【解決手段】一方向凝固法により金属ケイ素を精製する方法であって、溶融した金属ケイ素を撹拌翼により最大線速５０ｃｍ／ｓｅｃ以下で撹拌しながら一方向凝固する金属ケイ素の精製方法。
【効果】遠心法や沈降法等の他の工程を特に行わないで一方向凝固法だけでも金属ケイ素中の炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化カルシウム等の不純物を効率よく低減することができる。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類留出物中から不純物を効率よく除去し、クロロシラン類を高純度に精製すること。
【解決手段】水素化工程１０１および塩素化工程１０２ではトリクロロシランを含む粗クロロシラン類が得られる。不純物転化工程１０３では、蒸留補助剤として有機化合物が添加され、リン不純物およびホウ素不純物が高沸点物に転化される。精製工程１０４に送られてくるクロロシラン類留出物中には、クロロシラン類の他、有機化合物の過剰分と不純物の転化により生じた高沸点物が含まれている。精製工程１０４に送られてきたクロロシラン類留出物は、蒸発器１０４ａに導入され、トリクロロシラン類を蒸発させる。クロロシラン類の蒸気は蒸留塔１０４ｂに供給される。高沸点物に転化された不純物は釜残として残す。蒸発器１０４ａにおいて蒸発した蒸気は蒸留塔１０４ｂに供給され、トリクロロシランを主成分とするクロロシラン類の分離と精製が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容器内に収容された溶融シリコンに高周波誘導加熱を施したり、容器の底部から溶融シリコンに不活性ガスを吹き込んだり、または、溶融シリコンの浴面近傍に酸化性ガスとは別にさらに水素を吹き付けたりせずとも、溶融シリコン中のボロンの除去速度を向上させることが可能な溶融シリコン中のボロン除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】容器としてのルツボ１内に収容された溶融シリコン３の浴面３ａにＡｒ−５．０％Ｈ_２Ｏガスを吹き付けてプラズマアーク溶解しながら溶融シリコン３中のＢを除去する方法であって、ルツボ１内に収容された溶融シリコン３を、プロペラ２を用いて周方向に２５０ｒｐｍの速度で攪拌する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてＰを含有するシリコンとスラグを加熱してそれぞれを溶融し、シリコンとスラグを溶融状態で接触させてシリコン中のＰをスラグに吸収させ、次いでこれらを冷却・固化し、Ｐを吸収させたスラグをシリコンから分離除去する第一工程を少なくとも１回行った後、得られたシリコンを解砕し、これを無機酸を含む水溶液にて処理する第二工程を行うことによりシリコン中に含まれるＰを除去するシリコンの精製方法であって、スラグの組成が、少なくとも１種の塩基性酸化物を含み、この塩基性酸化物と、中性酸化物、酸性酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、及びアルカリ土類金属ハロゲン化物から選ばれる混合物からなり、かつ酸性酸化物を含む場合は、酸性酸化物の含有量が塩基性酸化物の含有量よりも少ない組成であるシリコンの精製方法。
【効果】従来の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び未溶解率が０．２５より大きく０．６０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラッジの融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物を、短時間で蒸発させて消失可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物からなる異物中の酸素が蒸発し、異物が消失する。その結果、チョクラルスキー法で多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物からなる異物が付着しない。 （もっと読む）

【課題】シリコン塊又はシリコンウエハの切断又は研磨によって排出される廃スラリー又はその濃縮分に含まれる、炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法および装置の提供。
【解決手段】炭素系不純物が付着したシリコン屑を精製してシリコンを回収する方法において、該方法は、シリコン屑からシリコン屑に付着した不純物を剥離する剥離工程と、シリコン屑と剥離した不純物とを分離する分離工程とを有しており、剥離工程において、シリコン屑に超音波を照射することにより、シリコン屑から不純物を剥離させ、しかる後、分離工程において、超音波処理されたシリコン屑と剥離した不純物とを分離することを特徴とするシリコンの回収方法、および超音波発生手段を備えた剥離装置と分離装置とからなる回収装置。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、フラックス中にハロゲンガスを含む処理気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】本発明によれば、冶金的手法による太陽電池用等の高純度シリコンの製造に用いるフラックス中の不純物、特にホウ素、リンを効果的に低減することができる。この結果、極めて安価にホウ素、リン等が低減されたフラックスを得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。
【効果】冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いるフラックス中の不純物、特にＢを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するＢが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Ｓｉの製造に用いることで、Ｓｉ中のＢを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてＢを除去したＳｉに、高真空下、局所高温加熱等によりＰを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度６Ｎ程度の太陽電池に使用可能な高純度Ｓｉとすることができる。 （もっと読む）

