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Fターム[4G075DA01]の内容

物理的、化学的プロセス及び装置 (50,066) | プラント (4,942) | フローシート、プラント系統図あり (3,588)

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【課題】炭酸カルシューム培焼時の炭酸ガスを海水に吹き込み、培焼した石灰を乳化して添加し、添加した石灰乳に相当する炭酸カルシュームの倍以上の炭酸カルシュームに固定化して除去することにより、炭酸ガスを排出せずに石灰が造れたり、海水に炭酸カルシューム培焼時の倍以上の炭酸ガスを吹き込めるシステムを提供することである。
【解決手段】海水に石灰乳を添加して脱炭酸すると、海水中の炭酸ガス分が添加した石灰乳に相当する炭酸カルシューム量の倍以上の炭酸カルシュームが生成されることを利用して、海水に炭酸カルシューム培焼時の排ガスを吹込み、培焼した石灰の半量以下を乳化して海水に添加し、吸収された炭酸ガス分を炭酸カルシュームとして沈殿させて海水を元の炭酸ガス分含有量に戻して放流し、沈殿した炭酸カルシュームは再び培焼して、培焼した半量以上の石灰を他の炭酸ガス発生施設の脱炭酸ガス用に使うことが出来るようになる。 (もっと読む)


【課題】海水淡水化システムや同装置に利用される、容積形エネルギー回収装置において、該装置を構成するエネルギー回収チャンバーに過大な加工精度が要求されず、かつ長尺加工も必要とされることがなく、固体ピストンが存在しないため摺動抵抗による損失が発生することがなく、またエネルギー回収チャンバー内で発生する摩擦損失を低減することができる容積形エネルギー回収装置を提供する。
【解決手段】流動する高圧液体HWの圧力を流動する低圧液体LWに伝達することにより低圧液体LWの圧力を高めて低圧液体LW側にエネルギーを回収する容積形エネルギー回収装置23において、高圧液体HWと低圧液体LWとを導入するエネルギー回収チャンバー21を設け、高圧液体HWおよび低圧液体LWのいずれとも混じらない非混和性の流体NFをエネルギー回収チャンバー21内に入れ、高圧液体HWと低圧液体LWとを非混和性の流体NFで隔てるようにした。 (もっと読む)


【課題】反応工程後の後工程を効率的に行う。
【解決手段】加圧下で反応基質を含む液体材料と反応気体とが反応して生成物が生成される。気体透過性材料で形成され、加圧された状態で未反応の反応気体及び生成物が流通する気体透過性管体61と、気体透過性管体の周囲を囲んで内部に収容する収容体62とを有する。 (もっと読む)


【解決手段】天然ポリマー及び合成ポリマーの重合後改質を含むポリマー及び/又はコロイドの合成中におけるポリマー及び/又はコロイドの刺激応答性の進化をモニタリングする方法であって、ポリマー及び/又はコロイドが合成されるリアクターを配備し、ポリマー及び/又はコロイドの合成中におけるポリマー及び/又はコロイドの刺激応答性をモニタリングする手段を配備することを含んでいる。好ましくは、前記合成中のポリマー及び/又はコロイドの特性の進化をモニタリングすることを含んでいる。好ましくは、ポリマー及び/又はコロイドの応答刺激性の進化は、ポリマー及び/又はコロイド自体の特性の進化と相関関係がある。また、合成が起こるリアクター中の流体の状態が特定される。特定は、例えば、検出、材料の選択及び温度条件、並びにそれらの組合せによって行われる。開示された方法は、プロセス、合成、改質を最適化及び制御することであり、所望の刺激応答性を有するポリマー及びコロイドを得ることである。 (もっと読む)


【課題】塩素化炭化水素及び水を含む雰囲気中、温度380〜520℃において用いられるニッケル含有金属装置材料であって、コーキング及び腐食の発生を抑制することができるという優れた効果を有する金属装置材料並びに該金属装置材料を用いた反応容器を提供する。
【解決手段】塩素化炭化水素及び水を含む雰囲気中、温度380〜520℃において用いられるニッケル含有金属装置材料であって、ニッケルの含有量(X重量%)が下記式(1)により表されるニッケル含有金属装置材料並びに該金属装置材料を用いた反応容器。
5.0≦X≦{62.2+0.27×(520―T)} (1)
ここで、Tは材料を使用する温度(℃)である。 (もっと読む)


