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Fターム[3C058AA12]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(工具) (12,061) | 工具運動機構 (987) | 押圧及び切込調整機構 (432)

Fターム[3C058AA12]に分類される特許

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【課題】等方的な加工を実現することによりグリーンボールの真球度を十分向上させることが可能なグリーンボールの研磨方法、セラミックス球の製造方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】グリーンボールの研磨方法は、研磨装置を構成する第1部材の第1の面と、第2部材の第2の面との間にグリーンボールを供給する工程(S20)と、第1の面と第2の面との間においてグリーンボールが自転および公転しつつ研磨される工程とを備え、グリーンボールが研磨される工程においては、第1の面および第2の面とグリーンボールとの間に荷重を付与しつつ、グリーンボールの研磨を進行させる工程(S30)と、当該荷重を、グリーンボールの研磨を進行させる工程(S30)よりも小さくすることにより、グリーンボールの自転軸を変化させる工程(S40)とが交互に実施される。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴットからシリコンウェハーを製造するに際して、歩留まりを改善させることができると共に、生産効率の低下も防止することができるシリコンウェハーの製造方法をを提供する。
【解決手段】リコンブロック表面の研磨には、無端研磨ベルト30(ダイヤモンド研磨布)を研磨工具として使用することで、シリコンブロック表面の研磨にかかる時間を大幅に短縮することができる。また、無端研磨ベルト30(ダイヤモンド研磨布)による研磨では、ダイヤモンド砥石による研磨と異なり弾性研磨が可能であることから、研磨中にシリコンブロック表面に入る微小なクラックを軽減することができる。 (もっと読む)


【課題】被研削物の外周面にあるバリや凹凸等の被研削箇所に対し、大きな研削力を連続的に発揮させて研削時間を短縮し、研削効率を向上させて、被研削物の平滑化に必要な作業時間を短くする。
【解決手段】定盤27の研削ベルト受け面形成側に、多数本の直線状突部列を研削ベルト11の走行方向に対し傾斜する方向に延ばして設け、それ等の突部33を研削ベルト受け面形成側に分散して配置し、それ等の突部33の頂面32により研削ベルト受け面28を形成すると共に、定盤27を揺動し、研削ベルト受け面28を研削ベルト11の走行方向と直角方向に連続的に往復動させる定盤揺動機構37を備える。そして、研削ベルト11を走行方向と直角方向に連続的に往復動させるベルト揺動機構47を備える。 (もっと読む)


【課題】 曲面を含むワークであっても、また、マシンを押圧する力が変化してもサンディング部を均一に研削することができるバリ取りマシンを提供する。
【解決手段】 ベルトサンダー2のサンディング部2a裏面側に、複数のボールベアリング10を平面状に並べたベアリング取付板7を付設し、さらに、この取付板の裏面に、一枚またはそれ以上の枚数のバックプレート8を配置した。 (もっと読む)


【課題】大がかりな機構や装置を用いることなく、円筒形状の加工物を回転させて高精度でラッピングを行えるようにする。
【解決手段】ラッピング装置は、円筒状の軸部外形をラッピングにて仕上げ加工するラッピング用のラッピング治具1を備え、ラッピング治具1は、軸部を二方向から挟むホルダー50、60と、該ホルダー50、60を保持する一対のアーム20、30とを備え、アーム20、30は、一端部が連結され、他端部がバネ35により狭圧され、中間部にホルダー50、60の取り付け部である貫通孔22、32を有し、バネ35の張力によりラッピング圧力を作用させる。 (もっと読む)


【課題】ウエハへの研磨の際、安定したウエハの研磨を行うだけではなく、ウエハの研磨精度も高める。
【解決手段】研磨装置1は、対向配置された上定盤13と下定盤11の定盤間にウエハ5を配して上定盤13と下定盤11とでウエハ5を挟持し、上定盤13によってウエハ5に荷重をかけ、下定盤11を回転させることによりウエハ5を回転させてウエハ5を研磨する。この研磨装置1では、ウエハ5への研磨時間あるいはウエハの累積回転をパラメータとして、上定盤13のウエハ5への荷重と下定盤11の回転数とを可変制御し、かつ、上定盤13のウエハ5への荷重と下定盤11の回転数とを同期制御する制御部4が設けられる。 (もっと読む)


【課題】安全で高い加工品質を得ることができ、工具交換作業が容易な電動工具装置用操作補助具、および操作補助具付電動工具装置を得る。
【解決手段】電動工具装置用操作補助具31は、駆動源15からの駆動力を工具13に伝達することでワークWに対する加工を実施する電動工具11に設置されるとともに、ワークWに摺接して用いられることで、ワークWに対する工具13の相対位置を規定するものである。かかる電動工具装置用操作補助具31は、工具13がワークWに近接する際の限度を規定する近接限度規定機構33c,37aを備えている。この近接限度規定機構33c,37aは、ワークWに対する工具13の近接限度を任意に変更自在とする機構である。 (もっと読む)


