【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）

超疎水性コーティング、超疎水性コーティングを含むデバイスおよび物品、ならびに超疎水性コーティングを調製する方法が提供される。例示的な超疎水性デバイスは、基材構成部分と、この基材構成部分を覆って配置された１層または複数の超疎水性コーティングであり、これらの１層または複数の超疎水性コーティングの少なくとも１層が、少なくとも約１５０°の水接触角および約１°未満の接触角ヒステリシスを有する超疎水性コーティングとを含むことができる。これらの１層または複数の超疎水性コーティングは、超高水分含量酸触媒作用によるポリシリケートゲルを含むことができ、このポリシリケートゲルは、シリル化剤により誘導体化された表面官能基を有するシリカ粒子の三次元網目、および多数の孔を含む。
（もっと読む）

【課題】金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ精製方法は、低純度Ｓｉを原子状水素と化学反応させることにより、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６とＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４とを含む水素化ガス母集団を生成する工程と、水素化ガス母集団を、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６の分解温度以上、かつＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４の分解温度以下となる範囲に温度制御された加熱物体表面に衝突させることにより、除去したいボロン（Ｂ）を加熱物体表面に固着させて水素化ガス母集団から除去して、低純度Ｓｉよりも純度の高い高純度Ｓｉを得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】透過特性に優れ、かつ膜応力が小さくクラックの発生がないケイ素化合物膜を提供する。
【解決手段】第一段階で、ガラス基板１上に、アルキル基がＳｉに結合されたシロキサン骨格の低分子材料に溶媒，シリカ粒子を混合したペースト材料２ａをダイコートを用いて塗布する。塗布後、低沸点の溶媒を揮発させるために、６０〜１００℃の範囲で大気中にて乾燥し、その後、２００℃〜３００℃の範囲で大気雰囲気中において熱処理によって硬化反応させ、酸化ケイ素を主体とする膜２ｂを形成する。第二段階では、含まれるシリカ粒子が溶媒を除いた固形分の体積比で１５％含有するペースト材料３ａを、第一段階で形成した膜２ｂ表面上に塗布する。塗布量は硬化後の膜３ｂの膜厚が約０．５μｍとなるように塗布し、乾燥，熱硬化処理を行い、前記膜２ｂを酸化ケイ素を主体とした膜４とする。 （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜を得るために、期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成できる有機酸化ケイ素微粒子等を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素、又はケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する第１有機酸化ケイ素からなる内核と、内核の外周に、ケイ素原子に直接結合した炭素原子を有する有機基を含有する有機基含有加水分解性シラン、又は有機基含有加水分解性シランと前記有機基を含有しない有機基非含有加水分解性シランの混合物からなる外殻形成用成分を塩基触媒の存在下で加水分解性縮合して得られる、第１有機酸化ケイ素とは異なる第２有機酸化ケイ素からなる外殻とを備えてなる有機酸化ケイ素微粒子であって、全炭素原子数［Ｃ］と全ケイ素原子数［Ｓｉ］との比［Ｃ］／［Ｓｉ］が、内核では０以上１未満であり、外殻では１以上である有機酸化ケイ素微粒子を提供する。 （もっと読む）

【課題】物理的に異なる低次元構造体から構成される装置を受取基板上に製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の細長い構造体(７)の各々の物質組成がその長さ方向に沿って変化することにより、細長い構造体内において物理的に異なる第１および第２の部分が形成されるように、第１の基板(３)上に、細長い構造体(５)を形成する工程を含む。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)が細長い構造体中において形成される。物理的に異なる第１および第２の部分は、それらが製造された後に、細長い構造体の中において形成されてもよい。細長い構造体は被覆され、第２の基板(７)に移動されてもよい。物理的に異なる第１および第２の装置(１，２)を共通の基板上に設けることが必要とされる回路基板の形成方法を改善することができる。特に、移動工程は１回だけしか必要とされない。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ細孔膜、かかるナノ細孔膜を製造する方法、およびその使用を提供する。
【解決手段】膜を製造する方法では、フォトリソグラフィーがコロイドリソグラフィーと組み合わされて使用され、これによってナノサイズ細孔を短時間で大規模に製造できる。結果として生じる膜の細孔は狭いサイズ分布を有し、無作為に配置される。さらに、細孔間距離は変化をほとんど示さない。 （もっと読む）

