決手段】電波受信・光伝送システムは、ＳＨＦ帯の電波を受信するアンテナ１１と、アンテナ１１から出力された電気信号の電界強度を増幅するデプレッション型トランジスタ２３から形成された増幅器１３と、トランジスタに一定のバイアス電圧を印可するバイアス回路１４と、トランジスタ２３に駆動用電源を供給する光電変換素子１５と、光電変換素子１５に光電変換用の光を出射する光源１５と、バイアス回路１４にバイアス電源を供給する光電変換素子１７と、光電変換素子１７に光電変換用の光を出射する光源１８とから形成されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各構成部品を等長化して組み立てる必要がなく、部品の温度特性及び経時変化が生じてもスキュー調整が容易である位相変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】位相変調装置３０１は、連続光を出力する光源１０と、２つの位相変調器１２及び強度変調器１５を有し、光源１０からの連続光を位相変調器１２がそれぞれに入力されるデータ信号（ＤＡＴＡ１、２）で位相変調して２つの位相変調光信号を生成し、位相器１３が位相変調光信号の一方の位相をπ／２ずらして位相変調光信号の他方と合波した合波信号を強度変調器１５が入力されたクロック信号ＣＬＫで強度変調しＲＺ化して出力するＲＺ位相変調回路１０１と、ＲＺ位相変調回路１０１の出力が最大となるように、ＲＺ位相変調回路１０１の位相変調器１２が生成する位相変調光信号の位相をそれぞれ調整する位相制御回路１１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多少の波形歪みがある２値信号を用いて駆動された場合でも、高品質な光８相ＰＳＫ信号を生成する。
【解決手段】第１のマッハツェンダ変調器、第２のマッハツェンダ変調器および第３のマッハツェンダ変調器は２値信号で駆動され、位相シフタには、第１のマッハツェンダ変調器の出力光と第２のマッハツェンダ変調器の出力光との位相差が（１８０×ｎ（ｎは整数）＋９０）度になる電圧が印加され、第３のマッハツェンダ変調器のαパラメータが＋０．２５または−０．２５である。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフトが小さく、かつ、電界の印加効率が良い光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板内に形成された光導波路と、前記光導波路の上方に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記光導波路の上部に開口を有する半導電性膜と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記半導電性膜と電気的に接触する電極と、を備える。 （もっと読む）