【課題】ホットスポットが従来よりも発生しにくい電子レンジ用耐熱ガラスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子レンジ用耐熱ガラスは、質量％で、ＳｉＯ_２ ７５〜８５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜５％、Ｂ_２Ｏ_３ １０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ ０〜５％、Ｎａ_２Ｏ １〜１０％、Ｋ_２Ｏ ０〜５％の組成を含有し、（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）／（ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋Ａｌ_２Ｏ_３）が０．０４５〜０．０５５であり、内部の残留応力が５ＭＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、低出力のレーザーでレーザー封着が可能な封着材料層付きガラス基板の製造方法を創案することにより、有機ＥＬデバイス等の長期信頼性を高めることである。
【解決手段】本発明の封着材料層付きガラス基板の製造方法は、ガラス基板を用意する工程と、第一の封着材料ペーストを前記ガラス基板上に塗布した後、第一の封着材料膜を形成する工程と、第二の封着材料ペーストを前記第一の封着材料膜上に塗布した後、第二の封着材料膜を形成する工程と、得られた積層膜を焼成して、前記ガラス基板上に封着材料層を形成する工程とを有すると共に、前記第一の封着材料ペーストが第一のガラス粉末を含み、且つ前記第二の封着材料ペーストが第二のガラス粉末を含み、前記第二のガラス粉末の軟化点が、前記第一のガラス粉末の軟化点より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 断熱性を確保しつつ、耐熱性に優れた構造体、及び、構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属からなる基材と、上記基材の表面上に形成された表面被覆層とを備えた構造体であって、上記表面被覆層は、上記基材の表面上に形成され、非晶質無機材を含む第１層と、上記表面被覆層の最外層として形成され、９５０℃以上の軟化点を有する結晶性無機材を含む第２層とを含むことを特徴とする構造体。 （もっと読む）

【課題】押出および射出成形を含む様々なポリマー成形プロセスに使用するのに適したガラスからなる精密光学要素を提供する。
【解決手段】微細または超微細いずれかの微小構造を有するカルコゲナイドガラス体を有してなり、このカルコゲナイドガラスは、一般化学式ＹＺを有し、ここで、ＹはＧｅ，Ａｓ，Ｓｂまたはこれら２つ以上の混合物であり、ＺはＳ，Ｓｅ，Ｔｅまたはこれら２つ以上の混合物であり、原子または元素パーセントで表して、Ｙは１５〜７０％の範囲にあり、Ｚは３０〜８５％の範囲にあり、ＧｅがＡｓおよびＳｂの内の一方または両方と混合された場合には、Ｇｅの量は、０＜Ｇｅ＜２５％の範囲にあり、また、このカルコゲナイドガラスは、５００℃以下で１０，０００ポアズ以下の粘度を有し、１０００〜１０，０００ｓ^-1の範囲の剪断速度下で結晶化に耐性である。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高出力の紫外光線や３００〜４００ｎｍ領域のレーザ光線の照射により生じる屈折率変化を抑制した、耐光線性の優れた光学ガラスを提供する。
【解決手段】 ガラスに、波長＝３５１ｎｍのパルスレーザー光（平均出力（Average Output Power）＝０．４３Ｗ，パルス繰り返し数（Pulse Repetition Rate）＝５ｋＨｚ，パルス幅（Pulse Width）＝４００ｎｓ）を１時間照射した後の屈折率の変化量（Δｎ：照射前後の屈折率の差）が５ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、アルミニウム（Ａｌ）の仕事関数より電極配線としての見かけの仕事関数が小さくなるアルミニウム電極配線用のガラス組成物を提供する。
【解決手段】アルミニウムより仕事関数が小さい元素の酸化物から構成される。この酸化物は、バナジウム（Ｖ）の酸化物と、アルカリ土類金属の酸化物と、アルカリ金属の酸化物とから構成され、アルカリ土類金属の元素としてはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びバリウム（Ｂａ）の元素の内少なくともバリウムを含む１種以上の元素がなり、アルカリ金属の元素としてはナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の元素の内少なくとも１種以上の元素がなる。バナジウムの元素が五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）として含まれているとした場合に、五酸化バナジウムを４０〜７０重量％含む。 （もっと読む）

【課題】無機系の中空微粒子粉末原料から、小孔や欠け等の欠陥のある中空微粒子や破壊された微粒子を高純度に含む微粒子粉末と、欠陥や破壊のない完全球体の中空微粒子を高純度に含む微粒子粉末とに分離し精製する分離精製方法を提供すること、簡単な操作により効率よく分離精製する方法を提供すること、それらの分離精製された微粒子粉末を提供すること。
【解決手段】無物系の中空微粒子粉末原料１を１００℃以上の温度で加熱する加熱工程と、加熱された中空微粒子粉末原料１を室温以下の温度に保持された水１０７に投入して急冷し、水１０７中で沈降する沈降性成分２と水１０７中で浮上する浮上性成分３に分離する分離工程と、分離された浮上性成分３と沈降性成分２をそれぞれ回収する回収工程と、回収された浮上性成分３と沈降性成分２をそれぞれ乾燥させる乾燥工程を有する。 （もっと読む）

