【課題】レーザを透過する透明体の表面を緻密にエッチング加工する方法を提供する。
【解決手段】溶液１１を接触させた透明体６にレーザ光２を照射して透明体６と溶液１１との界面部７をエッチング処理するに際し、溶液の単色吸収係数αをα≧１３．８cm^-1とし、レンズ５を用いてレーザ光２を集光し、孔１３が透明体６の内部に進展するにつれて、レーザ光２の焦点が孔１３の最深部に合うようにレンズ５と透明体６との相対位置を変化させながら透明体６をエッチング処理する。透明体６の下面を溶液１１に接触させ、透明体６の上面からレーザ光２を照射する場合は、孔１３が進展するにつれてレンズ５を上方に移動させながら透明体６をエッチング処理し、貫通孔などの孔１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】強い応力を部品のかなり深くに生じさせ、それによってより厚い金属部分により大きな湾曲を生じさせることができるレーザピーニング加工を提供する。
【解決手段】金属表面上の吸収層に６０〜２００ジュール／平方センチメートルのエネルギ流束量を生じさせるために、１パルス当たり１０〜１００ジュールの光ビームが投影される。水の充填層が吸収層上に流される。レーザ光線の吸収はプラズマの形成を生じさせ、その結果として金属に深い残留圧縮応力を誘起する衝撃波を生じさせる。金属は曲がることによってこの残留応力に反応する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来にはないレーザピーニング処理方法とそのようなレーザピーニング処理を行うためのレーザ吸収粉体層シートの提供にある。
【解決手段】本発明のレーザピーニング処理方法によれば、レーザを照射した際に発生するプラズマの衝撃波により粉体又は混合物１３Ｆをワーク１０の被加工面に打ち込むという従来にはない新規な方法でレーザピーニング処理を行うので、新しい材料特性を有した製品の製造が可能になる。しかも、ワーク１０の被加工面が金属で形成されている場合には、粉体又は混合物１３Ｆがワーク１０の被加工面に打ち込まれると、ワーク１０の表面部が塑性変形して金属結晶が細分化するので、ワーク１０の被加工面が硬化して、ワーク１０の被加工面の耐摩耗性、耐摺動性及び耐腐食性が著しく向上する。 （もっと読む）

【課題】広範囲に渡る欠陥領域を迅速に除去すると共に、欠陥除去に係る品質低下を防止することを可能とする欠陥除去装置等を提供する。
【解決手段】欠陥除去装置１は、Ｚ方向位置決め機構１７を制御し、ノズル９と欠陥領域５５との間隔を調整する。欠陥除去装置１は、Ｘ方向位置決め機構１５、Ｙ方向位置決め機構１６、θ方向位置決め機構１８を制御し、基板３と水柱レーザ照射装置７との相対的位置決めを行う。欠陥除去装置１は、欠陥領域５５内の照射点５７の位置に水柱レーザ照射装置７のノズル９を移動させる。欠陥除去装置１は、ノズル９から欠陥領域５５の着色剤２７に向けて水を連続噴射して水柱３１を形成する。欠陥除去装置１は、水柱３１中にレーザ光３２を集光して水柱レーザ３３として欠陥領域５５の着色剤２７に照射し、当該着色剤２７を溶解流出させて除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に液体を供給しながらレーザー光による処理を行う際に、前記液体中に発生する気泡の影響が抑えられ、被処理位置へのレーザー光の照射を高精度で行うこと。
【解決手段】基板Ｗの被処理位置にレーザー光Ｌ１を照射する光照射部と、液体供給源と、液体供給路を介して液体供給源に接続され、その口径が０．４〜１．０ｍｍである液体吐出口５１ａを有し、液体供給源から供給された液体を基板Ｗに流速２０〜３０ｍ／ｓで２０〜３５度の俯角方向から供給する供給ノズル５１と、吐出された液体の案内部材５６と、レーザー光の照射スポットの中心が、前記供給ノズル５１の液体吐出口５１ａを吐出方向に延長したときの基板Ｗの投影領域Ｒに収まった状態で基板保持部２１と、前記光照射部、案内部材５６及び供給ノズル５１とを相対的に水平方向に移動させる移動機構と、を備えた処理装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の基板面に反射防止膜の形成が不要で、半導体基板内部へのレーザ光の入射を抑制することなく、レーザ光の反射を抑制し、レーザ光の照射効率を向上させることができる半導体基板の分断装置を実現する。
【解決手段】 半導体基板２１をステージ１２に載置し、水１０が貯留されている浸漬槽１１の上方から浸漬する。次に、レーザヘッド３１を分断予定ラインＤＬに沿って走査し、レーザ光Ｌを基板面２１ａから照射することにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐが走査された深さｄの経路に、改質領域Ｋが適正に形成される。半導体基板２１を水１０に浸漬することにより、基板面２１ａにおけるレーザ光Ｌの屈折率の差を小さくできるので、基板面２１ａにおけるレーザ光Ｌの反射を抑制することができ、レーザ光Ｌの照射効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。
【解決手段】 被加工膜１０７上に有機樹脂で構成された有機膜１４９を形成する工程と、有機膜１４９の内部応力を小さくする工程と、有機膜１４９に加工光を照射し、加工領域の有機膜１４９を選択除去する工程と、有機膜１４９をマスクとして、被加工膜１０７をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】管体の設置状態、構成状態に依らず、確実に残留応力を改善できる管体の残留応力改善方法及び残留応力改善装置を提供する。
【解決手段】円筒状の管体２の溶接部分の外周面に、管体２の外周を周回させながらレーザ光を照射する際、レーザ光による加熱により発生する管体２の内面の周方向応力が、少なくとも配管２を構成する材料の降伏応力より大きくなるように、レーザ光の照射による周方向加熱幅Ｗ及びレーザ光の周方向移動速度Ｖを設定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ溶接、レーザ切断等の水中施工の際に発生する二次生成物を、容易かつ確実に回収することのできる水中施工装置および方法を提供する。
【解決手段】溶接ヘッド３を備え水中施工すべき部材（２）の表面に設置されて密閉室を画成する施工ヘッド２５と、施工ヘッド２５に光ファイバー５で接続され溶接ヘッド３にレーザ光を供給するレーザ発振器６と、施工ヘッド２５にガスホース２７で接続され溶接ヘッド３と水中施工すべき部材（２）の間にシールドガスを供給するシールドガス供給装置２８と、施工ヘッド２５に給排水ライン１５で接続され施工ヘッド２５に水を供給するとともに水中施工すべき部材（２）への溶接ヘッド３による施工によって生じる二次生成物を吸引して回収する回収装置１７および給排水装置２６とを備えている構成とする。 （もっと読む）

