【課題】耐熱性、特に高湿度条件下での耐熱性に優れ、化学安定性および寸法安定性を備え、１００℃を越える温度でも安定なプロトン伝導が達成可能な、新規なプロトン伝導性シリカを提供する。
【解決手段】Ｎａ含有量５００ｐｐｍ以下、Ｂ含有量１００ｐｐｍ以下のシリカ基材において、特定の固定アニオン基５種のうち少なくとも１種有するプロトン伝導性シリカを用いる。 （もっと読む）

【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および／または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

モノリス型の無機多孔質の支持体と、随意的な１つ以上の多孔質の無機中間層と、非晶質のシリカ膜とを備えた、非晶質シリカのハイブリッド膜構造。非晶質シリカのハイブリッド膜は、例えばＨ_２の精製およびＣＯ_２の捕捉など、ガス分離用途に有用である。
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【課題】化学合成方法を用いて、固体化したマトリックス中に均一に分散された、微細な金属ナノ粒子を有する金属ナノ粒子無機複合体の製造方法およびこの製造方法による金属ナノ粒子無機複合体を提供する。
【解決手段】基板上に、金属アルコキシドを酸触媒の作用により部分加水分解するゾルゲル法で、微細孔を有する酸化膜１４を形成する酸化膜形成工程と、この酸化膜１４を酸性の塩化スズ水溶液と接触させるＳｎ析出工程と、微細孔からＳｎ^２＋イオンを除去するＳｎ^２＋イオン除去工程と、酸化膜１４を金属キレート水溶液と接触させ、微細孔中に金属ナノ粒子１２を析出させる金属ナノ粒子析出工程と、微細孔から金属イオンを除去する金属イオン除去工程を備えることを特徴とする金属ナノ粒子無機複合体１０の製造方法およびこの製造方法による金属ナノ粒子無機複合体１０。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷のような低コストプロセスが適用可能で、かつ高いセル効率を得ることができる、低価格の板状シリコン、その製造方法、下地板および太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン融液に下地板１を接触させて、該下地板表面上にシリコン結晶を成長させるための下地板の加工部材であって、凹凸形状部３を下地板上に形成可能な刃７を有する直線加工部材６を用いて、下地板１の頂部表面を６０°の角度を付けられた２つの直線状に切削することにより、凹凸形状部を形成することができる。例えば、互いに６０度の角をなす２方向（α１，β１方向）への直線状加工を行うことで作製した下地板１の凸部４の形状は四角錐となり、前記２方向（α１，β１）と互いに６０度の角をなす方向（γ１）にも直線状加工を施すことで、六角錐形状の凸部４を持つ下地板１が作製可能である。 （もっと読む）

本発明は、ヘキサクロロジシラン含有混合物の蒸留によりヘキサクロロジシランを製造する方法において、この蒸留の際に水が最高で１０ｐｐｂｗ（１０億分の１質量部＝parts per billion by weight）の量で存在することを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、多結晶シリコンロッドにおいて、該ロッドが、シリコンの５０〜９９％の電気伝導に利用される面積分を有するロッド横断面を有し、かつ、該ロッドが０．１〜８０Ｎ／ｍｍ²の曲げ強さを有することを特徴とするシリコンロッドに関する。 （もっと読む）

【課題】着色が低減されたチタン含有金属酸化物の製造方法を提供する。着色が低減されたチタン含有金属酸化物を金属酸化物マトリックスとして用いた、青色レーザを用いたホログラフィックメモリ記録においても好適なホログラム記録材料、その製造方法、及びホログラム記録を提供する。
【解決手段】金属元素として少なくともＴｉを含む金属酸化物を製造する方法であって、ゼミナルジオール及びビシナルジオール以外のグリコールが配位したＴｉのアルコキシド化合物を準備する工程と、前記グリコールが配位したＴｉのアルコキシド化合物を加水分解させ、金属酸化物の前駆体を得る工程と、金属酸化物前駆体の重縮合反応を進行させ、金属酸化物を形成する工程と、を備える金属酸化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、水に対して安定なシリカ多孔質体を提供する。
【解決手段】シリカ多孔質体を、屈折率を１．３以下にし、水に浸漬する前と、水に２４時間浸漬した後との波長５５０ｎｍでの屈折率差が０．１５以下とする。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シラン化合物を含む溶液を調整（Ｓ１０１）したのち、基体の上にシラン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を熱処理（Ｓ１０３）したのち、加圧処理（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。これにより、塗布膜中のシラン化合物が分解され、ケイ素原子とケイ素原子との結合およびケイ素原子とケイ素原子以外の原子との結合を解裂し、ケイ素原子とケイ素原子との結合が再構築される。 （もっと読む）

