【課題】自己組織化材料を用いて製造されるパターンの高精度化を図ったパターンの形成方法，およびインプリント用モールドの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターンの形成方法では，基板上に，第１の層，感光層を順に形成し，前記感光層の第１，第２の領域それぞれを第１，第２の露光量で露光し，第１の溶媒によって，第１の領域を溶解し，露出した第１の層をエッチングし，第２の溶媒によって，感光層の未露光の第３の領域を溶解し，自己組織化材料を第３の開口内に形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便・安価な装置と機材により、めっきの雌型やマイクロ流路・容器に使用できる均一膜厚で急峻な断面側壁を有する感光性物質のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基材上に感光性物質を厚く均一膜厚で付し、その上に遮光液を用いてディスペンサまたはインクジェットプリンタまたはスクリーン印刷によって基になる遮光パターンを作り、該遮光パターンをマスキング材として前記感光性物質を露光する。 （もっと読む）

【課題】湿気や温度等の外部環境の影響を受けにくく、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することのできるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置され、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材と、を有するＭＥＭＳ素子と、少なくとも前記ＭＥＭＳ素子の周囲を覆う発泡体と、を備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材とを有するＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、前記ＭＥＭＳ素子上に発泡性の樹脂を滴下し、前記発泡性の樹脂を発泡させることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】比較的安価なマイクロ流体デバイスおよびマイクロアレイを加工する方法として、非極性固体相変化インク、これらのインクを製造する方法、バイオメディカル用途でこれらのインクを使用する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ流体デバイスは、第１の基板５と、この第１の基板表面に堆積した相変化インクのパターン４とを含む。この相変化インクは、非極性ポリマー材料と、場合により、着色剤とを含み、相変化インクは、室温で固体であるが、約６０〜約１５０℃の吐出温度では液体であり、前記堆積した相変化インクに対する水接触角が、約９０°〜約１７５°である。 （もっと読む）

【課題】流体を封入する膜を備える装置の製造方法を提供する。
【解決手段】空洞内に収容される流体を封入するために使用される膜を備える装置の製造方法であって、２つの基板を提供する段階と、膜を基板上に配置する段階と、空洞を横方向に画定するように作用する１つまたは複数の壁を形成する段階と、空洞を完成させるように、互いに重ね合わせることによって２つの基板を一体に組立てる段階と、流体を基板の間の空洞内に封入し、流体によって膜を浸す段階と、基板に膜が設けられている場合に、少なくとも膜の中心部を解放するために、基板の少なくとも一部を除去する段階と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】グリーンシート等の基板にキャビティパンチを行わずにキャビティを形成する超小型パッケージ基板の製造方法の提供。
【解決手段】（ａ）焼成済みＬＴＣＣ基板またはＬＴＣＣ基板用グリーンシートもしくはその積層体にキャビティ部に相当する厚みにレジストパターン膜を形成する工程、（ｂ）前記レジスト膜上に、ＬＴＣＣ基板材料からなるペーストを塗布し、乾燥・硬化する工程、（ｃ）研磨処理を行いレジストを表面に露出させる工程、（ｄ）剥離剤でレジストを除去する工程、（ｅ）焼成工程、（ｆ）基板表面を研磨して、土手の平坦性及びキャビティの高さを調整する工程を含む超小型パッケージ基板の製造方法、超小型パッケージ基板、シリコンウエハ実装基板、その製造方法、ＭＥＭＳ素子、及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】高価なマイクロリソグラフィ装置を使用せず、比較的安価で、かつ６５℃を超える温度で操作する用途に使用可能なマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】固体接着剤の薄いシートを有する基板材料２１の表面ににプリンタを用いてワックス２０を印刷した後、このワックスをマスキング層として基板を選択的にエッチングし、所望のパターンをを有する固体接着剤２２を有する基板を作製する。次にこの基板からマスキング層を除去した後、第２の基板と接着して基板層を形成し、さらにこの基板層を硬化させることで三次元マイクロ流体デバイスを得る。 （もっと読む）

【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。
【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００の製造方法は、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う絶縁層３０，３２，３４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４をエッチングして、機能素子２０の周囲に空洞部１を形成する工程と、空洞部１を封止するように、空洞部１の上方に封止層５０，５４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４の上方に樹脂層６０を形成する工程と、基板１０の下方側から基板１０をエッチングして、空洞部１と連通する開口部３を形成する工程と、空洞部１を封止するように、気相成長法によって、開口部３の内面に被覆層８０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに低コスト化を図れ、しかも、製造工程の簡略化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜２４ｂとの格子整合性の良い第２の基板４０の一表面側に所定パターンのシード層１２４ｃを形成し、第２の基板４０の一表面側に強誘電体層１２４ｂを形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。所定波長のレーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重なる強誘電体膜２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の一表面側に転写する。レーザ光ＬＢを、第２の基板４０を透過し、且つ、シード層１２４ｃにより反射され、且つ、強誘電体層１２４ｂのうちシード層１２４ｃに重ならない第２の部分２４ｂ_２に吸収される波長の光とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れるとともに製造工程の簡略化を図れ、且つ、製造歩留まりの向上による低コスト化を図れる強誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第２の基板４０の一表面側にシード層１２４ｃ、強誘電体層１２４ｂを順次形成する。強誘電体層１２４ｃ上に下部電極２４ａを形成し、下部電極２４ａと第１の基板４０とを接合層５１を介して接合する。その後、レーザ光ＬＢを第２の基板４０の他表面側から照射し強誘電体層１２４ｂおよびシード層１２４ｃを第１の基板２０の上記一表面側に転写する転写工程を行う。転写工程では、強誘電体層１２４ｃのうち強誘電体膜２４ｂの所定パターンに対応する部分のみを転写するように設定した光強度分布ＰＩのレーザ光ＬＢを第２の基板４０の上記他表面側から照射することにより、それぞれ強誘電体層１２４ｃの一部からなる強誘電体膜２４ｂを転写する。 （もっと読む）