【課題】汚染されたクロロシランをわずかなコストで精製しかつその場合に存在する不純物をできる限り少量の搬出量に濃縮し、搬出すること
【解決手段】ＴＣＳ、ＤＣＳ及びＳＴＣを含むクロロシランからなるホウ素含有混合物を準備する工程、及び複数の蒸留塔中でクロロシランからなる前記混合物を蒸留により精製する工程を有し、低沸点のホウ素化合物を、ホウ素濃度が高められたＤＣＳを含む塔頂流によって前記蒸留塔から分流し、及び高沸点のホウ素化合物を、高沸点物を含むホウ素濃度が高められた塔底流によって前記蒸留塔から分流する、クロロシランを蒸留により精製する方法 （もっと読む）

【課題】高純度のシリカを、簡易にかつ低コストで製造しうる方法を提供する。
【解決手段】（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０．０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液と１０．０体積％以上の濃度の鉱酸を混合して、液分中のＳｉを非ゲル状の沈降性シリカとして析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ_２を含む固形分と、不純物を含む液分を得るシリカ回収工程、を含み、前記工程（Ｂ）において、ケイ酸アルカリ水溶液、及び鉱酸の少なくともいずれか一方と過酸化水素を混合することを特徴とする高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ホウ素化合物量を低減した多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明においては、トリクロロシラン（ＴＣＳ）タンク２ａと一連の蒸留ユニット４〜６とを接続するトリクロロシラン（ＴＣＳ）ライン２２においてＡｒガスを供給する。蒸留ユニット４〜６は、圧力変換器４ｅ〜６ｅと、蒸留ユニット４〜６からのベントガスを排出する排気ライン２６上に位置づけられた圧力独立制御弁（ＰＩＣ−Ｖ）４ｆ〜６ｆとを有する。Ａｒガスは、ＰＩＣ−Ｖ４ｆ〜６ｆを開放するよう設定された圧力より高い圧力を有するＴＣＳライン２２へと供給される。ベントガスを蒸留ユニット４〜６から連続的に排出しつつ、ＴＣＳは蒸留ユニット４〜６により蒸留される。 （もっと読む）

【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末１を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域８を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域８を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域８を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域２８を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【解決課題】結晶の生産性を高い状態に維持しながら、従来よりも不純物元素の除去を効率良くかつ確実に行うことができる金属シリコンの凝固精製方法及びその装置を提供する。
【解決手段】凝固精製装置の鋳型内にある金属シリコンの融液を一方向凝固させて金属シリコン中の不純物元素を除去する金属シリコンの凝固精製法であり、凝固界面での融液側温度勾配Ｇと、凝固途中の融液中不純物元素濃度Ｃmと、凝固速度Ｖとを用いて表される組成的過冷却指数｛VOGC＝(V/G)×Cm｝が、金属シリコンにおけるシリコン−不純物元素の状態図から読み取れる液相線の勾配ｍと不純物元素の拡散係数Ｄにより表される組成的過冷却の臨界値｛0.59(D/m)｝に対して、１／１０｛０．５９（Ｄ／ｍ）｝≦ＶＯＧＣ＜０．５９（Ｄ／ｍ）の関係を維持するように、融液の加熱及び／又は冷却を行う金属シリコンの凝固精製法である。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類留出物中からドナー不純物およびアクセプタ不純物を除去して含有量を低減させる技術を提供すること。
【解決手段】本発明のクロロシラン類の精製方法は、水素化工程101および／または塩素化工程102、不純物転化工程103、精製工程104の少なくとも３つの工程を備えている。不純物転化工程103では、一般式Ａｒ−Ｒ−ＣＨＯ（Ａｒは置換または未置換のアリール基、Ｒは炭素数２以上の有機基）で表記されるアルデヒド化合物が添加され、クロロシラン類留出物に含有されているドナー不純物およびアクセプタ不純物が高沸点物に転化される。ドナー不純物とアクセプタ不純物を高沸点物に転化させた後のクロロシラン類留出物は、精製工程104へと送られる。精製工程104では、蒸留塔などを用いることにより、塔頂部より系外に回収して、充分にドナー不純物およびアクセプタ不純物が除去された高純度のクロロシラン類を得る。 （もっと読む）