【課題】粗加工用砥石と仕上用砥石の他に、超仕上加工砥石とバリ取仕上加工砥石による、エンジンのシリンダブロックのホーニング加工を、1本の多段拡張ホーニング装置により可能とする。
【解決手段】1本のホーニングヘッドから、粗加工用砥石13と仕上用砥石15の他に、超仕上加工砥石90またはバリ取仕上加工砥石91を付加した、3種類以上の砥石を適宜に選択して突出させ、多段に拡張することが出来るようにし、前記ホーニングヘッド11の内部において、拡張シャフトカム21を嵌装し、該拡張シャフトカム21に設けた複数の溝内に、プレートにより構成した拡張プレートカム63を突出収納自在に嵌装した二重構造とした。 (もっと読む)


【課題】薄肉の鋳物であっても、球体により鋳巣の周辺を押圧することで、鋳物を破壊することなく鋳巣を補修することが可能な表面加工方法を提供する。
【解決手段】円筒部をもつ鋳物の内周面を押圧する球面を有する押圧ボールを備える表面加工工具と、前記押圧ボールを前記内周面の周方向に相対的に移動させて該押圧ボールを転動させつつ前記球面で該内周面を押圧するボール転動手段と、前記表面加工工具と前記鋳物とを該鋳物の軸方向に相対移動させる送り手段と、を備える表面加工装置を用い、前記表面加工工具が備える該押圧ボールの個数、該押圧ボールの直径、該内周面に対する該押圧ボールの押込量、前記ボール転動手段による該押圧ボールの移動量および前記送り手段による該押圧ボールの移動量を調整して、該内周面を軸方向に順に加工する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの外周部の研磨レートが減少することを防ぎ、ウェハ全体を均一に研磨できるようにすることにより、ウェハから取れるチップの数を増加し且つ歩留りを向上できるようにする。
【解決手段】研磨装置は、ウェハ13とリテーナリング14とを保持するキャリアと、研磨パッド12が貼付されたプラテン11とを備え、研磨パッド12は、その表面上であって、ウェハ13により押接される際のウェハ13の外周部が接触する領域に、平坦部と凸状部との段差部20を有し、段差部20は、ウェハ13による押接によって平坦になる。 (もっと読む)


【課題】研磨効率を向上し、且つ研磨過程で基板が破損されることを防止することのできる基板研磨装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板研磨装置は研磨ユニットとパッド支持部材とを具備する。研磨ユニットは基板支持ユニットに安着された基板を研磨する研磨パッドと、研磨パッドを移動させるパッド駆動部材とを具備する。パッド支持部材は基板支持ユニットに安着された基板のエッジ研磨の時、基板と接触されない研磨パッドの研磨面の一部分を支持するように基板支持ユニットの一側に設置される。これによって、基板研磨装置は基板のエッジを研磨する過程で研磨パッドが基板の外側に傾くことが防止される。 (もっと読む)


【課題】複数のホーニング加工を汎用工作機械にて行えて、低コスト、かつ、ホーニング加工毎の作業負担の軽減を可能にする工具ホルダを提供すること。
【解決手段】ホーングホルダの本体部11の基端部11bには、駆動手段により回転されるスピンドル軸が取り付けられる。本体部11の先端部11tには、砥石シューが着脱可能に取り付けられる。クーラント流路16と本体部11の外周部とを貫通したネジ穴に着脱可能に嵌合されているネジ状アジャスタ15は、クーラント流出孔41を備えている。クーラント流路16に流れるクーラントは、砥石シューの底面に係合するテーパコーンを押圧すると共に、クーラント流出孔41とクーラント排出路20とを介して外部に流出する。この外部への流出はクーラント流出孔41の径寸法に応じて制限され、その結果、テーパコーンの押圧力が調整される。 (もっと読む)


【課題】当該技術分野で公知の仕上げのCMP研磨の前の両面研磨法は、エッジ形状およびナノトポグラフィーの将来的な要求を満たさず、且つ基板直径450mmを有するウェハの加工に適していない。
【解決手段】第一の工程において固定された砥粒を有する研磨パッドを使用して半導体ウェハの前面を研磨し、且つ同時に砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨するが、その間に砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの裏面との間に導入し、引き続き半導体ウェハを反転させ、その後、第二の工程において固定された砥粒を含有する研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨し、且つ同時に固定された砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの前面を研磨し、砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの前面との間に導入することを含む、半導体ウェハの両面研磨方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】変速機ケースの内面に形成されるバリ等を適切に除去することが可能なバリ取り装置を提供する。
【解決手段】変速機ケース40の内面に設けられた円環状の加工溝41に形成されたバリを除去するバリ取り装置10である。このバリ取り装置10は、変速機ケース40の内側を変速機ケースの主軸Xに対して平行に出入りする回転可能な軸部1と、軸部1に接続され、軸部1の径方向に移動可能なバリ取り材保持部2と、バリ取り材保持部2により保持され、加工溝41に接触した状態で加工溝41に形成されたバリを除去するバリ取り材3と、を有する。 (もっと読む)


