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Fターム[3K107AA05]の内容

エレクトロルミネッセンス光源 (181,921) | EL素子の区分 (19,131) | 無機 (1,626)

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【課題】トランジスタ特性が変化しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第1薄膜トランジスタである駆動トランジスタ6と、トップゲート構造の第2薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ5とを形成する際、駆動トランジスタ6の第1ゲート電極6aとスイッチトランジスタ5の第2遮光膜5eを形成する工程と、スイッチトランジスタ5の第2ゲート電極5aと駆動トランジスタ6の第1遮光膜6eを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極(6a、5a)と遮光膜(6e、5e)を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ6とスイッチトランジスタ5を作り分けることを可能にした。 (もっと読む)


【課題】発光により画像を表示する発光体層から生じた光を効率良く取り出すことができる光取り出し構造を形成できるようにする。
【解決手段】基板11上に設けられた第一の透光性材料の膜14上に捕捉層16を形成し、該捕捉層16上に、粒子17を分散媒19中に分散させた分散液を塗布し、前記分散媒19を揮発させて、前記捕捉層16上に前記粒子17の堆積層17aを形成する。該堆積層17aの最下層の粒子17を、2次元最密充填に対して93%以上の粒子充填率で前記捕捉層16に捕捉し、前記捕捉層16に捕捉されていない粒子17を除去し、前記捕捉層16に捕捉された粒子17をマスクとして用いてエッチングして、前記第一の透光性材料の膜14に凹部を形成し、前記エッチング後に残留している前記粒子17及び前記捕捉層16を除去した後、前記凹部を、前記第一の透光性材料とは屈折率が異なる第二の透光性材料で埋め込む。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第1薄膜トランジスタである駆動トランジスタ6と、トップゲート構造の第2薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ5とを形成する際、駆動トランジスタ6の第1ゲート電極6aとスイッチトランジスタ5の第2遮光膜5eを形成する工程と、スイッチトランジスタ5の第2ゲート電極5aと駆動トランジスタ6の第1遮光膜6eを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極(6a、5a)と遮光膜(6e、5e)を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ6とスイッチトランジスタ5を作り分けることを可能にした。 (もっと読む)


【課題】光取り出し構造として必要な、互いに屈折率の異なる材料を周期的に配列した構造を、高分子材料を残留させることなく容易に形成することができるようにする。
【解決手段】高分子を含む捕捉層21上に、無機粒子12を液体分散媒22中に分散させた無機粒子分散液の塗膜を形成し、前記液体分散媒22を揮発させて、前記捕捉層21上に前記無機粒子12の堆積層を形成する。次いで、前記捕捉層21を加熱して、前記堆積層の最下層の無機粒子12を前記捕捉層21中に埋め込んで捕捉し、捕捉されていない余剰の無機粒子12を除去してから焼成し、前記捕捉層21を除去すると共に前記捕捉層21に捕捉されていた前記無機粒子12を前記透明基板8へ接着し、前記無機粒子12とは屈折率の異なる無機バインダー13で埋め込んで光取り出し構造9とする。 (もっと読む)


【課題】高い溶解性を示し、加工性に優れたものであって、高い導電性と透明性とを有する透明導電膜の材料として有用である導電性ベンゾチアジアゾール共重合体組成物を提供する。
【解決手段】化学式(I)で表される繰り返し単位を有するベンゾチアジアゾール共重合体とドーパントとを含有する導電性ベンゾチアジアゾール共重合体組成物。


[式(I)中、W及びYは2価のチオフェン環、n及びmは0〜1、R、R、R及びRは下記化学式(II)R−[X−(CH)]−(X)−・・・(II)(X及びXは同一又は異なる酸素原子若しくは硫黄原子、[X−(CH)]は繰り返し単位毎にXと−(CH)−とが同一又は異なり、aは1〜20、bは0〜20、cは0〜1)で示される側鎖基である] (もっと読む)


【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも第1及び第2のチャネル形成領域と、第1及び第2のチャネル形成領域の間に第1及び第2のLDD領域と、第1及び第2のLDD領域の間に第1及び第2のLDD領域よりも高い濃度の不純物領域と、第1及び第2のゲート電極と、を有する第1のトランジスタと、第3のチャネル形成領域と、第3のチャネル形成領域を挟み、かつ一部がゲート電極と重なる不純物領域と、を有する第2のトランジスタとを有するEL表示装置であって、LDD領域は、第1及び第2のゲート電極と重ならず、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方が、第2のトランジスタのゲート電極に電気的に接続され、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方が、EL素子に電気的に接続しているEL表示装置。 (もっと読む)


【課題】補助電極の反射率を高めることで、光の利用効率を向上させた透明電極を提供することである。
【解決手段】透明基板14との間に補助電極16を有する透明電極13において、補助電極16の透明基板14側に透明基板14よりも屈折率の低い第1低屈折率層17を、補助電極16の透明電極13側に透明電極13よりも屈折率の低い第2低屈折率層18を設けた構成とする。 (もっと読む)


【課題】画質の均質性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子102の形成された基板(第1の基板)101に向かい合ってプリ
ント配線板(第2の基板)107が設けられる。プリント配線板107上のPWB側配線
(第2の配線群)110は異方導電性フィルム105a、105bにより素子側配線(第1
の配線群)103、104と電気的に接続される。このとき、PWB側配線110として
低抵抗な銅箔を用いるため、素子側配線103、104の電圧降下や信号遅延を低減する
ことができ、画質の均質性の向上及び駆動回路部の動作速度の向上が図れる。 (もっと読む)


