【課題】従来のマイクロフィルター濾材を支持体とし、マイクロフィルター濾材上にボトムアップ方式でナノチューブまたはナノ繊維を直接合成・成長させることにより、従来のナノ繊維製造方法では製造できない直径のナノチューブまたはナノ繊維からなるナノフィルター濾材を製造する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】反応器内に設けられたマイクロフィルター濾材を支持体として使用し、ナノ触媒粒子を反応器内に供給して支持体上に付着させ、ナノ触媒粒子上に原料ガス及び反応ガスを供給し、反応器を加熱装置で加熱して、反応器内のナノ触媒粒子からナノチューブまたはナノ繊維を合成・成長させることにより、マイクロフィルター濾材上にナノチューブまたはナノ繊維が合成・成長されたナノフィルター濾材を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に低温で効率良く酸化膜を形成し、発色させる方法を提供する。
【解決手段】シリコンをシリコン塩化物ガスの雰囲気に晒し、水分を供給することにより前記シリコン表面に酸化膜を形成することを特徴とするシリコン表面の発色方法である。より詳細には、前記シリコン塩化物ガスの雰囲気として四塩化珪素または三塩化シランを不活性ガスで希釈して用い、また前記シリコン塩化物ガスの雰囲気を５０〜３００℃とし、そして水分が不活性ガスをキャリアガスとした水蒸気含有量を１．０〜８．０ｍｏｌ％、かつその温度を１０〜４０℃とした混合ガスとして供給するシリコン表面の発色方法である。
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【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板１０の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板１０の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜２０ａを形成する工程と、液状被膜２０ａが形成された一方の面側を密閉容器４３で蓋った状態で基板１０の他方の面側から液状被膜２０ａに光４０を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】製造装置を構成するサセプタ２は、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２で構成され、第１サセプタ２１および第２サセプタ２２を組み合わせた状態で各サセプタ２１，２２間に所定の隙間が形成される。この隙間は、基板ウェーハがサセプタ２に載置された際に基板ウェーハおよびサセプタ２の間で形成される空間部とサセプタ２外部とを連通する連通路２３として構成される。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもリーク電流量の少ない非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液およびその調整方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３０〜６０重量％の範囲にあることを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 均一な三次元周期を持って配列した細孔を有し、構造安定性及び耐薬品性に優れた強固な構造を有する無機酸化物周期構造体、およびこれら構造体の簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】 無機酸化物の構造体中に、孔径が２０ｎｍ〜１０μｍの範囲にある細孔が三次元周期を持って配列し、隣接する細孔の中心間を結ぶ線上の無機酸化物厚さが５ｎｍ〜１０μｍの範囲にある無機酸化物周期構造体、及び有機高分子化合物微粒子をコア部、架橋した親水性有機高分子化合物をシェル部として有するコア−シェル粒子を、水系溶媒に分散させたゾルを得る工程、該ゾルに金属系アルコキシドを加えてゾル−ゲル反応させ、架橋した親水性有機高分子化合物と、生成する無機酸化物とが一体化された複合体中に、前記コア部が三次元周期を持って配列した構造体を得る工程、該構造体を焼結して無機酸化物周期構造体を得る工程からなる製造方法。 （もっと読む）

【課題】
多孔質膜の空孔を形成するための孔源材料として、抽出溶媒である超臨界流体との相溶性の優劣にかかわらず、種々のものを使用することができ、引いては空孔サイズや骨格構造の選択自由度の大きい多孔質膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明による多孔質膜の形成方法は、骨格材料と孔源材料とが混合状態で含まれる一次膜を形成する一次膜形成工程と、前記一次膜を構成する孔源材料を酸化性雰囲気中で酸化分解する分解工程と、前記分解工程によって分解された孔源材料を超臨界流体を用いて抽出する抽出工程とを有する。孔源材料としては界面活性剤が好ましく、界面活性剤は１００℃〜１５０℃の酸化性雰囲気中で酸化分解することが好ましい。 （もっと読む）

化学蒸着法プロセスを使用するなど、ナノチューブがナノワイヤテンプレート上のシースとして合成される、均一なナノチューブの製造方法が記載される。例えば、単結晶酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノワイヤは、窒化ガリウム（ＧａＮ）がその上にエピタキシャル成長されるテンプレートとして利用される。ＺｎＯテンプレートは、次に、熱還元および蒸発によってなど除去される。完成された単結晶ＧａＮナノチューブは、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍの範囲の内径、および５ｎｍから５０ｎｍの壁厚みを有する。透過電子顕微鏡研究は、結果としてのナノチューブが、ウルツ鉱構造を有する単結晶であり、＜００１＞方向に沿って配向されていることを示す。本発明は、層状ではない結晶構造を有する材料の単結晶ナノチューブを例示する。同様に「エピタキシャルキャスティング」アプローチは、他の固体材料および半導体の列および単結晶ナノチューブを作るために使用されることができる。さらに、複数シースならびに複数の長手方向セグメントを有するナノチューブの製造が記載される。 （もっと読む）

【課題】集積回路において使用するのに適した厚さおよび質の金属酸化物の薄膜の製造。
【解決手段】キシレン／メチルエチルケトン溶媒中にストロンチウム、タンタルおよびビスマス２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）などのいくつかの金属２−エチルヘキサノアート（ethylhexanoate）を含む前駆体液体が調製され、基板（５、858）が真空堆積チャンバ（２）内に配置され、少量のヘキサメチル−ジシラザンが前駆体液体に添加され、噴霧化され、噴霧は堆積チャンバ内に流入させられて基板上に前駆体液体の層が堆積される。液体は乾燥、焼成およびアニールされ、基板上にストロンチウムビスマスタンタル酸塩などの層状超格子材料の薄膜（506、860）が形成される。次いで、集積回路（600、850）が完成され、集積回路の構成要素（604、872）中に層状超格子材料膜の少なくとも一部が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性に優れているだけでなく、重合体に添加した場合、透明性が低下したり着色したりすることがない、ガスバリア性付与剤を提供する。
【解決手段】 バーミキュライトを硫酸や硝酸等の無機酸で処理処理することにより得られた非晶質シリカをステアリン酸などの表面処理剤で処理した非結晶性シリカからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法とそれに用いられるコーティング組成物の提供。
【解決手段】 数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンと、ケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下のアルミニウム化合物とを含むコーティング組成物と、それをを基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質膜の製造法。 （もっと読む）

