説明

Fターム[4F209AJ09]の内容

曲げ・直線化成形、管端部の成形、表面成形 (35,147) | 装置又は装置部材の材料の特徴 (2,124) | 構造の特徴 (1,126) | 積層構造(被覆層、表面層の構造など) (490)

Fターム[4F209AJ09]に分類される特許

101 - 120 / 490


【課題】モールドのパターン内部への樹脂充填性と、樹脂層に対するモールドの離型性を確保したパターン形成方法と、このパターン形成方法を利用したナノインプリント転写に使用するナノインプリントモールドとナノインプリント用転写基材とを提供する。
【解決手段】ナノインプリントモールド1を、基体2と、この基体2の一方の面2aに位置する転写形状部3と、少なくとも転写形状部3上に位置する濡れ性変化層4とを備えたものとし、濡れ性変化層4は第1の波長の光を照射することによる水に対する接触角の減少と、第2の波長の光を照射することによる水に対する接触角の増加が可逆的に起こるものとする。 (もっと読む)


【課題】微細パターンを形成する際に生じるバリの高さを抑制することと、樹脂にパターン面を押し付ける際にモールドの基体部が樹脂に接触することを抑制することを両立することが可能なナノインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】モールド1aは、モールド基体部3とモールド本体部5とを備える。モールド本体部5の表面5Sは、ナノインプリント用のパターン5Pが形成されたパターン面5S1と、パターン面5S1の外縁5S1X、5S1Yに沿って設けられた副表面5S2とを有する。表面3Sと垂直な方向における副表面5S2からモールド基体部3の表面3Sまでの最長距離H5S2は、モールド基体部3の表面3Sと垂直な方向におけるパターン面5S1からモールド基体部3の表面3Sまでの距離H5S1よりも短く、これらの差D5Sは、ナノインプリント用のパターン5Pの深さよりも大きい。 (もっと読む)


【課題】電子線照射によるレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させる手段において、酸素が存在する雰囲気中でも、レジストパターンの形状劣化を防止し、微細な転写パターンを形成することを可能とするナノインプリント用モールドの製造方法およびレジストパターンの形成方法を提供する
【解決手段】レジストパターン2を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜3を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線4を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】樹脂部へのパターン転写の際に生じるバリに起因する悪影響を抑制することが可能なナノインプリント用モールドの製造方法等を提供する。
【解決手段】ナノインプリント用モールドの製造方法は、パターン5Pが形成された第1面5S1と、第1面5S1とは反対側の第2面5S2とを有し、紫外線が透過可能な材料からなるモールド本体部5を準備する工程と、モールド本体部5を固定するための表面3Sを有し、紫外線が透過可能な材料からなるモールド基体部3を準備する工程と、モールド本体部5の第2面5S2をモールド基体部3の表面3Sの一部に固定する工程とを備える。モールド本体部5において、第1面5S1から第2面5S2に向かう方向と垂直方向の幅が、一定、又は、第1面5S1から第2面5S2に向かうに従って減少する。 (もっと読む)


【課題】多段構造の寸法精度を向上したインプリントモールドの製造方法およびインプリントモールドを提供することを課題とする。
【解決手段】3次元の多段構造パターンを有するインプリントモールドの製造方法において、基板11に酸化膜12を形成する第1の工程と、第1の工程後に、感光性樹脂14を基板11に形成し、感光性樹脂14は酸化膜12を被覆する第2の工程と、感光性樹脂14をマスクにして基板11を選択的に除去して、基板11に第1凹部パターン15を形成する第3の工程と、感光性樹脂を除去した後、酸化膜12をマスクにして基板11を選択的に除去して、基板11に第2凹部パターン16を形成する第4の工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速搬送によってエンボス形成した場合に発生する同伴エアーを低減させ、低速搬送時と同一形状を有するエンボスを形成する。
【解決手段】マットローラ31と、フィルムFをマットローラ31と挟持して搬送することで、フィルムFにエンボスを形成するエンボス形成ローラ32と、マットローラ31とフィルムFとの間に発生する同伴エアーを緩和させるエアー緩和手段とを備え、エアー緩和手段を、表面粗さ(Ra)が1.0μm≦Ra≦10μmで規定されるマットローラ31で構成した。 (もっと読む)