【課題】ポリマー基板などの可撓性基板に対してシリンダー状またはラメラ状の相が垂直方向に配向したミクロ相分離構造を有するブロック共重合体の層を備える構造体、および該構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性基板上２０に金属酸化物層２２、シランカップリング剤によって形成される層２４、２種以上の互いに非相溶であるポリマー鎖が結合してなるブロック共重合体より形成され、ミクロ相分離構造を有する層１４をこの順で備え、前記ミクロ相分離構造の一方の相が前記基板に対して垂直方向に配向したラメラ状またはシリンダー状１２である構造体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】量子細線については高さを揃えて、量子ドットについては直径を一定に形成することができる多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法は、多結晶シリコン層の表面を平坦化する工程と、平坦化された多結晶シリコン層の活性化処理する工程と、多結晶シリコン層に、溶液を用いた陽極酸化をする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】イオン性界面活性剤または高分子量非イオン性界面活性剤のような特定の鋳型を使用する必要がなく、特別の装置も必要ない多孔質シリカ相を形成可能な塗布液及びその製造方法と多孔質シリカ薄膜が形成される基材が平板なものに限定されることがない多孔質シリカ相の形成方法等を提供する。
【解決手段】多孔質シリカ相を形成可能な塗布液は、ＴＥＯＳとＴＥＯＳの重合のための触媒である酢酸とＴＥＯＳの溶解性を高めるための所定のアルコール類とシリカ相に細孔を形成するための添加物である所定の低分子量ジオール類と塗布液調製用の水とを備えている。所定の低分子量ジオール類としては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール又は１，４−ブタンジオールとすることが好適である。多孔質シリカ相の形成方法は、上記塗布液中にガラス基板または試験管等の基材を浸漬させることにより、所定の基材に多孔質シリカ相を形成させる。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒中に分散させることが可能なシリカナノシートを得ることができるシリカナノシートの製造方法を提供すること。
【解決手段】二ケイ化一カルシウムと濃塩酸とを混合して層状のシロキセンを形成する工程と、前記層状シロキセンと有機溶媒とを混合して攪拌し、前記有機溶媒中でシリカナノシートを形成する工程と、を含むことを特徴とするシリカナノシートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作で、しかも基材に熱影響を与えずに短時間に、緻密なシリカ膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１の表面１ａにポリシラザン含有膜３を形成する工程と、大気圧プラズマ領域を通過させたキャリアガスＰを前記ポリシラザン含有膜３に吹き付けてシリカ膜４へ転化させる工程と、を有することを特徴とするシリカ膜４の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を得る。
【解決手段】ナノオーダーサイズの三次元周期構造を有した三次元構造体であって、前記三次元周期構造の表面に、複数の粒子が周期的に付与されているものである。前記粒子は、表面修飾されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】排ガス触媒、光触媒、カーボンナノチューブ合成用触媒などに用いた時に、微粒子が持つ機能を最大限に発揮させることが可能な微粒子充填メソポーラス体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に開口した細孔を有するメソポーラス体と、前記細孔内に担持された金属又は金属酸化物からなる微粒子とを備え、前記細孔の内径は、前記微粒子の直径より大きく、かつ、微粒子の表面を覆う有機物がない微粒子充填メソポーラス体。金属又は金属酸化物からなり、表面が有機物で被覆された微粒子を細孔内に内包するメソポーラス材料からなる有機物被覆微粒子充填メソポーラス体を製造する有機物被覆微粒子充填メソポーラス体製造工程と、前記有機物を除去する有機物除去工程とを備えた微粒子充填メソポーラス体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】可視光領域の波長の光を照射した際に発色を生じることなく、可視光領域の波長の光に対して十分に優れた反射防止性能を有し、しかも簡便な方法で製造することが可能な反射防止膜を提供すること。
【解決手段】透明基材上に積層される反射防止膜であって、
前記反射防止膜が、透明樹脂と該透明樹脂中に分散された微粒子とからなり、前記微粒子の最近接粒子同士の中心間の平均距離が５０〜８００ｎｍの範囲にあり、前記反射防止膜中の前記微粒子の配列構造がアモルファス構造であり、且つ、前記反射防止膜の表面に凸部の平均高さが４０〜５００ｎｍの範囲にある凹凸形状が形成されていることを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】シラフィンを用いたバイオシリカの新規製造法等を提供すること。
【解決手段】本発明のバイオシリカ製造法は、シラフィンを用いてバイオシリカ粒を形成する場合に、使用するシラフィンのリピートユニット濃度、および／又は、形成時の温度を調節することにより、形成するバイオシリカ粒の粒径を制御する。また、本発明のバイオシリカ固定基板の製造法は、所定の結晶面を有する基板上にシラフィンを吸着させて、基板上でシラフィンによりバイオシリカを形成させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン膜及びデバイス等の酸化物カプセル化材料を不動態化するために必要とされる水素化の時間が短縮され、多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気的遷移特性が改良される、酸化物カプセル化材料の水素化の強化方法を提供する。
【解決手段】単原子水素の反射率が低い注入層を酸化物カプセル化材料上に形成した後、水素プラズマ等の原子水素源で水素化する。注入層はＡｕ、Ｐｔ、水素化アモルファスシリコン等が好ましい。 （もっと読む）