【解決手段】 基板２ａ上に非晶質半導体膜を積層させた被加工物２に対し、加工ヘッド６に設けられた噴射ノズルより純水を液柱Ｗ状にして噴射し、該液柱Ｗ内にレーザ光Ｌを導光する。
液柱Ｗ内を導光されたレーザ光Ｌが照射されることで、アモルファスシリコン膜２ｂはポリシリコン膜へと結晶化し、この際液柱Ｗの純水がアモルファスシリコン膜２ｂに沿って広がるので、レーザ光Ｌが照射される部分は純水によって覆われ、大気と接触しなくなる。また、レーザ光Ｌによって加熱された部分は液柱Ｗの純水によって急激に冷却され、結晶化したポリシリコンの結晶粒を大きくすることができる。
【効果】 レーザアニールの作業を容易に行うことができ、レーザアニール装置を簡易な構成とすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】被加工物３に対してレーザ光Ｌを照射して切断加工を行う間には、電磁開閉弁弁３３を閉鎖してポンプ２５とアキュムレータ３４との連通を阻止して、アキュムレータ３４だけから高圧水を加工ヘッド２へ送液してノズル１５を介して被加工物３に噴射する。
被加工物３に対して切断加工が終了して、新旧の被加工物２を搬入搬出する間は、電磁開閉弁３３を開放してポンプ２５とアキュムレータ３４とを連通させ、ポンプ２５から送液される高圧水をアキュムレータ３４に充填する。
【効果】ノズル１５の損傷を防止して、加工精度が高いハイブリッドレーザ加工装置１を提供できる。 （もっと読む）

【課題】レーザービームを用いた電子部品の加工の結果として新たな境界面が形成される位置において、レーザーを用いて加工された電子部品の汚染に対処することのできる解決法を提供する。
【解決手段】本発明は、レーザービームを用いて電子部品を加工し、それを洗浄するための方法に関し、ここでレーザービームによって少なくとも１つの新たな境界面が電子部品上に形成される。本発明はまた、レーザービームを生成するためのレーザー光源と、分離されていない電子部品のアセンブリを支持するための少なくとも１つのキャリアとを少なくとも含む、電子部品を加工および洗浄するための装置にも関し、ここでキャリアとレーザービームとは、互いに対して移動可能である。 （もっと読む）

【課題】 切断時における切断粉の発生を防止できると共に、切断後の取り扱い時におけるガラス繊維粉の発生を防止できるようにする。
【解決手段】 ガラス繊維基材２に熱硬化性樹脂を含浸し半硬化させたプリプレグＰにレーザ光６，９を照射してこのプリプレグＰを切断する一方、切断後の熱硬化性樹脂の硬化により、この熱硬化性樹脂によってガラス繊維基材２の切断端部側を包んだ状態で固める。その際、レーザ光６，９をプリプレグＰに対して切断方向に相対的に移動させながらプリプレグＰを切断し、またプリプレグＰに対してレーザ光６，９の照射域を含む噴射領域に冷却用ガスを噴射して、この冷却用ガスによりプリプレグＰの切断箇所を冷却する。 （もっと読む）

