【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

【課題】離型材が剥がれることなく、脱型の際のシリコン鋳塊へのクラックの発生を防止して容易に脱型することが可能であり、不純物汚染が少なく、スライス加工等を行わないで、多結晶シリコン基板を製造することができる多結晶シリコン基板鋳造用鋳型およびその製造方法並びに多結晶シリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】耐熱部材からなる容器本体１０と、容器本体１０の内面に被覆され、多孔質窒化シリコンまたは多孔質酸窒化シリコンで構成された離型材層２０と、を備える。 （もっと読む）

本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第１のポイントから第２のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第２のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】溶湯中の冷却体の溶湯中への浸漬軌道と干渉する物による生産性に対する悪影響を防止することができる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】放射温度計５０が、溶湯２３の表面温度を検出すると、制御装置４５は、溶湯２３の表面温度の変化に基づいて、溶湯２３中の冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物の有無を判断する。具体的には、溶湯２３の表面温度の変化が、予め定める変化幅以上であり、かつその状態が予め定める期間継続したときに、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有るものと判断する。制御装置４５は、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有ると判断されたときは、冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬を停止する。 （もっと読む）

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に沿って形成された主面及び側面が夫々Ｚ面及びＸ面をなす板状または棒状の種子水晶から水熱合成法により育成したアズグロン人工水晶の製造後の後工程であるランバード加工を容易に行うことができるアズグロン人工水晶を提供する。
【解決手段】種子水晶２のＹ軸方向の端部にて２つのＺ面及び２つのＸ面のうちの少なくとも１つの面に密着して当該面をオートクレーブ内の育成溶液の対流から遮蔽するための遮蔽面３１Ａを形成する本体３（３Ａ），３（３Ｂ）と、この遮蔽面３１Ａに向かってその復元力が作用する弾性体３３と、を備え、遮蔽面３１Ａと弾性体３３との間に弾性体３３の復元力に抗して種子水晶２の端部を位置させることにより、遮蔽面３１Ａを端部に密着させる治具３Ａ，３Ｂを用いて育成する。弾性体３３を利用することで確実に遮蔽面３１Ａ，３２Ａと種子水晶２を密着させることができ、種子水晶２の破損も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄板の製造量を落とすことなく、下地板の融液への浸漬深さを精度よく制御することで、高品質薄板の作製を実現できる薄板製造方法を提供する。
【解決手段】この薄板製造方法は、シリコン融液１００２中に、下地板１０の平面状の表層部を浸漬し、表層部にシリコンを凝固させて薄板を製造する薄板製造方法である。この薄板製造方法では、シリコン融液１００２と下地板１０とは電気回路に含まれており、シリコン融液１００２と下地板１０とが接触する際、下地板１０とシリコン融液１００２との間の電気信号変化が生じる。この電気信号変化を検出することで、下地板１０がシリコン融液１００２の液面に接触したときの下地板１０の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷のような低コストプロセスが適用可能で、かつ高いセル効率を得ることができる、低価格の板状シリコン、その製造方法、下地板および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン融液に下地板１を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させるための下地板の加工部材であって、凹凸形状部３を下地板上に形成可能な刃７を有する直線加工部材６を用いて、下地板１の頂部表面を６０°の角度を付けられた２つの直線状に切削することにより、凹凸形状部を形成することができる。例えば、互いに６０度の角をなす２方向（α１，β１方向）への直線状加工を行うことで作製した下地板１の凸部４の形状は四角錐となり、前記２方向（α１，β１）と互いに６０度の角をなす方向（γ１）にも直線状加工を施すことで、六角錐形状の凸部４を持つ下地板１が作製可能である。 （もっと読む）

