【課題】単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。
【解決手段】開口部２を有する平板状基体１と、平板状基体の非開口部に形成された樹脂層３と、樹脂層に固定された単繊維５と、を備え、樹脂層は、所定のピッチで設けられ、単繊維がはまり込む溝部４を有し、単繊維は、前記溝部に接着されたことを特徴とする。 （もっと読む）

ＯＬＥＤデバイス１は、複数の発光ＯＬＥＤセグメントを頂部に有する基板４を有し、複数の発光ＯＬＥＤセグメントの各々は、基板４に面する基板電極５とカウンタ電極７との間に挟まれた有機発光層を少なくとも含むエレクトロルミネセント層スタック６を有し、複数の発光ＯＬＥＤセグメントは、直列接続され、且つ、隣接し合うＯＬＥＤセグメント間に位置する相互接続領域３によって隣接ＯＬＥＤセグメントから分離され、相互接続領域は、隣接し合うＯＬＥＤセグメントの基板電極間に、これら隣接基板電極を相互に電気的に分離する非導電性材料の第１のアイソレーション層１０と、ＯＬＥＤセグメントのカウンタ電極を隣接ＯＬＥＤセグメントの基板電極に接続する導電性材料の導電層９とを有し、非導電性材料及び／又は導電性材料は、隣接ＯＬＥＤセグメントによって放射された光８１を基板の外に向け直して相互接続領域から光を放射するのに適したものである。
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【課題】溶剤による膨潤がなく、フォトレジストなどによるパターン作製に必要なマスクを用いずに、所定の個所にのみ直接描画できる凸版印刷用凸版およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下記工程（ｉ）および（ｉｉ）を含むことを特徴とする凸版印刷用凸版の製造方法；工程（ｉ）：フッ素樹脂からなる基材１の表面１ａに、親水化処理を施すことによって、親水化処理部２０を形成する工程、および工程（ｉｉ）：該親水化処理部２０の表面２０ｓに、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｒａｓｉｏｎ）または切削加工を施すことによって、印刷画像に対応した平面形状の凹部１ｃを形成する工程。 （もっと読む）

【課題】発光素子の素子寿命を長寿命化することを課題とする。
【解決手段】発光層７２の中心部に非発光領域Ｈを形成する。非発光領域Ｈとは、発光層７２が発光しない平面視における領域をいい、その領域において、少なくとも、発光層７２、陽極７１、陰極７３のいずれか１つが形成されておらず、発光層７２が発光しない領域をいう。 （もっと読む）

【課題】配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】配線基板１のキャパシタＣＳに生じた層間短絡１６３を修正する。層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３のうち少なくとも上層電極１４３を除去し、開口部を形成する。短絡包含領域１６４内の下層電極１２２、絶縁膜１３１および上層電極１４３を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせる。 （もっと読む）

本発明は、基板４０を有すると共に、該基板４０上に基板電極２０、カウンタ電極３０及び上記基板電極２０とカウンタ電極３０との間に配置された少なくとも１つの有機エレクトロルミネッセント層５０を備えるエレクトロルミネッセント積層部を有するエレクトロルミネッセント装置１０を開示するもので、カプセル封止手段９０が少なくとも上記エレクトロルミネッセント積層部をカプセル封止し、少なくとも１つの分割部８０，８０'が少なくとも上記カウンタ電極３０を複数の電気的に分離されたカウンタ電極セグメント１１０，１１０'，１１０"に分割し、該分割部８０，８０'の下には非導電性の保護手段７０が基板電極２０上に分割部８０，８０'を超えて配設され、該保護手段７０は基板電極２０上にシャドウイング・エッジの出現を回避するのに適した形状で配設される。
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【課題】
フリットにより封止されたパッケージのレーザによる封止工程で多発していたクラックの発生を抑制した、信頼性の高いパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】
２枚の基体が重なる方向から見たときに、第１張出部と第１張出部と一端同士が鋭角をなすように接続される第２張出部とを含み、第１張出部と第２張出部との接続箇所の線幅が第１張出部及び第２張出部の接続箇所以外の線幅に比べて太くなっている張出パターン部と、張出パターン部と合わせてリング状の閉空間を形成するように、第１張出部及び第２張出部にそれぞれ接続されるリング本体パターン部と、で構成されるリング状のパターンにフリットを配置するフリット配置工程と、レーザを、張出パターン部の第１張出部と第２張出部との接続箇所からリング状のフリットをトレースさせて接続箇所に戻るように走査させるレーザ照射工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板と封止基板とをガラスフリットで封止する際に、ガラスフリット又は基板へのクラック発生を抑制することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１と第二基板２と、第二基板２に対向する第一基板１の面上に設けられ、有機ＥＬ素子を含む発光部３と、第一基板１と第二基板２とを接合すると共に、発光部３を封止する接合部材４と、から構成される有機ＥＬ表示装置１０の製造方法において、以下に示す工程（ｉ）〜（ｉｖ）を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（ｉ）第一基板上に発光部を形成する工程
（ｉｉ）第二基板上にガラスフリットからなる薄膜を形成する工程
（ｉｉｉ）第一基板と第二基板とを対向設置する工程
（ｉｖ）対向設置した第一基板及び第二基板を加熱環境下に置き、ガラスフリットからなる薄膜にレーザー光を照射し接合部材を形成する工程 （もっと読む）