【課題】 タービンロータの翼植込み部等の複雑な形状の部位の対象物に対しても容易にピーニング加工を行うことができる気中ピーニング加工装置を提供する。
【解決手段】 この気中ピーニング加工装置１１は、レーザパルス光を出射するレーザ発振器７４と、レーザパルス光を気中にある被加工面２７近くまで伝送する光ファイバー１２と、光ファイバーからのレーザパルス光を取り込み、前記被加工面にレーザパルス光を照射する照射装置１３とを備えた気中ピーニング加工装置であって、照射装置は被加工面に液体を流すための噴射ノズル２５とレーザパルス光を集光して出射する中間レンズ１８，１９、前面レンズ２１とレンズの近辺に設けられレンズの表面に液滴が付着するのを防止する水遮蔽パイプ２４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射によりアブレーション加工する際に生じる加工飛散物が加工対象物の表面に再付着するのを防止することが出来るレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法を得る。
【解決手段】 基板上に形成する透明樹脂層・樹脂膜・金属薄膜をパターニングするレーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法に於いて、基板５上に透明樹脂層８を形成する際に、基板５の上側に配設したレーザ照射手段とデブリ回収部４の光学投影レンズ群１８、１９、２０、２１の終端レンズ２１の開口部に液体３を循環させ、被加工対象物である基板２上に形成する透明樹脂層・樹脂膜・金属薄膜２２の加工表面間に局所的に液浸部２４を形成して、レーザビーム１７の照射でパターニング時に発生するデブリ・ドロス・ミスト・ヒュームなどの微小パーティクルを液浸部２４に放出させて、循環回収する。 （もっと読む）

【解決手段】 ハイブリッドレーザ加工装置１は、加工ヘッド６にレーザ光Ｌを発振するレーザ発振器４と、加工ヘッドに高圧液体を供給する液体供給手段５とを備えており、加工ヘッドの先端に設けられた噴射孔４８から液柱Ｗを噴射させると共に、この液柱にレーザ光を導光することで、被加工物２の切断を行うものとなっている。
被加工物に衝突した液柱は、加工ヘッドに向けて跳ね返るが、この液体は仕切部材４４によって遮られるので、加工ヘッドと仕切部材との間の気体通路内で液柱Ｗに向かう気流が乱されることは無く、液柱に沿って流通する気流により、液柱は拡散することなく被加工物まで到達する。
【効果】 噴射孔と被加工物とが接近していても、安定した液柱を長く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 コンクリートや岩石等の無機材料もしくは有機材料，又はその両方からなる構造材を被加工材として切断または破砕加工する際し，加工のためのレーザビームのエネルギー利用効率を可及的に高く，且つ高速加工ができる構造材のレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 構造材を被加工材とするレーザ加工方法において，被加工材の溶融，高温軟化，熱分解，又は昇華を抑制した熱応力起因の破砕現象を利用して加工することにより，レーザビームのエネルギー損失を抑制し高エネルギー効率で高速にレーザ加工を実施することができ，さらに，充分な加工精度とエネルギー効率を持ち，比較的小容量のレーザ装置で実施可能な加工を実現できる。 （もっと読む）

【解決手段】 レーザ発振器４から発振されたレーザ光Ｌは、導光手段７を構成する光ファイバ１２によって加工ヘッド６まで導光され、加工ヘッドには高圧ポンプ５よって高圧の液体が供給される液体通路２５が形成され、この高圧の液体は加工ヘッド６の下端に設けられた噴射ノズル２３の噴射孔２４から液柱Ｗとなって噴射される。
上記光ファイバは上記液体通路の内部に露出しており、さらに光ファイバのファイバコア１２ａの先端は、ファイバクラッド１２ｂよりも突出して上記噴射孔近傍に接近している。
そしてファイバコアから照射されたレーザ光は、噴射孔に形成された第１傾斜面２４ａに反射した後上記液柱に導光され、被加工物２の加工が行われる。
【効果】 容易に液柱にレーザ光を導光することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 光ビーム（３３０）を使用して基板（１２５）の第１の側にスロット（１４０）を切削する。スロット（１４０）を切削している間、光センサ（３７０）が、基板（１２５）の第１の側と反対の第２の側の表面（１４２）をモニタする。光ビーム（３３０）が第２の側の表面（１４２）を貫通した場合にセンサ（３７０）が光ビーム（３３０）を検出する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により分割されたチップの抗折強度を向上させるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 レーザ光を照射してアブレーション反応により被加工物に切削溝９２を形成するレーザ加工方法であって，被加工物の表面において，形成された切削溝９２の両側に，切削溝９２の縁部から外側に５μｍ以上２５μｍ以下離隔した位置に，深さが０．１μｍ以上２０μｍ以下の補助溝９３を形成する。これにより，熱応力が断絶されてチップの抗折強度が向上される。また，補助溝９３を形成する代わりに，切削溝９２の内部にエッチング液９４を供給し，切削溝９２に滞留したエッチング液９４に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光１０１を照射して加熱する。これにより，切削溝９２の縁部に堆積したデブリ９１が除去され，チップの抗折強度が向上する。また，エッチング液９４の代わりにアシストガス９５を供給してもよい。 （もっと読む）