【課題】高い電界効果移動度、良好なフィルム形成特性、および複合システムにおける高性能のための適切な形態を示す半導体組成物を提供する。
【解決手段】ボトムゲート型のボトムコンタクト型ＴＦＴ１０は、ゲート電極１８およびゲート誘電体層１４と接触した基板１６を含む。ゲート電極１８は、ここでは基板１６の頂上に記載されているが、ゲート電極は基板内のくぼみとして位置することもできる。ゲート誘電体層１４は、ゲート電極１８とソース電極２０、ドレイン電極２２、および半導体層１２とを分離することが重要である。半導体組成物から形成される半導体層１２は、ソース電極２０とドレイン電極２２との間に延びる。この半導体組成物は、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。半導体層中の小分子半導体は、１００ナノメートル未満の結晶サイズを有する。組成物から形成されたデバイスは、高い移動度および優れた安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】ミキソピロニンの溶解性及び細胞移行性が改善され、広域抗菌スペクトルを示す新規抗菌剤の提供。
【解決手段】極性基であることに加え高細胞移行性を有する抗菌性化合物ホロチンを用いたミキソピロニン類とのハイブリッド型分子として、式（Ｉ）


（式中、Ｙ^１は２価の炭化水素基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は水素又はＣ_１−_３アルキル基を示し、Ｒ^３はピロン骨格を含む基である）で示されるミキソピロニン誘導体又はその薬学的に許容される塩を有効成分とする抗菌剤。 （もっと読む）

【課題】高移動度で環境安定性が高く塗布形成可能な有機半導体を提供する。
【解決手段】特定構造の縮合キサンテンコアを含む低分子半導体化合物を用いる。また、ポリマーバインダーと当該低分子半導体とを含む組成物も用いられる。この組成物から作られる半導体層は、空気中で非常に安定であり、高い移動性を有する。これらの半導体組成物は、電子機器（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））で、半導体層のような層を作成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子又はＳＯ_２を表す。環構造Ａ及び環構造Ｂは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。該芳香族複素環は単一の環構造である。
Ｒ^１およびＲ^２は、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜２０のヘテロアリール基を表す。）
で表される含ピロールヘテロアセン化合物。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として使用できるアザペリレン化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるアザペリレン化合物。


（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリール、ハロゲン、Ｓi（ＲＨ）₃、ＸＲ６から選択されるか、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４の一つ以上が、それらが結合する炭素原子と一緒になって、飽和又は不飽和の、非置換又は置換されている炭素環又は複素環を形成する。） （もっと読む）

【課題】高い電荷輸送性を発揮し得る構造を有するとともに、溶媒への溶解性にも優れる多環縮環重合体を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される構造単位を有する多環縮環重合体。
（もっと読む）

【課題】溶媒に対する溶解度を向上させた有機半導体材料を提供する。
【解決手段】有機半導体材料は含硫黄縮合環化合物を含有する。含硫黄縮合環化合物は、
下記一般式（１）：


（「・」は縮合位置を示している。）
で示される単位Ａをｍ個と、下記一般式（２）：


（「・」は縮合位置を示している。）
で示される単位Ｂをｎ個とを、４≦３ｍ＋ｎ≦１０、ｍ≧１、ｎ≧０の関係を満たすように組み合わせてなる縮合環数が４〜１０の縮合環骨格を有し、縮合環骨格を構成する各ベンゼン環には、特定の官能基が縮合環骨格上において非対称となるように結合されている。 （もっと読む）

【課題】空気安定性、良好な溶解度、および高い移動度を持つ有機薄膜トランジスタ用半導体を提供する。
【解決手段】特定構造のチアキサンテノチアキサンテン化合物を活性層として用いる。チアキサンテノチアキサンテン化合物は主に結晶性または液晶である。この化合物は、空気安定性、良好な溶解度、および高い移動度を確実にするように設計される。有機薄膜トランジスタは一般に、基板２０上に、ゲート電極３０、ソース電極５０およびドレイン電極６０、ゲート電極をソースおよびドレイン電極と分離する電気絶縁ゲート誘電体層４０、およびゲート誘電体層と接触し、ソースおよびドレイン電極を架橋する半導体層７０を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度がさらに向上した有機半導体デバイス、該デバイスに含まれる薄膜及び該薄膜に含まれる化合物が求められていた。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、及びＳＯ_２を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数４〜３０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるジカルコゲノベンゾジピロール化合物。 （もっと読む）

【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度、良好な加工性および酸化安定性を有する、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明は、新規なモノ、オリゴおよびポリチエノ［２，３−ｂ］チオフェン、半導体または電荷輸送材料としての、光学的、電気光学的または電子デバイス、例えば液晶ディスプレイ、光学フィルム、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび集積回路デバイス、例えばＲＦＩＤタグ、フラットパネルディスプレイにおけるエレクトロルミネセントデバイスのための有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴまたはＯＦＥＴ）における、並びに光起電およびセンサーデバイスにおけるこれらの使用、並びに新規なポリマーを含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはＩＤタグに関する。 （もっと読む）

