【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法およびそれにより形成されるシリカ膜を提供する。
【解決手段】
本発明は、使用する紫外線を透過する基体にプレカーサを塗布し、プレカーサ塗布面の裏面側より紫外線を照射する方法により、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 メソポーラスシリカ膜の低屈折率を保ちつつ、吸湿による屈折率の変動を抑制する。
【解決手段】 メソポーラスシリカ膜の少なくとも一方の表面から深さ１０ｎｍ未満の領域である表面層にＳｉＯ_{（２−ｎ／２）}Ｘ_ｎ（Ｘはアルキル基、フッ化アルキル基およびフッ素から選ばれる少なくとも１種類以上からなる基を示す。ｎは１以上３以下の整数を示す。Ｘがアルキル基またはフッ化アルキル基の場合、その一部に不飽和結合を有していてもよい。）で表わされる構造を有し、前記表面層におけるケイ素炭素及びフッ素の合計の元素成分比が０．１以上であり、前記表面から深さ１０ｎｍ以上の領域である内部層におけるケイ素に対する炭素とフッ素の合計の元素成分比が、前記表面層における元素成分比より小さい。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】酸化物微小構造体表面の水酸基及び吸着水を十分に除去することができる酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法を提供する。
【解決手段】酸化物微小構造体の表面に存在する水酸基及び吸着水を除去する方法であって、当該酸化物微小構造体の表面に表面処理剤を修飾する第１工程と、当該表面処理剤により修飾された酸化物微小構造体にマイクロ波を照射する第２工程と、を含む酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法である。
本発明により得られる酸化物微小構造体は、その規則正しい構造の形状性など光学分野、触媒分野、電気化学分野、電子工学分野などで好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】例えばＥｔＯＨのように分子サイズの小さな液体からも、水分を良好に選択除去できる水分除去方法を提供する。
【解決手段】Ｈｅガス透過流量Ｆ_ＨｅとＳＦ_６ガス透過流量Ｆ_ＳＦ６との比：Ｆ_Ｈｅ／Ｆ_ＳＦ６が１００〜１００００であるとともに、ＳＦ_６ガス透過流量Ｆ_ＳＦ６が１×１０^−１１ 〜１×１０^−８ ｍｏｌ／（ｍ^２・Ｐａ・ｓｅｃ）である無機材質膜１０を使用する。この方法は、特に液体がエタノール、イソプロピルアルコールなどの分子サイズが０．３６ｎｍ以上のものである場合に効果的である。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物がナノメートルオーダーのファイバー、粒子又はリボン形状を有し、これらを基本ユニットとして集合してなるナノ構造体で固体基材が被覆されている構造物とその簡便且つ効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】 ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーを含有する溶液中に固体基材を浸漬させた後取り出し、該固体基材の表面にポリマー層を形成させる工程（Ｉ）と、前記工程（Ｉ）で得られたポリマー層を有する固体基材と、金属酸化物のソース液とを接触して、固体基材表面のポリマー層中に金属酸化物を析出させナノ構造複合体被覆型構造物を得る工程と、前記工程（ＩＩ）で得られたナノ構造複合体被覆型構造物を焼成する工程（ＩＩＩ）と、を有することを特徴とする金属酸化物を主構成成分とするナノ構造体で被覆された金属酸化物被覆構造物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可燃性溶媒を用いることなく、基板上に無機膜を安全かつ低時間、超低電力で製膜できる、工業的に極めて有利な無機膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】泳動電着法により基板表面に無機膜を製膜する方法において、電着浴の溶媒としてハイドロフルオロエーテルを用いた無機膜を製膜する。
ハイドロフルオロエーテルとしては、好ましくは下記一般式（Ｉ）で示されるフルオロエーテルを用いる。
R¹−O−R² （Ｉ）
（R¹およびR²は、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のフルオロアルキル基であり、かつR¹およびR²の少なくとも一方は炭素数１〜６のフルオロアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】高温、高圧条件下においても安定的に使用でき、炭化水素の分離、特にオレフィン／パラフィン混合物の分離を行うことが出来る固体シリカ膜、それを用いた炭化水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
固体シリカ膜は、不飽和炭化水素を選択的に透過させる多孔質であり、一価の炭化水素基を表面に有し、赤外吸収スペクトル測定で得られるシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）の３０００ｃｍ^−１のピーク強度が、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の１５００ｃｍ^−１のピーク強度の１／１０以下である。炭化水素分離膜は、多孔性セラミックス支持体の表面に、上記固体シリカ膜が形成されている。本発明の炭化水素分離膜の製造方法は、酸素及び／又はオゾンと不活性ガスを含む混合ガスと、気化したシリカ源とを用いたＣＶＤ法によって、上記多孔性セラミックス支持体表面の細孔を閉塞するように上記固体シリカ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐食性を発揮しつつ、パーティクルの飛散を防止したセラミックス部材の提供
【課題手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、皮膜形成表面が、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル皮膜と基材表面とが混在してなる、具体的には、前記ゾルゲル皮膜の面積率が、皮膜形成表面全体の５〜８０％である表面処理セラミックス部材。気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の表面にケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲルからなる皮膜材を塗布した後、硬化前の皮膜材がセラミックス焼結体表面の凹部に残存するような条件で皮膜材の一部を除去し、セラミックス焼結体表面の凹部に残存した皮膜材を硬化させることにより得られる。 （もっと読む）

超疎水性コーティング、超疎水性コーティングを含むデバイスおよび物品、ならびに超疎水性コーティングを調製する方法が提供される。例示的な超疎水性デバイスは、基材構成部分と、この基材構成部分を覆って配置された１層または複数の超疎水性コーティングであり、これらの１層または複数の超疎水性コーティングの少なくとも１層が、少なくとも約１５０°の水接触角および約１°未満の接触角ヒステリシスを有する超疎水性コーティングとを含むことができる。これらの１層または複数の超疎水性コーティングは、超高水分含量酸触媒作用によるポリシリケートゲルを含むことができ、このポリシリケートゲルは、シリル化剤により誘導体化された表面官能基を有するシリカ粒子の三次元網目、および多数の孔を含む。
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【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】 任意形状の固体基材表面がシリカで被覆されている構造物、更にその被覆層中に金属イオン、金属ナノ粒子、有機色素分子が含まれている構造物、及びこれら構造物の簡便且つ効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】 ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーを含有する溶液中に固体基材を浸漬させた後取り出し、該固体基材の表面にポリマー層を形成させる工程（１）と、前記で得られたポリマー層を有する固体基材と、シリカソース液とを接触して、固体基材表面のポリマー層中にシリカを析出させ、ナノ構造複合体を形成させる工程（２）と、を有することを特徴とするナノ構造複合体被覆型構造物の製造方法及び該製法で得られる、固体基材の表面が、ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーとシリカとを含有するナノ構造複合体で被覆されていることを特徴とするナノ構造複合体被覆型構造物。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎで表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒、及び（ｃ）成分：オニウム塩を含み、（ａ）成分では、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ、Ｆ、Ｂ、Ｎ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、及びＣから成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．５０モル以下であり、１５０℃で３分間加熱したときに得られる被膜の応力が１０ＭＰａ以上であり、且つ、最終硬化により得られる被膜の比誘電率が３．０未満となる硬化特性を有する。 （もっと読む）

水素化ケイ素から水素分子を生成させるための方法。本発明は、水素化ケイ素とアルカリ性溶液とを接触させることによって、水素化ケイ素から水素分子を生成させることに関する。
本発明はまた、この水素生成方法を使用した燃料電池タイプの機器に関する。 （もっと読む）