【課題】ドナー基板の全面に共通層の材料となる有機物層を均一に形成し、かつ、転写された基板上では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）それぞれの共通層となる転写層の膜厚を異ならせる成膜方法を提供すること課題とする。
【解決手段】第１の基板上に、第１の吸収層と第１の反射層を有する第１のマスク層と第２の吸収層と第２の反射層を有する第２のマスク層を形成し、さらに有機物層を形成し、有機物層と第２の基板の被成膜面が対向させ、第１の基板の有機物層を形成した面と反対側から光照射して、第１及び第２の吸収層の上の有機物層を昇華させ、第２の基板上に第１のマスク層に対応する第１の画素に第１の転写層及び第２のマスク層に対応する第２の画素に第２の転写層を成膜し、第１及び第２の転写層の膜厚は第１及び第２の吸収層の面積比に応じて異なる成膜方法及びそれを用いた発光装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板に単結晶シリコン層を転載した後にレーザを用いてベース基板に印字をすると、印字ドット周辺部の単結晶シリコン層の膜飛びが起きたり、単結晶シリコン層表面にガラス片などが付着するなどの課題がある。
【解決手段】シリコンウエハの貼り合わせ面にレーザを用いて印字を行い、その後ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によりシリコンウエハ表面を研磨し、印字ドット周辺部の凸部を取り除いた後に、ベース基板に貼り合わせる。ＣＭＰで研磨した後も、化学的エッチング作用により、印字ドット凹部はある程度残っているので、転載時にその部分だけ転載されずに、ベース基板に情報が残る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフレキシブル化する場合に、半導体素子を破壊することなく剥離を行うことを目的の一とする。また、剥離層とバッファ層との密着性を弱める技術の提供を目的の一とする。また、剥離によって半導体素子に曲げストレスが生じない技術の提供を目的の一とする。
【解決手段】剥離層上にバッファ層を介して形成した半導体素子を、エッチング液を用いて剥離層を溶解させることにより剥離を行う。または、エッチング液に接触したことによって剥離層が溶解した領域にフィルムを挿入し、剥離層が溶解していない領域に向かってフィルムを移動させることにより剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】優れたオン電流特性と、優れたオフ電流特性を兼ね備え、かつ歩留まりの向上が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイの狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられる複数の有機ＥＬ素子からなる表示部と、基板１１上であって該表示部の外縁に設けられるコンタクト部１３と、から構成され、前記有機ＥＬ素子が、下部電極２と、有機ＥＬ層と、上部電極６と、をこの順に備えており、上部電極６が前記複数の有機ＥＬ素子に共通して形成され、かつコンタクト部１３に電気接続されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、下記に示す工程（１）〜（４）が含まれることを特徴とする、有機ＥＬディスプレイの製造方法。
（１）下部電極の形成工程
（２）有機ＥＬ層の形成工程
（３）コンタクト部上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程
（４）上部電極の形成工程 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース／ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。絶縁膜は、ゲート絶縁膜と画素電極とを限定する画素定義膜として作用する。 （もっと読む）

