【課題】ガリウムがドーピングされた酸化亜鉛系伝導体の固溶限界を増加させ、これを通じて、電子濃度・移動度および電気伝導度を向上させるところにある。
【解決手段】ＺｎＯに、ＧａとともにＭｎをコドーピングしてストレスを緩和させることにより、ＺｎＯ内でのガリウムの固溶限界を増加させ、これを通じて、ＧＺＯの電子濃度、移動度および電気伝導度を向上させ、耐湿性などの安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上させることができる。好ましくは、前記Ｇａは０．０１〜１０ａｔ％、前記Ｍｎは０．０１〜５ａｔ％の濃度でドーピングされる。より好ましくは、前記Ｇａは２〜８ａｔ％、前記Ｍｎは０．１〜２ａｔ％の濃度でドーピングされる。さらにより好ましくは、前記Ｇａは４〜６ａｔ％、前記Ｍｎは０．２〜１．５ａｔ％の濃度でドーピングされる。前記酸化亜鉛系伝導体は、太陽電池の電極、ＬＣＤのようなディスプレイ装置の電極などに使用される透明伝導体とすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物の導電性を向上させ、且つ湿熱耐久性に優れる透明電極を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物中に導電性ドーピング剤としてセレン化亜鉛を０．２〜６．０ａｔｏｍ％含有する。さらに好ましくは珪素を０．５〜５．０ａｔｏｍ％含有させることで湿熱耐久性がさらに向上する。これらの透明導電性酸化物2を透明電極層とすることで、導電性・透明性・湿熱耐久性に優れた透明電極付き基板1を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造体を確実に電極ギャップに配置することができるナノ構造体の配列方法と、それを用いたナノデバイスの作製方法及びナノデバイス作製用基板とを提供する。
【解決手段】同一線上に間隔を開けて設けられている第１の電極１１と第２の電極１２との間に交番電界を形成しながら、第１の電極１１と第２の電極１２との配列方向に沿って画成されている流路に複数のナノ構造体が混入している分散体を流すことにより、第１の電極１１と第２の電極１２とを跨ぐように分散体中のナノ構造体を配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、還元剤を用いることなく、金属酸化物を還元する方法を提供する。特に、二酸化炭素の排出を抑制可能な金属酸化物の還元方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属酸化物の還元方法は、遷移金属または亜鉛の金属酸化物に導電性を付与することで、導電性金属酸化物を製造する第１工程と、該導電性金属酸化物をマイクロ波加熱することで、該導電性金属酸化物を構成する酸素原子をプラズマ化し、該導電性金属酸化物を還元する第２工程と、を有する金属酸化物の還元方法である。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上するため紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示しながらも、駆動電圧を低減することが可能な酸化マグネシウム粒子を提供する。
【解決手段】波長２６０〜３３０ｎｍの範囲にフォトルミネッセンス発光ピークを有し、周期表第ＩＩＢ族元素を酸化物換算で１〜４５モル％の含量で固溶していることを特徴とする酸化マグネシウム固溶体粒子。 （もっと読む）

本発明は、ａ）ＳＡＴＰ条件で固体の少なくとも１つのＺｎＯクバン、及びＳＡＴＰ条件で液体の少なくとも１つのＺｎＯクバンという、少なくとも２つの異なるＺｎＯクバンと、ｂ）少なくとも１つの溶剤とを含む調製物、この調製物からＺｎＯ半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
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【課題】本発明は、カーボンナノチューブアレイを利用したナノワイヤ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のナノワイヤ構造体の製造方法は、自立構造を有するカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、少なくとも二種の反応材料を提供して、前記カーボンナノチューブ構造体と反応させる第二ステップと、前記少なくとも二種の反応材料を反応させてナノワイヤ構造体を形成する第三ステップと、を含む。