【課題】重ね塗りをせずに良好な厚盛り印刷をすることができる厚盛り印刷絵具及び厚盛り印刷方法並びに厚盛り印刷製品を提供する。
【解決手段】無機系材料に酸窒化チタンを有する発泡性材料が０．５〜１０重量％の割合で混合された厚盛り印刷用絵具を被印刷物１１表面に塗布し焼付温度４００〜１０００℃で所定時間加熱して、厚盛り印刷用絵具の無機系材料を被印刷物１１表面に融着させるとともに酸窒化チタン中の窒素をガス化発泡させて発泡印刷層２１を有する印刷部２０を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】約１１００℃以下のろう付け温度で加工でき、かつろう付け工程の終了後に約９００℃までの作動温度で使用できる高温度用ガラスソルダーを提供する。
【解決手段】２０℃〜３００℃の温度範囲での線熱膨張α_(20-300)を８×１０^-6Ｋ^-1〜１１×１０^-6Ｋ^-1の範囲で有し、質量％で１０〜４５％未満のＢａＯ、０〜２５％のＳｒＯ（２０〜６５％のＢａＯ＋ＳｒＯ）、１０〜３１％のＳｉＯ_２、２％未満のＡｌ_２Ｏ_３、０〜１０％のＣｓ_２Ｏ、０〜３０％のＲＯ、０〜３０％のＲ_２Ｏ_３、０〜２０％のＲ_２Ｏからなるガラスソルダー。（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物、Ｒ_２Ｏ_３はＢ_２Ｏ_３等からなる酸化物、Ｒ_２ＯはＴｉ_２Ｏ等の酸化物からなる。） （もっと読む）

供給原料を、供給原料の少なくとも一部を中空微小球に変換するのに十分な条件下で加熱し、該加熱が真空下で行われる工程を含む、中空微小球を作製するための方法が提供される。本方法を用いて作製される中空微小球も提供される。
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【課題】従来の粉末焼成プロセスによって作製された光反射基材のように製造プロセスが煩雑ではなく、当該光反射基材より高い光反射率を有し、かつ大面積の光反射基材用途にも対応可能な光反射基材を提供する。
【解決手段】バルク状ガラスを結晶化させてなり、屈折率が１．７以上の析出結晶を含有する結晶化ガラスからなる光反射基材であって、波長４００〜８００ｎｍにおける平均光反射率が９０％以上であることを特徴とする光反射基材。 （もっと読む）

【課題】先行技術の欠点を排除すること、特に、上記の全てが、コンピューター支援削合およびトリミングプロセスによって容易に成形され得、続いて高強度の歯科用製品に変換され得る材料を提供すること。
【解決手段】ケイ酸リチウムガラスセラミック材料であって、以下の成分：
成分 重量％
ＳｉＯ_２ ６４．０〜７３．０
Ｌｉ_２Ｏ １３．０〜１７．０
Ｋ_２Ｏ ２．０〜５．０
Ａｌ_２Ｏ_３ ０．５〜５．０
Ｐ_２Ｏ_５ ２．０〜５．０
を含有する、ケイ酸リチウムガラスセラミック材料。 （もっと読む）

【課題】エルビウム添加光学ガラスを提供する。
【解決手段】（ａ）ホストガラス、（ｂ）有効量のエルビウム不純物、（ｃ）濃度１０〜４０モル％のネットワーク改変性金属フッ化物、ならびに（ｄ）さらなる別の成分、を含み、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の量は合計で１００％であるエルビウム添加ガラス。 （もっと読む）

本発明は、シリコン半導体デバイスおよび光起電力セルの導電性ペースト中に有用なガラス組成物に関する。本発明のガラスフリットは、重量％の単位で表される以下の成分：１７〜２６％のＳｉＯ₂；２〜９％のＢ₂Ｏ₃；１〜７％のＦ；４７〜７５％のＢｉ、成分を含む。
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本発明は、シリコン半導体デバイスおよび光起電力セルの導電性ペースト中に有用なガラス組成物に関する。本発明のガラスは、８〜２６重量％のＳｉＯ₂；０〜９重量％のＢ₂Ｏ₃；０−１７重量％のＦ；４７〜７５重量％のＢｉを含む。
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【課題】透光面を研磨することなく平滑にすることによって、研磨に伴う各種問題を解消する半導体パッケージ用カバーガラスを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ用カバーガラス１０は、板厚方向に相対向する第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂと、周縁を構成する側面１０ｃとを備えた板状ガラスである。このカバーガラス１０の寸法は、１４×１６×０．５ｍｍであり、第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂは無研磨面であり、その表面粗さ（Ｒａ）は、いずれも０．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラス釉薬が表面に設けられた琺瑯やタイルにインクジェット印刷でき、500℃以上の温度で焼成された時に、インクとガラス釉薬成分との化学反応によって、高い明度と彩度が発現するＣＭＹＫ4色の水性遷移金属塩インクとガラス釉薬成分で構成するインクセットを提供する。
【解決手段】琺瑯やタイルのガラス釉薬成分にチタン、アンチモン、或いはニオブ酸化物の少なくとも１種類を０．１−１０％含有させることによって、遷移金属塩のアミン中和水溶液からなるシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）及びブラック（Ｋ）インク４原色と焼成時に化学反応させ、インクの発色を高明度、高彩度にする。 （もっと読む）

【課題】高精細パターンを簡便に形成できる新規なパターン形成方法と、このようなパターン形成方法に好適なフォト沈降型組成物を提供する。
【解決手段】無機粉末の凝集沈降によりパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法であって、無機粉末、分散媒、及び光酸発生剤を含むフォト沈降型組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、得られた塗膜をパターン露光して無機粉末を凝集沈降させる工程と、現像する工程と、現像して得られたパターンを焼成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】環境上有害な物質を含まず、５００℃以上の高い耐熱温度を有し、しかもジュメット等の酸化され易い金属を封止可能な金属被覆用ガラス及び半導体封止材料を提供する。
【解決手段】歪点（Ｐｓ）が４８０℃以上、１０^４ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度（Ｔ（１０^４））が１１００℃以下、３０〜３８０℃における熱膨張係数（α_{３０―３８０}）が７０〜１１０×１０^―７／℃のガラスからなる。 （もっと読む）