【課題】 任意形状の固体基材表面がシリカで被覆されている構造物、更にその被覆層中に金属イオン、金属ナノ粒子、有機色素分子が含まれている構造物、及びこれら構造物の簡便且つ効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】 ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーを含有する溶液中に固体基材を浸漬させた後取り出し、該固体基材の表面にポリマー層を形成させる工程（１）と、前記で得られたポリマー層を有する固体基材と、シリカソース液とを接触して、固体基材表面のポリマー層中にシリカを析出させ、ナノ構造複合体を形成させる工程（２）と、を有することを特徴とするナノ構造複合体被覆型構造物の製造方法及び該製法で得られる、固体基材の表面が、ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーとシリカとを含有するナノ構造複合体で被覆されていることを特徴とするナノ構造複合体被覆型構造物。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、緻密で密着性がよく、ガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の酸化ケイ素と、平均粒径が５μｍ以下であり屈折率が１．８以上である高屈折率材料とを有し、高屈折率材料の含有量が、酸化ケイ素１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下である原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、酸化ケイ素の比表面積が６００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】航空機及び航空宇宙機用の金属表面保護被膜の構成成分としてのナノ構造材料とその製造方法の提供。
【解決手段】式（１）、（２）または（３）：Ｚ_４−ｘＳｉ（（Ｒ’）_ｐ−Ｆ）_ｘ（１）Ｚ_{４−ｘ−ｙ}（Ｆ’−（Ｒ’）_ｐ）_ｙＳｉ（（Ｒ’）_ｐ−Ｆ）_ｘ（２）_{ｎ−ｍａ−ｍｂ}（Ｆ’−Ｌ）_ｍａＭ（Ｌ−Ｆ）_ｍｂ（３）の官能化剤を少なくとも２種用いて官能化された、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタンまたは酸化セリウム（ＩＶ）を主成分とする少なくとも１種のナノビルディングブロックを含む。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

前駆体ガスからＩＶ族半導体ナノ粒子の組を生成するためのプラズマ処理装置が開示される。この装置は、外側チューブ内面と外側チューブ外面とを含み、外側チューブ内面は外側チューブ内面エッチング速度を有する、外側誘電体チューブを含む。この装置はまた、内側チューブ外面を含み、外側チューブ内面及び内側チューブ外面は環状チャネルを定め、さらに内側チューブ外面は内側チューブ外面エッチング速度を有する、内側誘電体チューブも含む。この装置は、外側チューブ外面上に配置された第１の外側電極内面を有する、第１の外側電極をさらに含む。この装置はまた、内側誘電体チューブの内部に配置され、第１のＲＦエネルギー源が第１の外側電極及び第１の中央電極の一方に加えられたとき、第１の外側電極に結合されるようにさらに構成された第１の中央電極と、第１の外側電極と第１の中央電極との間に定められた第１の反応域とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術において使用された電磁分離法やシランガスを原料として用いることなく、原料と同等の同位体組成を持つ平滑なシリコンおよび同位体濃縮シリコン薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎで表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒、及び（ｃ）成分：オニウム塩を含み、（ａ）成分では、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ、Ｆ、Ｂ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、及びＣから成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．５０モル以下であり、１５０℃で３分間加熱したときに得られる被膜の応力が１０ＭＰａ以上であり、且つ、最終硬化により得られる被膜の比誘電率が３．０未満となる硬化特性を有する。 （もっと読む）

リボン結晶を成長する方法は、るつぼを提供し、るつぼは、溶融材料を収納し、溶融材料を通って少なくとも２つの糸を通し、部分的に形成されたリボン結晶を生成する。方法は、その後、流体を、部分的に形成されたリボン結晶の所与の部分に向け、所与の部分を対流的に冷却する。リボン結晶を形成する装置は、溶融材料を収納するるつぼと、ガスジェットとを含み、るつぼは、リボン結晶を成長するための溶融材料に糸を通す糸穴を形成し、ガスジェットは、成長中のリボン結晶に向かってガスを概ね内側に向けるための、内側に面する出口ポートを有する。
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