【課題】紫外線を放射するために必要な消費電力を小さくするとともに、出力設定値を変更しても累積放射時間に関わらず紫外線出力を一定に保つ。
【解決手段】記憶部6には、LEDユニット2の出力設定値の候補値ごとに補正テーブルが記憶されている。複数のLEDチップ8から構成される各LEDユニット2からこれまでに紫外線を放射させたことがある場合、操作部53で出力設定値が設定されると、PLC5は、前回の放射までの累積放射時間に対応する補正値を出力設定値の補正テーブルから取得する。その後、PLC5は、取得した補正値を用いて各LEDユニット2への供給電力の大きさを設定する。ここで、前回の出力設定値とは異なる出力設定値が設定された場合、PLC5は、変更時の累積放射時間から開始して補正値を求める。 (もっと読む)


合成岩石、例えば骨材を含む組成物、および、それらを生成し使用する方法が提供される。岩石、例えば骨材は、COおよび/または産業廃棄流の他の成分を含有する。COは、二価陽イオン炭酸塩の形態で、例えば炭酸マグネシウムおよび炭酸カルシウムであってもよい。本発明の態様は、CO含有ガス流を水と接触させてCOを溶解すること、および、その水を、炭酸塩含有沈殿生成物、例えば二価陽イオン炭酸塩を生成するのに十分な沈殿条件下に置くことを含む。 (もっと読む)


【課題】真空装置中の全圧を制御しつつ気体供給路を短時間で変更できる調圧機能付高速ガス切替装置とする。
【解決手段】第1流量制御バルブを介して第1供給ガスを真空装置に供給する第1管路と、第2流量制御バルブを介して第2供給ガスを供給する第2管路とを第1三方向バルブで連結して、第1供給ガスと第2供給ガスのいずれかのガスを第1三方向バルブから第3流量制御バルブを介して真空装置に供給可能とする。また、第2管路の第2流量制御バルブと第1三方向バルブとの間の管路と、第4流量制御バルブを介して排気する排気管路とを第2三方向バルブで連結するとともに、排気管路の第4流量制御バルブと第2三方向バルブとの間の管路に前記第1管路から分岐した管路を連結して、第1供給ガスと第2供給ガスのいずれかのガスを第4流量制御バルブを介して排気可能とする。 (もっと読む)


【課題】 凝縮のための冷却能力を十分に確保できる加熱冷却装置を提供する。
【解決手段】 反応釜1の外周にジャケット部2を、内部に多管式熱交換器3を配置する。ジャケット部2と多管式熱交換器3に蒸気供給管15並びに冷却水供給管14を接続する。反応釜1の外部にコンデンサ26を接続する。反応釜1内側端部に、下方に向かうにつれて高さが低くなる凸状の抵抗板5を取り付ける。反応釜1内の中心部に攪拌翼16を取り付ける。攪拌翼16は、下方の攪拌翼22ほど大きくし、上方の攪拌翼23ほど小さくする。
反応釜1内で発生した蒸発流体を、コンデンサ26で潜熱冷却することにより、大きな冷却能力で凝縮させることができる。 (もっと読む)


【課題】 凝縮のための冷却能力を十分に確保できる加熱冷却装置を提供する。
【解決手段】 反応釜1の外周にジャケット部2を、内部に多管式熱交換器3を配置する。ジャケット部2と多管式熱交換器3に蒸気供給管15並びに冷却水供給管14を接続する。反応釜1の外部にコンデンサ26を接続する。反応釜1内側端部に、下方に向かうにつれて高さが低くなる凸状の抵抗板5を取り付ける。反応釜1内の中心部に攪拌翼16を取り付ける。攪拌翼16は、下方の攪拌翼22ほど大きくし、上方の攪拌翼23ほど小さくする。
反応釜1内で発生した蒸発流体を、コンデンサ26で潜熱冷却することにより、大きな冷却能力で凝縮させることができる。 (もっと読む)


【課題】長時間に渡って付着物が真空容器の内壁面に付着することを防止でき、しかも成膜された無機膜の機能(例えばガスバリヤー膜としての機能)を損ねることがない。
【解決手段】排気系統20を備えた真空容器22内に原料ガスを導入すると共に、真空容器22内に発生させたプラズマによる気相反応によってフィルム12(基板)上に無機膜を成膜するプラズマCVD工程を備えた成膜方法において、プラズマCVD工程では、真空容器12内の内壁面温度を、無機膜が成膜されるフィルム12の基板温度よりも50℃以上、200℃以下の範囲で高い温度に維持した状態で成膜する。 (もっと読む)