【課題】バーミキュライトを出発原料とし、これを酸処理することにより得られ、ＳｉＯ_２の薄層が積層された劈開性積層体粒子からなっているにもかかわらず、耐湿性だけでなく耐熱性に優れた、板状シリカ及び板状シリカ複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】バーミキュライトの酸処理物の水分散液を調製する工程、
前記酸処理物の水分散液をｐＨが５．０乃至１３．０の範囲に調整する工程、
前記ｐＨ調整した酸処理物の分散液を８０乃至２５０℃の温度で熱処理する工程、得られた処理液を乾燥及び／または焼成する工程、
からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、軽量で、高い性能指数を達成し得る熱電変換素子を得ることを目的とし、シリコンを主体とし、ストロンチウムをゲスト元素とするクラスレート化合物及び該クラスレート化合物よりなる熱電変換素子を提供する
【解決手段】
一般式（１）で表されるクラスレート化合物
【化５】


但し、ｘ、ｙは、正の数であり、１４＜ｘ＋ｙ＜１８、かつ−２＜ｙ−ｘ＜１０である。
及び該クラスレート化合物を含む熱電変換素子である。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも３５ｃｍである少なくとも２つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来よりも磨砕強度が向上したシリカ多孔質体およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】ケイ酸カルシウムを酸処理し、これにより得られた固形分を分離回収し、該固形分を、ｐＨ４〜１３にて水熱処理する。これにより、ＢＥＴ比表面積が５ｍ^２／ｇ〜１００ｍ^２／ｇであり、かつ、ハローの回折ピークの半価幅が５．７０°〜８．２０°であるシリカ多孔質体を製造することができる。該シリカ多孔質体は、上記ＢＥＴ比表面積およびハローの回折ピークの半価幅を有するため、磨砕強度が従来のシリカ多孔質体よりも向上している。 （もっと読む）

本発明は、１つ又は複数の研磨性フィラーを含有する無機ガラス質マトリクスを含む超硬複合体層を有する金属支持体に関する。本発明によれば、該フィラー粒子の直径、又は該フィラー粒子が小板状幾何学形状である場合には該フィラー粒子の厚みが、上記超硬複合体層の厚みよりも小さい。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）

リボン結晶引き上げ炉は、１つ以上のリボン結晶の少なくとも一部を封入するための内部と、内部内に位置付けられたアフターヒータと、を有する。アフターヒータは、炉内の温度プロファイルの制御を容易にする、１つ以上の開口を伴う少なくとも１つの壁を有する。
本発明は、さらに、１つ以上のリボン結晶の少なくとも一部を受容するための内部を形成することと、該内部内にアフターヒータを提供することであって、該アフターヒータは、少なくとも１つの壁を有し、該壁は、１つ以上の開口を有する、こととを包含する、リボン結晶引き上げ炉を生成する方法も提供し得る。
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【課題】ＦＺ用の１２０ｍｍより大きい直径を有する多結晶シリコンロッドの製造で高い歩留まりで多結晶シリコンロッドを提供し、それを大きな直径のＦＺ単結晶に引き上げる際の頻繁な欠陥形成に対抗する。
【解決手段】最も内側の領域Ａに多結晶の細いロッドが存在し、細いロッドの周りに析出された針状結晶がない又は僅かしかない領域Ｂが存在し、外側の領域Ｄに針状結晶の面積割合が７％未満であり、針状結晶の長さは１５ｍｍ未満であり、その幅は２ｍｍ未満であり、外側の領域でマトリクスの微結晶の長さは０．２ｍｍを超過せず、領域ＢとＤとの間に領域Ｂの組織から領域Ｄの組織に滑らかに移行する混合領域Ｃが存在するポリシリコンロッドにより解決される。 （もっと読む）

【課題】析出用基板を案内する移送用ガイド体と、析出用基板を保持する搬送手段との位置関係の調整を容易に、短時間で行うことができる基板保持装置およびこの基板保持装置を備える析出板製造装置を提供する。
【解決手段】中継用ガイド体５４は、鉛直方向Ｚおよび交差方向にそれぞれ位置調整可能である。この中継用ガイド体５４は、移送用ガイド体に接続可能に構成され、析出用基板を移送方向Ｘに案内する。搬送手段５５は、析出用基板を保持可能に構成され、移送される析出用基板を保持する保持位置、および析出用基板を融液２４に浸漬する浸漬位置の間を移動する。これら中継用ガイド体５４および搬送手段５５は、チャンバの収容空間２７を出入り自在に構成される移動体５６に搭載される。 （もっと読む）