【課題】充放電時の体積変化による影響を緩和して、良好な充放電サイクル特性を発現することが可能なリチウムイオン二次電池用負極活物質を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素とを構成元素中に含む物質からなるリチウムイオン二次電池用の負極活物質であって、厚みが３０〜５００ｎｍであり、かつ、平均長径／厚みの比が１０〜１００である鱗片状の粉末からなり、酸素含有量が５〜３８ｗｔ％であるようにした。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填したチャンバ１内において、長手方向に延長した保持炉３に半導体の溶融体５を保持し、前記保持炉３の上方からウエハ基板となる金属テープ２を所定の速度で供給し、下降させて供給し、前記シリコン溶融体５上面に接触させ、前記テープ２の少なくとも１面に前記半導体を凝固付着させ、該テープ２を上方に引上げ、基板で補強されたウエハを製造する。 （もっと読む）

半導体材料の物品の作製方法は半導体材料の固体層がその外表面上に既に形成されている中実鋳型を溶融半導体材料の融液から引き出す工程を含む。引出し中に固体層を覆って形成される半導体材料の固体被覆層において１つないしさらに多くの所望の属性を達成するために、温度、力及び相対引出し速度の内の１つないしさらに多くが引出し作業中に制御される。
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【課題】化粧料等に適したオパール様の遊色効果を呈する薄片状シリカ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１８０〜２８０ｎｍの非晶質球状シリカ粒子を、ゲル化した非晶質シリカで結合してなり、オパール様の遊色効果を呈する薄片状シリカである。この薄片状シリカは、表面をアルミノ珪酸イオンで被覆した１８０乃至２８０ｎｍの非晶質球状シリカ粒子からなるコロイダルシリカと、活性珪酸水溶液とを混合してなる水性シリカ分散液を凍結して、非晶質球状シリカ粒子をゲル化した非晶質シリカで結合してなる薄片状シリカを氷の結晶界面に析出させることで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】表層が剥離し難いとともに比表面積が大きい多孔質構造体を、大量かつ低コストにて製造し得る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一部がシリカによって形成されている基材上に石灰を付着させる工程と、石灰が付着した基材を蒸気養生して表層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】比誘電率及び／又は誘電正接が低く、異方性が高い板状シリカ粒子の製造方法、及び該板状シリカ粒子を提供する。
【解決手段】（１）ナノ細孔が実質的に存在しない中空状シリカ粒子を粉砕する工程を含む、比誘電率が３．５以下及び／又は誘電正接が０．０１以下である板状シリカ粒子の製造方法、及び（２）その製造方法により得られた、比誘電率が３．５以下及び／又は誘電正接が０．０１以下である板状シリカ粒子である。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）

クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

シリコン−オン−インシュレータ構造体の劈開された表面を処理する方法を開示している。当該シリコン−オン−インシュレータ構造体は、ハンドルウェハ、シリコン層、上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含む。上記シリコン層は、上記構造体の外表面を規定する劈開された表面を有する。開示された当該方法は、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体から劈開面に沿ってドナーウェハの一部が分離される際に与えられる表面ダメージ及び欠陥を除去するため、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体を処理するのに要する時間とコストを削減するエッチングプロセスを含む。当該方法は、上記構造体をアニールする工程、上記劈開された表面をエッチングする工程、上記劈開された表面上において非接触スムージングプロセスを実行する工程と、を含む。
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【課題】微粒子を含有する板状粒子の特性を生かしたより鮮やかな色彩の化粧料を製造するための、複合粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】工程(i)：平均粒子径が０．０１〜０．１０μｍの粒子(a)を含有する、平均粒子径が１〜１００μｍの板状粒子、及び平均粒子径が０．０１〜０．１０μｍの粒子(b)を、回転翼を具備する機械攪拌式混合機を用いて周速２０〜６０ｍ／ｓで混合する工程；工程(ii)：平均粒子径が０．１〜１．０μｍの着色顔料及び工程(i)で得られた混合物を、回転翼を具備する機械攪拌式混合機を用いて周速５〜１５ｍ／ｓで混合する工程；並びに工程(iii)：超臨界二酸化炭素又は亜臨界二酸化炭素の存在下で、工程(ii)で得られた混合物と有機高分子化合物とを容器内で接触させる工程；を含む、複合粒子を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】容易かつ安価に、低温でシリコン結晶を製造することができるシリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、粉末、バルク体または融液から成る金属ナトリウム１と、バルク体または粉末から成るシリコン２とを、６２０℃以上の温度で加熱して混合体３を作製する。その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】設備コストの上昇を抑えつつ、高品質の薄板を製造することができる溶融炉、薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】固体材料を不活性ガス雰囲気中で溶融して融液１０２を形成するための加熱室１４０と、加熱室１４０に下地板１０４を搬入するための搬入通路１３１と、加熱室１４０から下地板１０４を搬出するための搬出通路１３２と、加熱室１４０に設けられた不活性ガス導入部１０６とを備え、不活性ガス導入部１０６から加熱室１４０に導入された不活性ガスが搬入通路１３１および搬出通路１３２から排出され、搬入通路１３１から排出される不活性ガス１０６ａの流速が搬出通路１３２から排出される不活性ガス１０６ｂの流速よりも大きい溶融炉１００およびそれを用いた薄板製造装置および薄板製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製作のために、結晶性シリコン基板の精製方法および製造プロセスを軽減する方法を提供する。
【解決手段】結晶性シリコン基板の精製方法は、外部ゲッタリングにより不純物を抽出するステップを含み、外部ゲッタリングにより不純物を抽出する前記ステップの前に、少なくとも１回の、７５０℃から１０００℃までの間の温度で、１秒から１０分までの間の時間、基板を急速にアニーリングするステップを含む方式。 （もっと読む）