前記カーボンナノチューブ構造体は、ドローン構造カーボンナノチューブフィルム、プレシッド構造カーボンナノチューブフィルム、綿毛構造カーボンナノチューブフィルム又はカーボンナノチューブワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】電気亜鉛などの安価な原材料を用い、さらに簡易な装置を用いる場合であっても、高純度の酸化亜鉛を製造できる酸化亜鉛の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】金属亜鉛が収容される亜鉛蒸気発生容器（１２）と、該亜鉛蒸気発生容器（１２）に収容された金属亜鉛を加熱することによって亜鉛蒸気を発生させる加熱手段（２４）と、前記亜鉛蒸気発生容器（１２）において発生された亜鉛蒸気に酸化性ガス（１６）を接触させる酸化反応容器（１８）とを備えた酸化亜鉛製造装置（１０）において、耐熱性発泡体からなる蒸気通過層（２６）をさらに備え、前記亜鉛蒸気は、前記蒸気通過層（２６）を通過させた後に前記酸化反応容器（１８）に供給されるように、前記蒸気通過層（２６）が設置されていることを特徴とする酸化亜鉛の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】高い熱遮蔽性能を有し、ＢＥＴ表面積から算出される平均粒径が１００ｎｍ以下である微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の互いに価数の異なる金属元素の酸化物を含む金属酸化物原料粉末を混合した後に加熱処理する工程、及び前記加熱処理後の粉末を、分解性添加剤とともに機械的に粉砕処理する工程を含む微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化亜鉛ナノ構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛ナノ構造体は、酸化亜鉛ナノチューブ及び、前記酸化亜鉛ナノチューブの内部に生長された酸化亜鉛ナノフィルムを含む。前記酸化亜鉛ナノフィルムにより前記酸化亜鉛ナノチューブの内部を複数の空間に分ける。また、前記酸化亜鉛ナノ構造体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルミン酸亜鉛ナノ材料及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のアルミン酸亜鉛ナノ材料の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、亜鉛及びアルミニウムを提供し、亜鉛及びアルミニウムを前記反応室に置く第二ステップと、生長基板を提供し、該生長基板を前記反応室に置く第三ステップと、前記反応室に酸素ガスを含むガスを導入し、該反応室を加熱して、前記生長基板にアルミン酸亜鉛ナノ材料を生長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内でアルゴンイオンと衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１０ｎｍ以下と微細で、かつ粒度分布の極めて狭い高結晶性の酸化亜鉛量子ドット、該酸化亜鉛量子ドットを効率よく製造することが可能な酸化亜鉛量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径Ｄを１０ｎｍ以下とし、粒径の標準偏差σとＤの比σ／Ｄを０．１５以下とする。
蛍光スペクトルにおいて、２．０〜３．０ｅＶの領域の最大蛍光強度Ａと、３．０ｅＶ以上の領域の最大蛍光強度Ｂの比Ａ／Ｂが０．１５以下となるようにする。
レーザーアブレーション装置１で酸化亜鉛量子ドットを発生させ、発生した酸化亜鉛量子ドットを気流中で電気炉３により熱処理して結晶化を促進し、熱処理した酸化亜鉛量子ドットを、微分型電気移動度分級装置（ＤＭＡ）４を用いて分級する工程を経て、酸化亜鉛量子ドットを製造する。
熱処理を５００℃以上の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】水分や熱による変性が生じず、人体への影響も少なく、さらには透明性を有することにより様々な用途に使用することができる抗菌性材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム基板等の上に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手法で酸化亜鉛薄膜を形成させることを特徴とする抗菌性材料である。タッチパネルや携帯電話のプラスチック表面等への利用可能である。 （もっと読む）

金属酸化物膜を、前記膜のための支持体の表面上に堆積させるための方法であって、堆積チャンバーを準備する工程と、電子およびプラズマからなるパルスビームを前記堆積チャンバー中に与える工程と、支持体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記支持体は堆積表面を有する工程と、金属酸化物を含んだ材料で作られたターゲット体を前記堆積チャンバー中に与える工程であって、前記ターゲット体はターゲット表面を有する工程と、前記電子およびプラズマからなるパルスビームを前記ターゲット表面に衝突させることによって前記ターゲット表面からアブレーションされた金属酸化物のプルームを形成する工程と、前記プルームを前記堆積表面に接触させることによって前記堆積表面上に金属酸化物膜を堆積させる工程とを含む方法。
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