【課題】汚染された水などの液体を浄化するにあたり、オゾンやOHラジカルを用いてより一層効率良く行える浄化装置を提供することを課題とする。
【解決手段】浄化原料ガスを導入し、浄化原料ガスが対向する電極に発生するプラズマによりオゾンおよびOHラジカルを生成させる第1の領域と、汚染液体を流し、汚染液体が流れる流路中に少なくとも一部が光触媒処理された部材を有する第2の領域と、を有し、生成されたオゾンおよびOHラジカルを前記第2の領域に導入し、光触媒処理された部材に、プラズマの発光に起因する光が照射されることを特徴とする浄化装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】製造すべき分子の複雑さがどのようであれ、収益性が高く、前記分子の合成に必要な反応時間と過程の数を削減し得る化学合成法を提供する。
【解決手段】再循環システムに組み込まれた、断続的な誘電加熱による方法であって、この方法は、再循環システムによって断続的に、反応物質を300GHzから3MHzの周波数から選択される電磁波にかけることからなり、反応物質のすべてのボリュームが恒常的に誘電波にさらされるのではなく、反応物質の混合物のすべての分子が断続的にフィールドにかけられる。 (もっと読む)


【課題】多管式反応器のシェル内のガス抜き不良を容易に検出する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多管式反応器シェル内のガス抜き不良を検出する方法は、シェルの上管板部にガスの抜き出し配管を有する多管式反応器を使用し、該シェル内と該反応器の外部に配置した熱媒の循環タンクとの間を、熱媒を循環して反応を行う際に、該循環タンクに液面計を設け、熱媒液面の上昇を把握して該シェル内のガスの抜き出し不良を検出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】装置を構成している部材等の損傷及び被処理物の処理ムラを抑止することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置100は、希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置1と、フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置2と、前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合して混合ガスを生成させる混合器5と、前記混合ガスに被処理物を接触させる反応器6とを備えた表面処理装置100であって、前記希釈ガスを加熱する加熱手段8をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】表面処理、改質に使用されたガスにより装置が損傷することを抑止できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置100は、希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置1と、フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置2と、前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合し、混合ガスを発生させる混合器5と、前記混合ガスを被処理物に接触させる反応器6とを備えた表面処理装置100であって、前記反応器内から排気ガスを排出する排気装置7と、前記反応器6と前記排気装置7との間に設けられており、前記排気ガスを流通させる複数の流路19、20、21、22と、前記複数の流路の各々に設けられている複数の弁23、24、25、26とをさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】 ダイオキシンを含んだ被処理物質の浄化処理を簡便かつ安価に行なうことができる物質浄化処理方法と、それに用いる物質浄化装置とを提供する。
【解決手段】 プラズマ発生電極1,1にプラズマ発生用電圧を印加してプラズマPを発生させ、そのプラズマP中にダイオキシンを含有した気体状の被処理物質Gを導入する。これにより、ダイオキシンを主にダイオキシン以外の有機物に転化して、被処理物質G中のダイオキシン含有量を減少させる。 (もっと読む)


【課題】効率良くガスハイドレートを製造することができるガスハイドレートの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧下で水にガスを高濃度に溶解させ、このガス溶解水を気泡が発生しないように大気圧まで緩やかに減圧した後、冷却する。高圧下でガスを高濃度に溶解させたガス溶解水を気泡が発生しないように大気圧まで緩やかに減圧した後に冷却するようにしているため、水に溶解したガスが逃げない状態でガスハイドレートを生成することができる。 (もっと読む)


【課題】 冷却水の浪費を極力少なくすることのできる減圧蒸気加熱装置を得ること。
【解決手段】 反応釜1のジャケット部11に蒸気供給管3を接続する。蒸気供給管3には蒸気圧力調節弁7と気液分離器4を取り付ける。吸引手段2の循環路16を分岐して、流体供給管6と余剰流体排出管9を接続する。余剰流体排出管9に管路18を接続して液体圧送装置17を連通する。液体圧送装置17の液体流出口29に管路35を介して蒸気供給管3と接続する。
蒸気供給管3からジャケット部11へ供給される過熱蒸気は、流体供給管6及び余剰流体排出管9と管路18から供給される冷却流体によって所定温度まで減温される。 (もっと読む)


【課題】 冷却水の浪費を極力少なくすることのできる減圧蒸気加熱装置を得ること。
【解決手段】 反応釜1のジャケット部11に蒸気供給管3を接続する。蒸気供給管3には蒸気圧力調節弁7と気液分離器4を取り付ける。吸引手段2の循環路16を分岐して、流体供給管6と余剰流体排出管9を接続する。流体供給管6にエゼクタ装置17を介在して蒸気供給管3と接続する。余剰流体排出管9を分岐して管路18によりエゼクタ装置17の吸込室19と接続する。
蒸気供給管3からジャケット部11へ供給される過熱蒸気は、流体供給管6及び余剰流体排出管9と管路18から供給される冷却流体によって所定温度まで減温される。 (もっと読む)


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