【課題】レーザ光を使用して被加工物を加工する際に、切断品位を向上させる。
【解決手段】同じ一定の繰り返し周波数を有する第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを重畳させて、重畳された第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを被加工物に対して照射する。第１のパルスレーザ光のパルス列Ｐ１と第２のパルスレーザ光のパルス列Ｐ２とが一定の時間的な関係であるずれ時間Ｔｄを有するように、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とを同期させる。２つのパルスレーザ光を同期させる態様として、ずれ時間Ｔｄ＝０の場合及びずれ時間Ｔｄ≠０の場合が存在する。これにより、被加工物に応じて、ずれ時間ＴｄとしてＴｄ＝０を選択し、又は、ずれ時間ＴｄとしてＴｄ≠０であって被加工物に対して最適な時間を選択して、被加工物を加工する。 （もっと読む）

【課題】特定可能なビーム位置決め装置加速により、円状穴開け運動を開始し終了する方法を提供すること。
【解決手段】標本からの材料の高速除去は、様々な円形５０及びスパイラル状レーザツールパターンに沿ってレーザビーム軸を指向するのにビーム位置決め器を使用する。材料除去の好ましい方法は、ビームの軸と標本との間に相対運動を引き起こすこと、入口セグメント加速度で入口軌跡５２に沿ってレーザビームパルス放射５８が開始される標本内の入口位置５４へビーム軸を指向すること、標本の円形セグメントに沿って材料を除去するために標本内の円形周囲加速度でビーム軸を移動すること、そして入口セグメント加速度を２倍未満の円形周囲加速度に設定することを要する。 （もっと読む）

【課題】負荷制御音響光学変調器（ＡＯＭ）に対する不規則な熱的負荷変動による、レーザビーム品質及び位置決め精度に歪みを引き起こすことなく、高繰り返しレートレーザパルス列から不規則に加工レーザパルスを捕獲する。
【解決手段】レーザは、レーザ空洞放出動作によって、かつエネルギー誤差を補償するためにダミーパルス期間を調節するためのその情報を利用することによって、工作物を任意の期間でかつ実質的に一定のエネルギーレベルで供給されるレーザパルス１９２で処理する。ダミーパルス１９４は、工作物に到達することから遮断されるレーザパルスである。第２の方法は工作物に送られるレーザエネルギー量を変動させるＡＯＭを使用する。第３の方法は、ダミーパルス１９４が開始されるときはいつでも、追加のレーザ空洞充電時間を許容するために選択パルスのパルス期間２００を延長することを伴う。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザのピーク値を安定させることができ、高いピークのレーザ出力を得ることができるレーザ加工機を得ること。
【解決手段】レーザ加工機は、パルスレーザの周波数を指令する周波数指令に応じて、電源制御パルスを出力する制御部と、前記電源制御パルスに応じて、電力パルスを生成して出力する電源部と、前記電力パルスに応じて、パルス発振してパルスレーザを出力するレーザ発振器とを備え、前記制御部は、前記周波数指令に応じて、前記電源制御パルスの応答時定数を決定する決定部と、前記決定部により決定された応答時定数に従って、前記電源制御パルスを生成して出力する生成部とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドからなるウェハの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成して分割することができるチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンカーバイドからなるウェハに無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をウェハの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってウェハの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。次いで、損傷を形成されたウェハに機械的応力を印加して、切断予定ラインに沿ってウェハを分割する。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することでクラックの発生を制御し、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第１の直線上にパルスレーザビームの第１の照射を行い、第１の照射の後に、第１の直線に略平行に隣接する第２の直線上に前記パルスレーザビームの第２の照射を行い、第１の照射および第２の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】速度制御が困難な球面に対して、レーザーにより微細溝加工を実施する。
【解決手段】ワーク回転用モータ１２のシャフト１２ａの端部に取付けられた被加工球体１４と、加工用レンズ１９を介して被加工球体１４の中心にパルス状のレーザー光が入射するように配設されたレーザー発振器１８と、被加工球体１４の中心を通り且つ前記シャフト１２ａと直交する回転ブロック回転用モータ１５のシャフト１５ａに固着され、該シャフト１５ａに直交し且つシャフト１２ａに平行に配設されて該シャフト１２ａを保持する回転ブロック１６とを備え、前記被加工球体１４の回転速度、前記回転ブロック１６の回転速度、前記レーザー発振器１８のパルス繰り返し周波数の３つのパラメータの内、少なくとも２つ以上のパラメータの組合せによって、前記被加工球体１４の球面上のパルス照射密度が一定になるように同期制御を行う。 （もっと読む）