【課題】発光効率と駆動電圧が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】発光層と透明導電性層と電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該電子注入層が該発光層に近い側から第一電子注入層、第二電子注入層の二層構成を有し、かつ、該第一電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップに対して、第二電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップが狭いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置。 （もっと読む）

【課題】Ｔ₁（最低三重項励起準位）が高いベンゾチエノベンゾチオフェン化合物の提供。
【解決手段】下記一般式［１］乃至［３］のいずれかで示されることを特徴とする、ベンゾチエノベンゾチオフェン化合物。


（式［１］乃至［３］において、Ａｒは、フェニル基、フェナンスリル基、フルオレニル基、トリフェニレニル基から選ばれるアリール基である。） （もっと読む）

【課題】高い移動度および良好な膜形成性を示す半導体化合物を提供する。
【解決手段】下式の低分子半導体。


〔Ｒ１、Ｒ２は、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルキルチオ等〕 （もっと読む）

【課題】非平面フタロシアニンの弱エピタキシャル膜の調製用である固溶体誘起層、および固溶体誘起層上での弱エピタキシャル成長から生成される非平面フタロシアニンの薄膜、非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長薄膜に基づく有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】固溶体誘起層は、ＩおよびＩＩによって表される２つの誘起層分子の共蒸着によって調製される。


（式中、Ａｒは、共役芳香族基、または下記の構造：


の１つであり、Ｒ１、Ｒ２は、ＨまたはＦである） （もっと読む）

【課題】電子輸送性に優れたｎ型半導体として利用可能であり、しかも溶剤への溶解性にも優れる共役系化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される共役系化合物。［式中、Ｒ^０１及びＲ^０２はアルカン骨格を含む１価の基。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^２１及びＲ^２２は水素原子、ハロゲン原子又は１価の基。Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^２１及びＸ^２２は＝Ｏ，＝Ｓ又は＝ＣＡ_２（Ａは水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示すが、その少なくとも１つは電子吸引性の基。）を示す。Ｚ^１及びＺ^２は−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−Ｔｅ−，−ＳＯ−等のいずれかの基を示す。Ａｒ^０、Ａｒ^１及びＡｒ^２は芳香族炭化水素基又は複素環基を示す。ｒは１〜６の整数、ｓ及びｔは０〜６の整数を示す。］
（もっと読む）

【課題】入手が容易な出発原料から製造されるものであって、その反応工程数が抑えられつつ高収率で安定的に得られる導電性材料として有力なシクロペンタジチオフェン誘導体を提供する。
【解決手段】シクロペンタジチオフェン誘導体は、下記化学式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１及びＲ^４は、それぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基であって、Ｒ^１及びＲ^４が同時に水素原子である場合を除く）で示されるものである。 （もっと読む）

【課題】大気中で保管しても特性が劣化しにくい化合物、有機半導体材料、及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。
【化１】


（式中、Ｘはカルコゲン原子であり、Ｚは炭素のみで構成されるか、環内に硫黄、酸素または窒素を1つ以上含む芳香環構造である。この芳香環は置換基を付与できる。ｎは１〜３の整数であり、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基である。） （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を有する新規な化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される構造単位を連続して２個以上有する化合物。
【化１】


（式（１）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ置換基を有してもよい２価の芳香族基であって、Ａｒ^１およびＡｒ^２のうちの少なくとも一方は置換基を有してもよい２価の複素環基である。Ａｒ^１とＡｒ^２とは同一でも異なっていてもよい。Ｇは直接結合または連結基であり、複数個存在するＧは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１およびＲ^２は水素原子または、置換基を有してもよい炭素数が１〜２０の１価の炭化水素基である。Ｒ^１とＲ^２とは同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料として下記式（１）で表される化合物を含有し、特定のトップゲート−ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換Ｃ１−Ｃ３６脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】ベンゼン環を含むπ電子共役系化合物及びその薄膜の製造方法、加えて該薄膜の有機電子デバイスへの応用の提供。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体Ａ-（Ｂ）mを含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、下記式(ＩＩa)及び(ＩＩb)の脱離性置換基を脱離させ、Ａ-（Ｃ）mのπ電子共役系化合物の膜状体を製造する。


(Ａはπ電子共役系置換基、Ｂは式(Ｉ)の構造を部分構造として有する置換基、mは自然数である。ただし、Ｂは式(Ｉ)中、(Ｘ₁,Ｘ₂),(Ｙ₁,Ｙ₂)の置換位置の炭素原子を除くＡ上の任意の原子と共有結合を介して連結しているか、Ａ上の(Ｘ₁,Ｘ₂),(Ｙ₁,Ｙ₂)の置換位置の炭素原子を除く任意の炭素原子と縮環し、Ｃは式（ＩＩ）の構造を部分構造として有している。） （もっと読む）