【課題】欠陥修正後の有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上する有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ膜ＯＥＬと、有機ＥＬ膜ＯＥＬの下側に設けられる第１導電膜を構成するアノード電極ＡＤ及び反射電極ＲＡＬと、有機ＥＬ膜ＯＥＬの上側に設けられる第２導電膜を構成するカソード電極ＣＤと、を備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に形成する有機ＥＬ素子基板形成工程と、有機ＥＬ素子を上側から覆うように熱可塑性を有する封止樹脂ＰＬを設ける樹脂封止工程と、有機ＥＬ素子の欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された欠陥に、レーザを照射して解消する欠陥解消工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。 （もっと読む）

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス（１）と透明イメージ（Ｉ）とを含み、前記ＯＬＥＤデバイス（２）が発光コンポーネントを含む、照明装置（１）の製造方法が開示されている。ここで前記ＯＬＥＤデバイス（２）は減少した光出力容量を持つ第一部分（Ｐ１）を含む。第一のトーン（Ｔ１）を持つ前記透明イメージの部分が、前記ＯＬＥＤデバイス（２）の前記第一の部分（Ｐ１）と少なくとも部分的に重なる。また照明装置（１）が開示される。
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当該発明は、パターニングされた発光ダイオードデバイス（１０、１２）に関係するが、それは、光を放出する材料の層（２０）を具備すると共に、パターニングされた発光ダイオードデバイスの光放出の窓（６４）を通じて可視のものである光反射性の層（３２）を具備する。光反射性の層は、光反射性の層の局所的な変形物（４０Ａ、４０Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ）で構成されたパターン（４５）を具備する。パターンは、光反射性の層の後方の壁３３を介して入ることがあるところの集光された光ビーム（７０、７２）を突き当てることを介して、又は、光反射性の層に光放出の窓を通じて集光された光ビームを突き当てることを介して、発生させられることがある。変形物は、好ましくは、過剰に多く光反射性の層の伝導性を変えることなく、発生させられる。このパターニングされた発光ダイオードデバイスの効果は、発光ダイオードデバイスのオン状態の間及びそれのオフ状態の両方でパターンが明りょうに可視のままであるというものである。さらには、光反射性の層は、好ましくは、発光ダイオードデバイスのアノードの層３２又はカソードの層３０であることがある。そのようなものとして、光反射性の層の伝導性を維持することによって、パターニングされた発光ダイオードデバイスが、動作中になおも光を放出する材料の全体から光を放出する一方で、実質的にいずれのパターンをも発生させられることがある。
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【課題】 発光素子を複数積層した有機発光装置において、コンタクトホールの傾斜部における電極間でのショート発生を低減することを目的とする。
【解決手段】 第１電極、第２電極、第３電極と、第１電極と第２電極に挟まれた少なくとも発光層を含む第１有機化合物層、第２電極と第３電極に挟まれた少なくとも発光層を含む第２有機化合物層と、第１有機化合物層の一部を除去したコンタクトホールを有する有機発光装置において、コンタクトホールの底部における第２有機化合物層の発光層の膜厚をｄ_１（ｎｍ）とし、コンタクトホールにおける第１電極と第２電極との間のなす角をθとした時、θ≦ｃｏｓ^−１（１５／ｄ_１）を満たす。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を利用した積層薄膜の加工方法において、デブリの影響を低減した積層薄膜の加工方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも第一薄膜層と第二薄膜層とが形成され、該第一薄膜層及び該第二薄膜層に対してそれぞれレーザー光を照射することで該第一薄膜層及び該第二薄膜層のパターニングを行う積層薄膜の加工方法において、以下の工程（１）及び（２）を含むことを特徴とする、積層薄膜の加工方法。
（１）第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３との差分領域１ｂにレーザー光を照射して第一薄膜層を加工する工程
（２）第一薄膜層の加工領域１と第二薄膜層の加工領域３との共通領域１ａにレーザー光を照射して第一薄膜層及び第二薄膜層を加工する工程 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層にレーザー光を照射する場合において、レーザー光の照射時に単結晶半導体層中に不純物元素が取り込まれるのを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製方法において、単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層上に形成された酸化膜を除去し、酸化膜を除去した後に単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射して単結晶半導体層の少なくとも表面を溶融させ、レーザー光の照射による単結晶半導体層の溶融回数は１回とする。 （もっと読む）