【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てnチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極(EL素子の陰極に相当する)全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 (もっと読む)


【課題】有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極及び有機半導体層と、ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、有機半導体層のチャンネル領域とゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上とした。 (もっと読む)


【課題】汎用性の基体を使用し、透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少ない透明電極用の分散液の調製方法、透明導電膜、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜の形成方法で形成された透明導電膜を用いた透明電極を有する有機EL素子の提供。
【解決手段】少なくとも導電性ポリマーと、前記一般式(I)、(II)で表わされる構造単位を有するポリマー(K)を含む分散液の調製方法であって、少なくとも前記導電性ポリマーと前記ポリマー(K)を含有する分散液を脱溶媒処理することを特徴とする分散液の調製方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高く、かつ、オン電流の大きい半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として、酸素放出量の多い絶縁層を用い、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する絶縁層として、酸素放出量の少ない絶縁層を用いる。酸素放出量の多い絶縁層から酸素が放出されることにより、チャネル領域中の酸素欠損及び当該絶縁層とチャネル領域の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。ソース領域及びドレイン領域については、酸素放出量の少ない絶縁層に接して設けることで、ソース領域及びドレイン領域の高抵抗化を抑制する。 (もっと読む)


【課題】ELの膜厚が薄いことにより陽極−陰極間がショートしたり、トランジスタ不良
が起きたりする。
【解決手段】電極及び電界発光層を有する発光素子と、前記発光素子の電極に電気的に接
続された配線と、ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトラン
ジスタと、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線
とを有し、前記配線は、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方に電気的に接続
され、前記電極と前記配線とが電気的に接続される領域の近傍に、前記電極と前記配線と
が電気的に接続される領域に比較して前記電極の幅が細い領域を有することを特徴とする
(もっと読む)


【課題】共振器構造の発光素子において、例えば膜厚が設計値から外れて共振器光路長が増減したとしても、輝度変動を抑制することのできる技術を提供する
【解決手段】第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が470±10nmの範囲内であり、前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が増加している構成とする。 (もっと読む)


【課題】発光層の酸化による劣化を生じ難くすることができ、かつ製造工程も簡素化することができる無機EL素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】無機EL素子1のホスト化合物として、空気中の湿気や酸素を要因とする酸化の影響を受け難い酸化物系を使用する。酸化物系には、例えばアルカリ度類金属リン酸塩のひとつであるリン酸カルシウムCa(PO)を使用する。そして、このリン酸カルシウムCa(PO)に、赤色蛍光体として+3価のユーロピウムEu3+を添加し、青色蛍光体として+3価のツリウムTm3+又は+2価のユーロピウムEu2+を添加し、緑色蛍光体として+3価のテルビウムTb3+及び+3価のセリウムCe3+を共添加する。これら希土類元素は、リン酸カルシウムCa(PO)中のカルシウムとイオン半径が類似しているため、イオン間の隙間に入り込んで、リン酸カルシウムCa(PO)に付着する。 (もっと読む)


【課題】 発光効率に影響の少なく、残光時間が短い、新規な酸化物蛍光体を提供することを課題とする。
【解決手段】 緑色領域に発光を示す蛍光体であり、該蛍光体の材料組成が(Mg,Ca,A)(Si1−aGe)酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、x+y=1、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素である蛍光体。 (もっと読む)


【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたEL表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用TFTのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用TFTのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用TFTのゲート電極および電流制御用TFTのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用TFTのゲート電極、電流制御用TFTのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用TFTの半導体層に電気的に接続された第1の接続配線と、電流制御用TFTのゲート電極および前記スイッチング用TFTの半導体層に電気的に接続された第2の接続配線と、電流制御用TFTの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するEL素子とを有するEL表示装置。 (もっと読む)


【課題】リペアした面発光装置の発光時においても、レーザーにより破壊された部分を目立たなくすることができる、リペア方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、前記透明基板に積層されている陽極と、前記透明電極と対向する陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれている有機層とを有する面発光素子と、を有する面発光装置の短絡部分にレーザーを照射する。レーザー照射により形成される面発光素子の修正部から離れるにつれて、明度に複数の階調を設けるようにする。 (もっと読む)


【課題】硫化亜鉛蛍光体の導電性およびEL素子に加工された際のEL輝度を改善させる方法を提供する。
【解決手段】銅、銀、金、マンガンおよび希土類元素の少なくとも1種類を発光中心金属として含有する硫化亜鉛系蛍光体前駆体と融剤とを混合する混合工程、前記混合物を焼成し、前記硫化亜鉛系蛍光体前駆体を六方晶に転移させる第一焼成工程、前記第一焼成工程で得られた第一焼成物を表面改質剤を含む液体媒体に浸漬する工程、および、前記浸漬工程を経た第一焼成物を再度焼成し、立方晶に転移させる第二焼成工程を含む硫化亜鉛系蛍光体の製造方法であって、前記表面改質剤が、硫化亜鉛との反応によって前記第一焼成物の表面に導電性物質の被膜を形成することが可能な試薬であることを特徴とする硫化亜鉛系蛍光体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】小型で安価な電子撮像系を提供する。
【解決手段】複数のレンズを備え、物体の像を結像する結像光学系と、結像光学系により結像された像を電気信号に変換する撮像面をもつ撮像素子と、結像光学系の最も像側に配置された最像側レンズ群と撮像面との間、又は、撮像面内に配置された自己発光素子と、を有し、自己発光素子が発光し、結像光学系を投射光学系とすることによって、画像を投射する。自己発光素子は透明なEL発光素子であり、撮像面と隣接していることが好ましい。 (もっと読む)


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