【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率を向上させることができる基板、及び発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板１は、入射又は出射する光の進行方向を変化させる凹凸を有する面を備える基板１であって、凹凸が、１次元若しくは２次元の一定方向に沿って周期的に面に設けられる第１の凹凸１０と、第１の凹凸１０の配置とは異なる配置で面に設けられる第２の凹凸１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】印刷等の簡便なプロセスで成膜できる溶解性を有し、成膜後は簡単な処理により不溶化し、後工程でのダメージを軽減できると共に、不溶化処理後は良好な半導体特性を示すジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなる有機半導体材料前駆体、該前駆体を含有するインク、該インクを用いて作製された絶縁部材、電荷輸送性部材、有機電子デバイスの提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなることを特徴とする有機半導体材料前駆体。


〔上記式中、Ｘ及びＹは、外部刺激によりＸとＹが結合してＸ−Ｙとして一般式（Ｉ）の化合物から脱離する基を表し、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、アルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又はアリール基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】高い有機溶媒溶解性を有し、低いエネルギー付与で有機半導体化合物に変換可能な置換基脱離化合物と、これを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表され、エネルギー付与により一般式（Ｉａ）で表される化合物と一般式（II）で表される化合物に変換可能なことを特徴とする置換基脱離化合物。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、該ＸおよびＹのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は水素原子、ハロゲン原子または、一価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】ドクタリング工程を要する印刷方式において、ドクターブレード摺動方向に対して０°のストライプパターンを微細で高精度、且つ安定的に形成することができる印刷版を提供する。
【解決手段】 表面上に多数の帯状の凹部２７を有する印刷版であって、帯状の凹部２７の長尺方向が、印刷方向と同一方向であり、且つ帯状の凹部２７の少なくとも一方の長尺方向終端部２９が、末端に向かって、その幅が徐々に減少している先細り形状を有することを特徴とする印刷版、及びその印刷版を用いる導電性部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】光触媒の触媒作用によって空気の浄化（脱臭）、殺菌（抗菌）、防汚、水の浄化等が高効率に可能であり、かつ、広範な活用用途が見込まれる面発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の面発光素子は、導体または半導体からなる第１電極と、透光性電極と、第１電極と前記透光性電極とに挟まれた絶縁体層と、前記絶縁体層の内部に形成された発光体と、前記透光性電極の前記絶縁体層側の反対側に設けられた光触媒部とを備え、第１電極と前記透光性電極との間に電圧を印加することにより前記発光体を発光させ、前記発光体が発した光を前記透光性電極を介して前記光触媒部が受光することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子を用いた窓において、居住者に寛ぎや安らぎを与えるような空間演出をする。
【解決手段】窓１は、透明なＥＬ素子２を複数個、構造物の開口部に配置した発光体３と、ＥＬ素子２を点灯制御する制御部４と、を備える。制御部４が、ＥＬ素子２の一部を消灯させて、室外から光を採り入れる、又はＥＬ素子２の一部を消灯させて、室内に光を補うことにより、自然との調和が取れた、居住者に寛ぎや安らぎを与えるような空間演出をすることができる。 （もっと読む）

【課題】反射偏光板における外光の反射を防止し、かつ発光層からの光の取り出し効率を
向上させる表示装置を提案することを課題とする。
【解決手段】反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と
、前記透明電極上に設けられた透明基板と、前記透明基板上に設けられた反射偏光板と、
前記反射偏光板上に設けられた１／４波長板と、前記１／４波長板上に設けられた偏光板
とを有することにより、外部の映像の映り込みを抑え、発光層において発光した光を効率
よく取り出すことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発光特性が良好な発光装置を製造することができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ基板１と封止基板９を収容しているチャンバ６０内の内圧を第１の気圧にした状態で、ＥＬ基板１及び封止基板９と接着剤枠１５により、ＥＬ基板１の発光領域Ｒ１を密閉した密閉空間を形成し、チャンバ６０内の内圧を第１の気圧より高い第２の気圧にすることで、ＥＬ基板１と封止基板９の周囲の圧力を接着剤枠１５内の密閉空間よりも高くして、ＥＬ基板１と封止基板９に対して均等に圧力をかけて、ＥＬ基板１と封止基板９を略平行に貼り合わせることを可能とするとともに、貼り合わせにおいて接着剤枠１５を一部押し潰すことで接着剤枠１５内の密閉空間を圧縮して、密閉空間内の気圧を第１の気圧より高くする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化処理として、酸素を含む雰囲気での加熱処理と、真空中での加熱処理を段階的に行う。また、加熱処理と同時に短波長の光照射を行い、水素やＯＨ等の脱離を助長させる。この様な熱処理による脱水化または脱水素化処理を施した酸化物半導体層を有するトランジスタは、光照射やバイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後における電気特性の不安定性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて簡単な操作かつ低コストで無機ＥＬの発光パターンを自由に製造できる無機ＥＬ用描画装置を提供する。
【解決手段】無機ＥＬ用描画装置１は、各タンクＴ内にある導電性ペーストＤと誘電体ペーストＹと発光体ペーストＨと絶縁性ペーストＺをポンプ６で供給するペースト供給手段４と、ポンプにに接続され、絶縁性ペースト以外の各ペーストを対象面に平行な方向に並べて対象面上に吐出させ、これらを覆うように透光性の絶縁性ペーストを吐出させるノズル部３を備えたグリップ部２とを有している。操作者は、グリップ部を手に持ち、スイッチ操作で各ペーストを対象面上に吐出しながら動かすことによりペーストで対象面上に所望のパターンの無機ＥＬ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】表示パネルの製造に際してコストを増大させることなく、偏光板や保護部材と接着層との間に気泡を巻き込むことを抑制できる偏光板を提供する。
【解決手段】正面接着層付き偏光板１２は、一対の面の間に所定の厚みを有する板状の本体部５と、本体部５の一対の面のうちの一方の面５４に設けられた第一接着層１０と、本体部５の一対の面のうちの他方の面５５に設けられた第二接着層１１と、を備え、第一接着層１０及び第二接着層１１が最外面となるようにそれぞれ設けられ、本体部５の剛性が第一接着層１０の剛性よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に固定電荷を注入することなく閾値電圧をプラス方向にシフトさせることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域４０Ａ上に絶縁材料よりなる固定電荷蓄積層５０を設け、この固定電荷蓄積層５０の上面側に固定電荷制御電極８０を設ける。固定電荷制御電極８０を正（＋）電位、ドレイン電極６０Ｄを負（−）電位とし、ソース電極６０Ｓを電気的に浮いた状態とすると、または、固定電荷制御電極８０のみを正（＋）電位とすると、チャネル電界によって加速されたホットエレクトロン、または衝突電離によって生じたホットエレクトロンが、ドレイン電極６０Ｄ近傍のチャネル領域４０Ａから固定電荷蓄積層５０に注入され、蓄積される。これにより、チャネル領域４０Ａの電位が制御され、閾値電圧Ｖｔｈがプラス方向にシフトする。 （もっと読む）