【課題】薬物がマイクロニードルの先端部分（貫入部）に集中したマイクロニードルシートの製造方法を提供する。
【解決手段】スタンパ６の第１の表面Ｓｔから、当該第１の表面Ｓｔに対向する第２の表面Ｓｂに向かって、第１の所定長だけ先細りに延在する錐状の凹部７に、第１のマイクロニードル原料２１を充填し；前記凹部７に充填された第１のマイクロニードル原料２１を、６０％以上９９％以下である、所定の相対湿度の環境下で乾燥させて、前記第１の所定長より短い第２の所定長だけ延在するニードル先端層２５ｂを形成し；前記ニードル先端層２５ｂの上に、第２のマイクロニードル原料２４を充填し；前記充填された第２のマイクロニードル原料２４を乾燥させて、前記ニードル先端層２５ｂに連続するシート基体２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子アクチュエータにおいて、長時間駆動を行った場合の変形を防止して、安定した長時間駆動を実現することである。
【解決手段】電解質を含み多孔質の高分子からなる多孔質高分子層と、前記多孔質層に接触するところに位置して、多孔質高分子と親水基と多孔質高分子の孔部分に存在する導電性高分子とを含む親水基層と、前記親水基層に接触するところに位置して導電性高分子層を含む導電性高分子層と、前記導電性高分子層に接触する電極部と、前記電極部に電圧を印加する電源部から構成される導電性高分子アクチュエータを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板内で高さの均一な複数の微小構造体を作製し、安定した接着性を実現する。
【解決手段】第１の基板１２Ａ上に、第１の高さｈ１を有する第１の構造体１４Ａと、これよりも高い第２の高さｈ２を有する第２の構造体１６Ａとが設けられ、第２の基板１２Ｂを第１の基板１２Ａに重ね、第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを高さ方向に収縮させ、当該第２の構造体１６Ａ，１６Ｂを第１の構造体１４Ａ，１４Ｂにより規定される高さの構造体18に変形させた状態で、基板同士を接着する。第２の構造体１６Ａ，１６Ｂは、例えば、金属粒子を材料とするポーラス構造体である。第１の構造体１４Ａ，１４Ｂは、同じ押し圧による変形量が第２の構造体１６Ａ，１６Ｂよりも小さい材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の伸びとマイクロ構造体の伸びの差などによる応力の弾性支持部への伝達が低減されたマイクロ構造体を提供する。
【解決手段】マイクロ構造体１８は、電極基板などの基板９と、基板９に支持部１を固定する１つのポスト１０と、支持部１の外周に枠状に配置される可動部５と、可動部５と支持部１とを弾性的に連結する弾性支持部２、３、４を有する。弾性支持部２、３、４は、支持部１に対して枠状の可動部５を可動に支持する。弾性支持部は、ねじりバネ２、４、弾性変形可能な連結部３などにより構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電素子のヒステリシス特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】上電極８０とリード電極との密着性を高めるスパッタエッチングにおいて、上電極８０の表面を、Ａｒガス流量を６０ｓｃｃｍ以上で導入しながらスパッタエッチングすることにより、Ａｒガスの導入によるＡｒガスの流れによって、Ａｒイオンの上電極８０表面での滞留時間を短くできる。したがって、イオン化したＡｒガスが表面に滞留することによる上電極８０のチャージアップを抑えることができ、チャージアップによる圧電素子３００への影響を少なくでき、圧電素子３００の圧電体層７０のヒステリシス特性のばらつきおよび変位特性のばらつきの少ない圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】インプリント時間の短縮化を図りつつ、インプリント後の膜厚ムラを防止する。
【解決手段】基板上に塗布された液体に対して所望の凹凸パターンが形成されたスタンパを押し当てた状態で前記液体を硬化させることによりパターン転写を行うパターン転写方法において、複数のノズルを有する液体吐出ヘッドと前記基板を相対的に移動させながら、前記ノズルから吐出された液滴を前記基板上に着弾させる際、着弾直後の液滴形状が１つの円形状とはならず、且つ、前記基板上で隣接する他の液滴とは合一しないようにすることを特徴とするパターン転写方法を提供することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置の製造方法によれば、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを形成する工程と、機能素子２０の上方であって、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に第１被覆層４０を形成する工程と、第１被覆層４０に貫通孔４２を形成する工程と、層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方および第１被覆層４０の上方に樹脂層５０を形成する工程と、貫通孔４２の上方の樹脂層５０に、貫通孔４２と連通する開口部５２を形成する工程と、貫通孔４２を通して機能素子２０の上方の層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃを除去し、空洞部３２を形成する工程と、貫通孔４２の上方に第２被覆層６０を形成して、貫通孔４２を塞ぐ工程と、を含む。 （もっと読む）