【課題】良好なスループットを維持できるように十分な光透過性を有すると共に、被転写体に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れるナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置を提供する。
【解決手段】複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、光重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層を、光透過性の支持基材上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパ3であって、前記光重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、0.3質量%以上、3質量%以下であり、前記微細構造体層は、波長365nmの光を80%以上透過することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多段構造の寸法精度を向上したインプリントモールドの製造方法およびインプリントモールドを提供することを課題とする。
【解決手段】3次元の多段構造パターンを有するインプリントモールドの製造方法において、第1基板11を選択的に除去して第1凹部パターン14を形成する工程と、この工程で第1凹部パターン14が形成された第1基板11に、第2基板15を貼り合わせる工程と、第2基板15を選択的に除去して第2凹部パターン16を形成する工程とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】継ぎ目のない単粒子膜がロールを被覆した単粒子膜被覆ロールを簡便に製造できる単粒子膜被覆ロールの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の単粒子膜被覆ロールの製造方法は、ロール11を水中に浸漬させる浸漬工程と、水面Aに単粒子膜12を形成する単粒子膜形成工程と、ロール11を、その中心軸が鉛直方向に向いた状態で水面A上に引き上げて、単粒子膜12をロール11の周面11aに移行させる移行工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】インプリント材料の充填速度を制御する。
【解決手段】実施形態のインプリント用のテンプレートは、一方の面に凹凸を有するパターンが形成された第1部材を備え、被加工基板上に塗布された光硬化性のインプリント材料に前記一方の面を接触させた状態で、前記第1部材の他方の面の上から照射された光により前記インプリント材料を硬化して前記パターンを前記インプリント材料に転写するインプリント用のテンプレートである。このテンプレートは、端部領域に第2部材が設けられている。前記第2部材の前記インプリント材料に対する接触角は、前記第1部材の前記インプリント材料に対する接触角より大きい。 (もっと読む)


【課題】生産性が高いモールドシートの製造方法を提供する。
【解決手段】複数のエンボスパターンが形成された転写面を有する転写シートを準備し、転写シートの転写面上に、シリコーン組成物を含有する未硬化層を形成する。未硬化層が形成された転写シートを巻き取りロール105に巻き取る。未硬化層が巻き取られた巻き取りロール105を熱キュア装置200で熱処理する。このとき、未硬化層が熱硬化してモールドシートが製造される。 (もっと読む)


【課題】転写パターンの不良を低減するテンプレートの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態のテンプレートの製造方法は、主面11に凹凸を有するパターン130が形成され、パターン130をウエハ4上に形成されたレジスト材5に接触させてパターン130をレジスト材5に転写するインプリント処理に用いるテンプレート1であって、テンプレート1の少なくとも凹部132の底部132aに荷電粒子を打ち込む工程を含む。 (もっと読む)


