【課題】ブラシの内部に染み込んだ異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを洗浄するためのスポンジブラシ１８と、このスポンジブラシ１８を所定の処理位置と所定の待機位置との間で移動させる移動手段とを備えている。スポンジブラシ１８は、前記待機位置で待機ポッド２５内に収容される。移動手段は、待機ポッド２５内でスポンジブラシ１８に洗浄液が供給されている状態で、スポンジブラシ１８を受け部４３に押し付けてスポンジブラシ１８を圧縮させる圧縮動作、およびスポンジブラシ１８を受け部４３から離反させてスポンジブラシ１８を自身の復元力により復元伸長させる伸長動作を交互に行うように制御される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ブラシから異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシ１８およびブラシ洗浄液供給機構５３を備えている。ブラシ１８は、基板に接触する接触面４５,４６を外表面に有し、内方から接触面４５,４６に向けてブラシ洗浄液を供給するためのブラシ洗浄液導入孔４７が形成されている。ブラシ１８は、所定の基板処理位置で接触面４５,４６を基板に接触させて当該基板を洗浄する。ブラシ１８が前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置には、当該ブラシ１８を収容するための待機ポッド２１が設けられている。また、ブラシ洗浄液供給機構５３は、待機ポッド２１の底部５１に設けられており、ブラシ洗浄液導入孔４７にブラシ洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンチャックと、スポンジ部材１１と、ブラシ２２とを備えている。スピンチャックは、ウエハＷを保持して回転させることができる。スポンジ部材１１は、処理液を含浸可能な吸液性を有する材料からなり、スピンチャックによって回転されるウエハＷの周縁部に当接した状態で、処理液を染み出させて当該周縁部の所定範囲に処理液を供給することができる。ブラシ２２は、スポンジ部材１１とは異なる位置で、スピンチャックによって回転されるウエハＷの周縁部に当接して、当該周縁部を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、処理液を吸引するための吸引ノズル７０が設けられている。吸引ノズル７０の先端部は、第１接触面３２と第２接触面３３との境界部分３４に対向する先端面７２と、第１接触面３２および第２接触面３３と当接する当接面７３とを有している。先端面７２には、吸引口７４が形成されている。吸引ノズル７０に接続された吸引管７６は、処理室２の外部へ延びており、その先端は、真空発生装置６０に接続されている。真空発生装置６０が駆動されると、ブラシ１１の内部に含まれる処理液は吸引口７４に吸引され、ブラシ１１の内部に吸引口７４に向かう処理液の流れが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハをスポンジブラシによって所定の洗浄度合に洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】回転テーブル１１に保持された半導体ウエハ２２を回転駆動されるスポンジブラシ３８によって洗浄するブラシ洗浄装置において、上記回転テーブルを回転駆動するモータ１６と、上記洗浄ブラシを回転駆動するモータ３４と、上記スポンジブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動機構３２と、上記スポンジブラシを半導体ウエハの径方向中心部から外方へ揺動させたときに上記スポンジブラシの上記半導体ウエハに接触する端面と上記半導体ウエハの上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記角モータを制御する制御装置６４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄装置の洗浄液が回転ブラシの回転軸を介して洗浄槽の外部に漏れ出すことを防止し、回転ブラシに回転駆動トルクを与えている回転機構、及びモーターの電気配線等への障害を無くする回転ブラシ支持機構を提供する。
【解決手段】Ｏリング溝１８を具備し回転ブラシ軸２２に固定される上部カバー１４と、洗浄装置の洗浄槽の底部１０に固定される下部カバー１２と、エアー注入口２０−１とエアー放出溝２０−２とを具備し下部カバー１２に固定されるエアー注入カバー１６とを有し、上部カバー１４は、下部カバー１２とエアー注入カバー１６との間に挿入された位置で回転し、エアー注入口２０−１から注入されたエアーは、エアー放出溝２０−２から放出されて、上部カバー１４とエアー注入カバー１６との間隙を充満する。 （もっと読む）

【課題】エアシャワ室内での効果的な塵埃除去が可能で、安全で低コストなエアシャワ装置を提供する。
【解決手段】回転する回転テーブルの中心軸を雄ネジ形状とし、中心軸の受け側の軸受けは雌ネジとする。中心軸と軸受けの接触面にボールベアリング等を設け滑りやすい構造とし、また回転テーブルの自重に反発するバネやシリンダー等で待機状態では回転テーブルを上昇させておく。エアシャワ室内に作業者が入室し回転テーブルの上に立つことにより荷重が増え、回転テーブルは下方に押される。このとき回転テーブルの中心軸はネジ形状のため中心軸は回転しながら沈んでいく。回転テーブルの上に立つ作業者は回転しながら下降するため、自ら回転しなくともエアジェット気流を効果的に浴びることが可能である。エアジェットを浴び終え作業者が退室すると荷重が減り、バネはシリンダー等の反発力で回転テーブルは押し上げられ待機状態に戻る。 （もっと読む）