【課題】テープ5をたるみなく保持しまた、凹面2aと被加工物3との間で引っ張られた状態で保持し、容易に被加工物を交換でき、フレキシブルに加工できるテープホルダ一体型カセットシュー組立体を提供。
【解決手段】テープ5を被加工物3表面に接触押圧する凹面2aを有する一対のシュー組立体2と、本体15に支持され、シュー組立体2を支持する一対の開閉アーム1と、アーム開閉装置D、テープ供給ホルダ6、テープ巻取ホルダ7、開閉アームの先端に開閉可能に取り付けられた副アーム17と、副アーム先端に固定された先端案内ロ−ラ8と、開閉アーム基部に配置された基部案内ロ−ラ9と、を有し、開閉アームが開くとき副アームがアームスプリング21に押されて開き、テープ5はたるみなく引っ張られる。開閉アームが閉じるときテープが一対のシュー組立体の凹面と被加工物との間で引っ張られて副アームを閉じるようにする。 (もっと読む)


【課題】良好な端部形状を得ることが可能な磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスクの製造方法の提供。
【解決手段】多成分系のガラス基板の表面に研磨パッドを接触させ、ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、ガラス基板と研磨パッドとを相対的に移動させてガラス基板の表面を研磨する鏡面研磨工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、鏡面研磨工程によって得られるガラス基板の端部形状を示すDuboff値が±10nm以内となるように研磨液の凝集度または分散度を制御して鏡面研磨工程を行う。 (もっと読む)


【課題】研磨装置の運転を停止することなく、ドレッサディスクの押付力と、この押付力を発生させる気体の圧力との関係を定めることができるドレッシング装置を提供する。
【解決手段】ドレッシング装置は、研磨パッド10に摺接されるドレッサディスク31と、ドレッサディスク31に連結される上下動可能なドレッサ駆動軸32と、気体の供給を受けて、ドレッサディスク31をドレッサ駆動軸32を介して研磨パッド10に押圧する押圧機構36と、押圧機構36に供給される気体の圧力を測定する圧力測定器42と、ドレッサ駆動軸32に作用する荷重を測定する荷重測定器45と、押圧機構36に供給される気体の圧力を制御する圧力制御部47とを備える。圧力制御部47は、圧力測定器42と荷重測定器45の測定値に基づき、気体の圧力とドレッサディスク31の押付力との対応関係を設定する。 (もっと読む)


【課題】回転する研磨工具を被加工物に押し付ける研磨荷重を高精度に制御する。
【解決手段】研磨工具1を被加工物に当接して研磨加工する研磨装置において、研磨工具1の工具軸2に取り付けられた第1部材3にラジアル方向の磁気吸引力を発生する第2部材4を嵌合させ、第2部材4を回転させることにより研磨工具1を回転駆動する。第2部材4をモータ12によってスラスト方向に移動させることにより、研磨工具1を被加工物に押し付ける研磨荷重を与える。研磨工具1の回転数や回転トルクによって研磨荷重が影響されることがない。 (もっと読む)


【課題】複列円すいころ軸受の外輪の超仕上げを1度に行うことができる研削装置を提供する。
【解決手段】研削装置1は、いずれも超仕上げ砥石を保持するための第1の砥石保持装置2および第2の砥石保持装置2と、保持される超仕上げ砥石7の研削面16が向く側に対して第1の砥石保持装置を前進および後退させ、かつ第2の砥石保持装置を、第1の砥石保持装置の前進または後退に同期させて保持される超仕上げ砥石の研削面が向く側に対して後退および前進させる移動装置6と、を有し、第1の砥石保持装置の前進方向と第2の砥石保持装置の前進方向とが、180度逆方向であって互いに遠ざかる方向であり、第1の砥石保持装置および第2の砥石保持装置が一体に振動するように形成される。 (もっと読む)


【課題】研磨速度が高く、且つ、ディッシングの発生が抑えられ、平坦性に優れた化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】同一の導体膜を同一の定盤上で研磨液を用いて研磨する研磨工程を2回以上有し、且つ、最初の研磨工程と最後の研磨工程との間に、直前に実施した研磨工程の終了直後の定盤の温度に対して−5℃〜−80℃となるように定盤を冷却する冷却工程を有する、化学的機械的研磨方法。 (もっと読む)


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