【課題】 従来のバリスタ材料は、酸化金属などの焼結体であり基本的に素子の膜厚が厚く小型化し難いものであり、またその材料の種類は限られていた。
【解決手段】 ２価を取り得る元素（X）―シリコン（Si）非晶質母体中に多数のXSi₂結晶粒を均一に析出させるのに十分であり、前記析出させたXSi₂結晶粒のそれぞれの少なくとも一部をパーコレーションさせるのに十分であり、かつ、シリコン（Si）結晶の析出が起こる一歩手前である熱処理を施すことによって、熱電能および／またはパワーファクターを増加させたことを特徴とするナノクリスタル構造体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ニオビウムまたはその合金の表面に被覆して、高温における等温耐酸化性及び反復耐酸化性を向上させ、被覆層の高温機械的性質を改善し得る新しいナノ複合被覆層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 高温で母材表面に炭素または窒素を気相蒸着してニオビウム炭化物またはニオビウム窒化物拡散層を形成した後、シリコンを気相蒸着して固相置換反応によってナノ複合被覆層を製造する。前記ナノ複合被覆層は、等軸晶のＮｂＳｉ₂結晶粒界にＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子が分布された微細組織を有し、ナノ複合被覆層内に存在するＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄粒子の体積分率の調整によって、母材の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有するＮｂＳｉ₂系ナノ複合被覆層が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、得られるシリカ系薄膜の屈折率を制御することが可能なシリカ系薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン及び／又はアルキルアルコキシシランとともに有機物質を含有させたコーティング液からなる薄膜を、前記有機物質が揮発又は分解する条件下で熱処理を行うことにより多孔質シリカ系薄膜を形成させる工程を含み、形成される多孔質シリカ系薄膜の空隙率を制御することによって多孔質シリカ系薄膜の屈折率を制御することを特徴とする屈折率が制御された多孔質シリカ系薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
環境負荷が少なく、取り扱いが容易であり、かつ比較的低コストにて物質を酸化することができる、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む液中における物質の酸化方法および酸化装置を提供する。
【解決手段】
亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含む溶液と物質を接触させ、該溶液に対して紫外光を照射することによって前記物質の酸化を行う物質の酸化方法であって、紫外光の照射時間により物質の酸化時間を制御することを特徴とする物質の酸化方法。 （もっと読む）

【課題】多孔構造体の材料として、様々な材料を適用できる多孔構造体及びその製造方法を提供するにある。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子２をアレイ状に形成し、次いで、該金属微粒子２上に第一の化合物をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造３を形成し、引き続き、前記柱状構造３の高さよりも下まで前記基板上に第二の化合物４を充填した後、前記第一の化合物と前記第二の化合物４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の化合物である柱状構造３を除去して、微細孔４ａをアレイ状に有する構造体５を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、フォイルキャスティングの原理を使用して金属フォイルを製造するための方法と装置とに関する。この方法は、キャスティングフレームを液体状の金属で充填する工程と、このキャスティングフレームの下部を通るように基体を移動させる工程とを有している。この基体ベルトは、液体状の金属の下面が基体上で結晶して、金属フォイルがキャスティングフレーム側の基部上に形成されるように、キャスティングフレームの下部内の液体状の金属の融点よりも低い温度である。この方法は、金属フォイルの厚さと重量との少なくとも一方を測定する工程と、製造されたフォイルの厚さ並びに/若しくは重量の測定値の関数として、液体状の金属と基体との間の接触面積を調節する工程とにより、特徴付けられている。
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本発明は、少なくとも１つ以上の疎水基を含むモノマーと、少なくとも１つ以上の親水基を含むモノマーを含む統計的共重合体の、特にナノ粒子合成時の乳化剤としての使用、、およびステップaで、ひとつかそれ以上のナノ粒子の水溶性前駆体または溶融物を含む逆エマルジョンを、ひとつの疎水基を有するモノマー、およびすくなくともひとつ以上の親水基を有するモノマーの統計的共重合体から合成され、ステップbで粒子を生成する、粒子の生成工程に関連する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、縦の両面（43、44）と縦方向の両エッジ(41、42)を有する平面であり細長い可動式支持材(4)上に、多結晶シリコンを主成分とした層を析出させる装置に関する。
【解決手段】溶融シリコン槽(2)、槽に少なくとも一部が浸され槽の平衡な液面に対し長さ方向に垂直になるよう設計された支持材(4)を含んだるつぼと、少なくとも1つのエッジ制御要素(5、5´)と、を備え、各エッジ制御要素は、二つの縦方向のエッジ（41、42）のうちの一つの近傍で垂直に設置されている。
各エッジ制御要素には壁面があり、その壁面（51から53´）が縦方向エッジ近くに縦の挿入口を形成している。それぞれの挿入口は、縦方向のエッジ付近で毛管現象により槽(2)のレベルが上昇できるよう槽(2)の一部に浸漬させる。
挿入用壁面と呼ばれる縦の面のうちの一つの一部に面した壁面(51から52´)のうち、少なくとも1つは平面であることが、この装置の特徴である。
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