【課題】加工効率を向上させることができるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１では、光源部１０から出力されるレーザ光は、そのビーム断面が光形状整形部２０により一方向に長い形状に整形された後、集光光学系３０により被加工物２に集光される。これにより、該被加工物２においてレーザ光集光位置から上記一方向および集光光学系の光軸の双方に垂直な方向にクラックが生じて被加工物２が加工される。また、移動ステージ４０により被加工物２が移動されて被加工物２が加工されることにより、また更には、移動ステージ４０による被加工物２の移動に応じて光形状整形部２０によるレーザ光のビーム断面形状の整形が制御されることにより、被加工物２に対して様々な形態の加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】透明材料をスクライビングないし溶接する方法を提供する。
【解決手段】透明材料をスクライブするため、材料を横切るレーザビームのシングルパスで多重スクライブ造作を創るために、超短レーザパルスを使用し、該スクライブ造作の少なくとも一つは材料の表面下に形成され、クリーンな割断を可能にする。透明材料を溶接するための方法は、局在化された加熱を通して接合を創り出すために、超短レーザパルスを使用する。超短パルス持続時間は、レーザ放射の非線形吸収を起こし、レーザの高繰り返し率は、材料内に熱のパルスからパルスへの蓄積を起こす。レーザは材料の界面近くに集光され、溶接されるための領域に高エネルギーフルーエンスを生成し、材料の残部への損傷を最小化し、きれいな溶接線を可能にする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池またはエレクトロルミネッセンスデバイスの製造過程における、裏面電極膜及び光電変換層をともに切削除去する加工を支障なく遂行し、透明導電膜等へのダメージを回避する。
【解決手段】最上層にある裏面電極膜３に向けてレーザ光４３を照射して少なくとも裏面電極膜３を切削する第一の照射工程と、第一の照射工程にてレーザ光４３を照射した箇所の近傍にレーザ光４４を照射して裏面電極膜３の下方に残存する光電変換層２を切削する第二の照射工程とを個別に実行することとした。第一の照射工程にて照射するレーザ光４３と、第二の照射工程にて照射するレーザ光４４とは、波長、出力、パルス幅またはビームプロファイルを相異させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工溝を越えてチッピングが発生することを抑制し、デバイスを損傷させる恐れのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に低誘電率絶縁膜を含む積層体が積層され、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該積層体を分断するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、該レーザ加工溝形成ステップで形成されたレーザ加工溝に沿ってウエーハにレーザビームを照射して、該レーザ加工溝の底面に歪を形成する歪形成ステップと、該歪形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝に沿って切削ブレードでウエーハを切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜材料のスクライブ加工に好適なレーザパルスを用いる方法及び装置を提供する。
【解決手段】光パルスを生成するように動作可能なレーザを用意するステップを含む。光パルスは、第１のパワーレベルを光パルスの第１の部分の期間中有し、第１のパワーレベル未満の第２のパワーレベルを光パルスの第２の部分の期間中有する時間プロファイルを特徴とする。この方法はまた、光パルスをＣｄＴｅ太陽電池構造に当てるように誘導するステップを含む。ＣｄＴｅ太陽電池構造は、基板、基板に隣接する透過スペクトル制御層、透過スペクトル制御層に隣接するバリア層、及びバリア層に隣接する導電層を含む。この方法はまた、導電層の除去加工を開始するステップと、絶縁層を除去する前に除去加工を終了するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】リチウムタンタレート(LiTaO₃)やリチウムナイオベート(LiNbO₃)等の非線形結晶基板であってもクラックが発生することなくレーザー加工溝を形成することができる非線形結晶基板のレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】非線形結晶基板の被加工面に分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、レーザー加工溝を形成する非線形結晶基板のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、パルス幅が２００ps以下に設定され、繰り返し周波数が５０kHz以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームがウエーハをオーバーランしてもダイシングテープが溶融及び酸化することのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、ウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持工程と、環状フレームに支持されたウエーハをダイシングテープを介してレーザ加工装置のチャックテーブルで吸引保持する保持工程と、第１の強度のレーザビームを分割予定ラインに対応する領域に照射してウエーハの表面に分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割予定ラインの延長線上の外周余剰領域に該第１の強度より低く該ダイシングテープを溶融しない第２の強度のレーザビームを照射して、分割を誘導する誘導溝を形成する誘導溝形成工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無く、またウエーハの表面にダイシングテープを貼着することなくウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】走査回数を増やすことなく、基板の表面と基板内部とに、短パルスレーザによる加工が行える基板加工装置を提供する。
【解決手段】短パルスレーザ光源３１と、短パルスレーザビームを第一光路側と第二光路側とに分岐する光路分岐部３５と、第二光路側が第一周波数よりも小さな第二周波数で繰り返し発振するように繰り返し発振周波数を変換するパルスピッカー部３９と、第二光路側の出力パワーが第一光路側の出力パワーよりも大きくなるように調整する出力調整部３６と、第一光路側および第二光路側を重ね合わせた合成レーザビームを形成する光路合成部４６と、対物レンズ４９を含み、基板に向けて合成レーザビームを照射する合成レーザビーム照射光学部４８と、合成レーザビームを相対的に走査させる走査機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】被加工物に照射するレーザビームの本数を容易に変更可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザビーム照射手段は、レーザビーム６９を発生するレーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを集光して被加工物に照射する集光レンズと、該レーザビーム発生手段と該集光レンズとの間の光路に配設され、該レーザビーム発生手段が発生したレーザビームを複数のレーザビームに分岐するレーザビーム分岐手段７４とを含み、該レーザビーム分岐手段は、レーザビームを分岐する分岐数が互に異なる複数の回折光学素子８２ａ〜８２ｇと、該複数の回折光学素子の内の一つを選択的にレーザビームの光路に位置付ける位置付け手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いて、対象物の所定箇所をさらに正確にかつ能率よく加工し、修正を行う
【解決手段】基板を載置するステージと、基板を加工する加工部となる局所排気領域と、ステージに向けてガスを噴射することにより該ステージから浮上するためのガス供給部と、ステージに向けて噴射したガス及び局所排気領域から該ステージ側に供給されたガスを排気する排気部とを備えた局所排気装置を有する。
局所排気装置は、局所排気領域に繋がる流路を、薄膜形成用の原料ガスを供給する原料供給部と、エッチングにより局所排気領域内に発生したダストを排出する局所排気部とに切り換えて連通させる切換手段を備える。そして、基板に薄膜を形成する場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が原料供給部に連通され、基板をエッチングする場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が局所排気部に連通される。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０に内部改質層１４を形成し、内部改質層１４は、基板１０の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層１４は、基板１０の深さ方向に非対称な構造を有する。 （もっと読む）