【課題】残留した研磨剤の砥粒等の異物を基板の表面から確実に除去することができること。
【解決手段】スクラブロール１４、１６および１８が、それぞれ、円板状の基板１０の記録面１０Ａおよび１０Ｂにおける共通の環状領域１０Ｅまたは環状領域１０Ｆに当接し基板１０の円周を横切るように配置される構成において、スクラブロール１４、１６および１８の回転数が、基板１０の回転数よりも大に設定されるもの。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の表面に付着硬化した付着物質を、きわめて効率良く、洗浄物を傷付けることなく、高い洗浄能力をもって剥離除去する洗浄技術を提供する。
【解決手段】
洗浄液体Ｌに無数の微小洗浄粒体Ｇ、Ｇ、…を混合してなる洗浄液剤ＣＬに機械構成部品等の被洗浄物Ｗを浸漬して、これら洗浄液剤ＣＬと被洗浄物Ｗに相対的な運動を与え、これにより、被洗浄物Ｗ表面に対する洗浄液剤ＣＬの擦れ合い作用および衝突作用を利用して、被洗浄物Ｗ表面に付着硬化したプラスチック等の付着物質Ｏを磨耗粉砕して剥離除去する。この結果、被洗浄物Ｗ表面に付着硬化した付着物質Ｏが、きわめて効率良く、しかも被洗浄物Ｗ表面を傷付けることもなく、高い洗浄能力をもって剥離除去される。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】連続的に自動分析を行う自動分析装置に組み込まれ、連続的に分析用試料液の作製を行う分析前処理装置で用いられる有底円筒状の容器の姿勢を変化させることなく、内底面及び内周面の洗浄、排液、乾燥を簡便かつ確実に行うことができ、制御が容易で、各工程の作業性に優れる効率的な分析用試験液の作製に用いる容器の洗浄乾燥方法の提供。
【解決手段】開口部を上にして保持した容器の内底面を洗浄する内底面洗浄工程と、容器の内周面を洗浄する内周面洗浄工程と、容器の内部に溜まった洗浄液や残渣を吸引して排出する吸引排出工程と、容器の内部を乾燥する乾燥工程と、内底面洗浄工程，内周面洗浄工程，吸引排出工程，乾燥工程の内の少なくともいずれか１つの工程中に容器をその軸線周りに回転させる容器回転工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い洗浄仕上がりで洗浄できる磁気記録媒体用基板の洗浄に用いられるブラシの保管方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体用基板の洗浄に用いられるポリビニルアルコールスポンジからなるブラシ３の保管方法であって、過酸化水素を含有する保管液中で前記ブラシ３を保管するブラシの保管方法とする。 （もっと読む）

【課題】液膜が乾燥するのを防止しながら液膜を確実に凍結させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ガス導入配管３３が冷却ガス吐出ノズル３に接続され、ガス導入配管３３から冷却ガス吐出ノズル３の内部に設けられた流通空間Ｓ１に冷却ガスを導入可能となっている。基板表面Ｗｆの面内での表面方向における流通空間Ｓ１の断面ＣＳ１の面積はガス導入配管３３の流路断面ＣＳ２の面積よりも大きくなっている。このため、流通空間Ｓ１に導入され、該流通空間Ｓ１を流通する冷却ガスの流速は、ガス導入配管３３の内部を流通する冷却ガスの流速に比較して小さくなる。これにより、ガス導入配管３３の内部を流通する冷却ガスの流速を高めた場合であっても、ノズル内部で冷却ガスの流速を減速させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板へのダメージを防止しつつパーティクルの除去を促進する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに向けてＤＩＷを供給して下層液膜１１ｆを形成し、これを凍結して下層凍結膜１３ｆを形成する。さらに、下層凍結膜１３ｆの表面に向けて、下層凍結膜１３ｆが融解しない温度に冷却されたＤＩＷを供給して上層液膜１２ｆを形成し、これを凍結して上層凍結膜１４ｆを積層形成する。そして、常温のＤＩＷを供給して下層凍結膜１３ｆおよび上層凍結膜１４ｆの全体を融解して、基板Ｗの表面Ｗｆからパーティクルとともに除去している。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させる。
【解決手段】リンス液供給部６２は温度調整部６２３を備える。温度調整部６２３は、ＤＩＷを常温より低い温度に冷却する。この温度調整部６２３は、例えば１０℃以下にＤＩＷを冷却しており、さらに５℃以下に冷却する方が好ましい。なお、温度調整部６２３は、ＤＩＷを０℃以上に保っており、これによってＤＩＷが凝固しないようにしている。そして、リンス液供給管９６に供給された冷却されているＤＩＷは、リンス液吐出ノズル９７から基板の表面に向けて吐出されて液膜を形成する。また、液供給管２５を介して液吐出ノズル２７から基板の裏面に向けて冷却されたＤＩＷが吐出されて、裏面に液膜が形成される。液膜が冷却されているため、冷却ガスが基板の表面および裏面に向けて吐出されると、短時間で凍結する。 （もっと読む）