【課題】加工対象の表面の高さ分布に起因する微細パターンの形状のばらつきを低減させることが可能なナノインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】ナノインプリント用モールド1は、モールド基体部3と、裏面5Bと、裏面5Bとは反対側のパターン面5Sとを有するモールド本体部5と、モールド基体部3の表面3Sと、モールド本体部5の裏面5Bとの間に固定された弾性体部7とを備える。モールド本体部5のパターン面5Sには、ナノインプリント用のパターン5Pが形成されており、弾性体部7の体積弾性率は、モールド本体部5の体積弾性率よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】ダイヘッドから押出したシート状樹脂材料を押圧ロールと賦形ロールで狭圧して光学レンズシートを成形する際に、シート状樹脂材料の型入り向上、型崩れ防止を図り、高賦形率の光学レンズシートを得ることを可能とする。
【解決手段】賦形ロール1を、賦形ロールパターンa表面に低熱伝導性を賦与するために表面処理Kを施したロールとする。表面処理Kとは、例えばフッ素樹脂をはじめとした樹脂コーティング、セラミックコーティング、断熱塗料による被覆などである。この状態で樹脂材料Jを押出すダイヘッド3を転写部Pに近接する位置に移動させ、ダイヘッド3から転写部Pに樹脂材料Jを導入する。これにより、樹脂材料Jの流動性を最適化し、挟圧時の高充填型入れ、剥離時の型崩れ防止を図って安定して連続的に高賦形率の光学レンズシートJ1を得ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】NILにより効率良く且つ精度の良く大面積の凸部パターンの形成を可能とするテンプレートおよび製造方法、パターン形成方法、加工方法を提供する。
【解決手段】実施形態のテンプレート10は、第1凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより第1凹凸パターンを硬化剤に転写して硬化剤からなる第2凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートである。このテンプレート10は、基板の一面側に第1凹凸パターンを備える。第1凹凸パターンは、凹部の底面の高さ位置が略同一であり、凹部の底面からの高さが異なる2種類以上の凸部11pa、11pbを有する。 (もっと読む)


【課題】光インプリント後の被加工物との離型性に優れたナノインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】ナノインプリント用モールド1を、基部3と該基部3の一方の面から突出する凸構造部4とを有する基材2と、凸構造部4の上面4aに位置する転写形状部5と、凸構造部4の側面4bの周囲方向全域に位置する傾斜部6と、を備えたものとする。 (もっと読む)


【課題】親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えたテンプレートを容易に作製する。
【解決手段】第1のテンプレートからインプリント法により第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布し、第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第2のレジストを選択的に塗布する。レジストが塗布された被処理基板上に第1のテンプレートを密着させて、第1のテンプレートの凹部に第1のレジストを浸透させる。第1及び第2のレジストを硬化させ、硬化されたレジストをマスクに用いて被処理基板を加工する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、モールドの製造に複雑な工程を要することなく、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを直接光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度で位置合わせすることができるインプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ステップアンドリピート方式のインプリントにおいて、モールド側アライメントマークを、モールドの転写領域と同一面上であって、溝構造を隔てた位置に形成し、インプリントしようとしている被転写領域内の基板側アライメントマークではなく、前記被転写領域に対して上下、左右、対角に接する被転写領域内の基板側アライメントマークとアライメントすることにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】微細なパターンをレジスト層に高精度で描画できる描画方法、これを用いた原盤の製造方法、スタンパの製造方法及び情報記録ディスクの製造方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡による観察が可能な材料で構成されたレジスト層支持材34と描画領域EAにおいてレジスト層支持材34を被覆し、且つ、内側非描画領域NEA1及び外側非描画領域NEA2の少なくとも一部においてレジスト層支持材34を被覆しないようにレジスト層支持材34の上に形成されたレジスト層36とを備える被加工体30を用意し、レジスト層支持材34におけるレジスト層36から露出する部分を走査型電子顕微鏡により観察しこの観察の結果に基づいて電子ビームの焦点の位置を調整して電子ビームをレジスト層36に照射しレジスト層36を所定の描画パターンで露光する。 (もっと読む)


【課題】非対称の形状をしたレンズを有するマイクロレンズシートの製造に用いられる成形型を製造する方法を提供する。
【解決手段】
母材51にレジストを塗布して、マスク65を形成する(ステップS2)。マスク65に形成される開口66の形状を設定する形状設定工程が行われる(ステップS3)。レーザが、設定された形状に基づいてマスク65に照射され、複数の開口66がマスク65に形成される(ステップS4,S5)。ステップS3において設定される開口66は、仮想分割線66yにより分割される第1領域66R及び第2領域66Lを有する。仮想分割線66yは、開口66を線対称に分割する仮想二等分線66xに直交する。第1領域66Rの面積は、第2領域66Lの面積よりも小さい。第1領域66Rにおけるエッチング速度が、第2領域66Lにおけるエッチング速度よりも小さくなるため、左右非対称の凹部62が、銅めっき層64に形成される。 (もっと読む)


101 - 120 / 490