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Fターム[4G072DD02]の内容

珪素及び珪素化合物 (39,499) | 粒径 (1,792) | 1−0.1mm (120)

Fターム[4G072DD02]に分類される特許

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【課題】高温での使用においても優れた断熱性を示す複合粒子、断熱材及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る複合粒子(1)は、平均粒子径が50μm以上であり、25℃における熱伝導率が0.025W/(m・K)以下である第一粒子(10)と、平均粒子径が0.5〜10μmであり、前記第一粒子(10)を被覆する第二粒子(20)と、を含む断熱性粒子である。 (もっと読む)


【解決手段】珪素ナノ粒子が凝集してなる凝集体であって、その表面がSiF4で被覆された凝集体。
【効果】本発明によれば、珪素ナノ粒子が凝集してなり、珪素ナノ粒子が均一であり、その表面酸化が抑制された凝集体、凝集体の平均粒径や、珪素ナノ粒子の粒径の調製が容易で、簡便かつ大量に製造することができる上記凝集体の製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】遊色効果を有する発色と、十分な輝度とを実現するオパールを提供するとともに、オパールの形状の維持信頼性を向上させること。
【解決手段】シリカ粒子1を主成分とする凝集体からなるとともに、表面の一部に円形状または楕円形状の平面部2aを有する球状のオパール2であって、表面部における前記シリカ粒子1の密度が、内部における前記シリカ粒子1の密度に比べて大きいこと。上記オパール2を50質量%以上含有すること。製造方法は、シリカ粒子分散液を表面が疎水性の平板上に滴下して液滴にする滴下工程と、前記液滴を乾燥させて前記シリカ粒子1が凝集した乾燥物にする乾燥工程と、前記平板から前記乾燥物を分離する分離工程とを含むこと。 (もっと読む)


【課題】高容量であるシリコン系の負極のリチウム挿入/離脱うシリコン粒子の膨張/収縮によるシリコン粒子の破壊や集電体からの脱離を防ぐ負極に適した負極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含み、粒子コア及びそれらから伸長したシリコン含有ピラーのアレイを有する粒子をその活物質の一つとして含む電極であって、該粒子はシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物である。またピラーを有する粒子はエッチングによって作成される。 (もっと読む)


【課題】球状の不純物が少ない合成シリカガラス粉末を経済的に製造することができる方法、およびこの方法によって製造した球状の合成シリカガラス粉末を提供する。
【解決手段】合成したシリカ質のゲルをスプレー乾燥して球状化し、この球状乾燥粒子を焼成してガラス化することを特徴とする合成シリカガラス粉末の製造方法であり、好ましくは、球状乾燥粒子を1125℃以上に加熱焼成して、嵩比重1.0以上、比表面積0.1m2/g以下にする製造方法、および上記方法によって製造され、光透過性が焼成前の乾燥粒子より低いことを特徴とする合成シリカガラス粉末。 (もっと読む)



【課題】 本発明により、抵抗を高く保つことが重要視される目的で用いられる純Siにとって、充填、成形、塗布などに用いた際に、極めて重要な特性である電流遮断性である接触抵抗の高い純Si粉末を提供する。
【解決手段】 平均円形度が0.75〜1.00であり、かつ相対密度が65%以上を有するSiおよび不可避的不純物よりなることを特徴とする接触抵抗の高い純Si粉末。(なお、ここでいう相対密度とは、タップ密度を純Siの真密度2.33Mg/m3 で除して100を乗じた値(%)である)。また、上記相対密度が65〜80%である接触抵抗の高い純Si粉末。さらに、上記Si粉末をガスアトマイズ法にて製造する接触抵抗の高い純Si粉末。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10g/cm3〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05以下、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び球状化率が0.55〜1.00であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.35を超え1.75以下、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.50以上0.75以下及び球状化率が0.20以上0.55未満であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び球状化率が0.55〜1.00であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び未溶解率が0.00〜0.25であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径D50が10〜2000μmの合成非晶質シリカ粉末であって、BET比表面積を平均粒径D50から算出した理論比表面積で割った値が1.00〜1.35、真密度が2.10〜2.20g/cm3、粒子内空間率が0〜0.05、円形度が0.75〜1.00及び未溶解率が0.00〜0.25であり、炭素濃度が2ppm未満又は塩素濃度が2ppm未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カチオン的に安定化された沈降ケイ酸分散液の製造方法において、従来技術から公知の方法の欠点の少なくとも幾つかを有さない製造方法、従来技術の二酸化ケイ素分散液の欠点の少なくとも幾つかを有さないか又は低い程度でしか有さないカチオン的に安定化された沈降ケイ酸分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも1種の沈降ケイ酸の予備分散液を製造し、それを粉砕装置に供給して粉砕することを含み、その間に、沈降ケイ酸粒子の少なくとも一部の表面及び/又は粉砕の間に新たに生ずる沈降ケイ酸粒子の表面を、少なくとも1種のアミノシランを用いて、該アミノシランがSi−O−Si結合を介して前記沈降ケイ酸粒子に共有結合されるように被覆する。 (もっと読む)


トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 (もっと読む)


【課題】粉砕効率が高い、アルミニウムを含むシリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン粒子の製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を加熱して600℃以上の温度にする前処理工程と、該シリコン塊を、600℃以上の温度に保持した状態で粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ハンドリングが容易な洗浄液を用いて、少ないシリコンのロスでアルミニウムを効果的に低減できる精製方法により精製されたシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の精製されたシリコンの製造方法は、アルミニウムを含むシリコン塊を粉砕してシリコン粒子を得る粉砕工程(S10)、及び当該シリコン粒子を塩酸中に浸漬して酸洗浄する洗浄工程(S30)、をこの順に備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、太陽電池用、半導体用高純度化シリコンの製造における原料シリコンの前処理に係わるものであり、原料シリコンに含まれる不純物を前もって効率的に除去することにより、後段の精製工程における高純度シリコンの生産性の向上と製品品質の安定化を図るものである。
【解決手段】 原料の金属シリコンを1mm以下に粉砕した後、酸性水溶液又は塩基性水溶液に分散させてスラリー状とし、浸出温度を100℃以上、1tom以上の加圧下において浸出処理を行うことにより不純物を除去する。さらに効率的に不純物を除去するには、加圧下での浸出処理を行う前に、粉砕した原料シリコンを1000〜1400℃で焼成処理を行うことが望ましい。 (もっと読む)


【解決課題】簡便且つ反応炉の炉壁を傷つけることなく、反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛を除去することが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉の洗浄方法であって、該反応炉内を200〜1,000℃に加熱しつつ、塩素ガスを、四塩化珪素蒸気の供給管から供給し、排出ガスの排出管から排出して、該反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛と塩素ガスとを反応させ、残留物を除去することを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法。 (もっと読む)


外側表面及び内側の孔表面を有する処理された多孔質粒子であって、処理された多孔質粒子の外側表面の少なくとも一部分は疎水基を有し、内側の孔表面は親水性である。処理された多孔質粒子は、例えば乾燥剤として有用であり得る。吸収性物品(例えばおむつ及び生理用ナプキン)、並びに処理された多孔質粒子を含む吸収性物品の吸収性部品もまた開示される。
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