【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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多結晶シリコンを取得する装置は：そのシリコンに対して石英で作られ、カップ形状のグラファイト容器（4）において除去可能に収納された少なくとも1つのるつぼ（3）；固定された底部ハーフシェル（6）及び垂直に可動式である上部ハーフシェル（7）を含む流体密封のケーシング（5）；グラファイトプレート（14）が介在した状態でそのるつぼに向かい合って配置された上部誘導コイル（12）、そのグラファイト容器の側壁（17）の周りに配置された側部誘導コイル（16）及びそのグラファイト容器の底壁（19）に向かい合って配置され、その底壁からの距離（D）を変更するために垂直に可動式である底部誘導コイル（18）；及び、誘導コイルのお互いに別々のa.c.電力供給に対する手段（20）；を含み、少なくともその側部誘導コイル（16）は、お互いに重なり合って配置された複数の平面の巻き（13a...13e）、及びそれらの巻きを全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に選択的に短絡させ、供給する又は供給しないための及びそれらの供給の周波数を全て一緒に又は一度に1つ以上を別々に変更するための手段（25）を含む。

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【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、多結晶の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】融液４に種結晶９を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる装置１であって、成長炉２内に断熱材３を介して備えられたＳｉ含有融液４を収容する坩堝５、成長炉２の周囲に設けられ融液４を加熱して一定温度に維持するための高周波コイル６を含む外部加熱装置７および昇降可能な炭素棒８が備えられ炭素棒８の先端に種結晶９が設置され、炭素棒８下端の側面部に融液４に対して炭素棒８より濡れ性の低い多結晶発生阻害部１０が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置１。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】特にるつぼ水平方向の温度揺らぎを低減することにより、単結晶化歩留まりの高い、化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器１内に、少なくとも化合物半導体原料５を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料５を加熱溶融するヒーター３，４を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径（ｄ）に対して前記ヒーター３，４の内径（Ｄ）を１．５〜３．０倍（Ｄ／ｄ＝１．５〜３．０）としたヒーター３，４を用いる。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、及びその製造方法に用いられる耐シリコン融液部材を提供する。
【解決手段】坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を製造する結晶シリコン粒子５の製造方法において、ノズル部１ａは窒化珪素を含む材料から成るとともに少なくとも表層部が酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】耐熱及び冷却に関し望ましい効果を有し、電極に純水を供給する必要がなく、費用節約や安全上の課題を解決しうる結晶成長炉の電極構造体を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのグラファイト電極柱２と、少なくとも１つの金属電極柱と、少なくとも１つの固着基部４と、少なくとも１つのロックナットとを含み、グラファイト電極柱は、金属電極柱のナット基部に係合し、少なくとも１つの金属電極柱は、固着基部を通って炉壁に固締される。従って、少なくとも１つのグラファイト電極柱は、重量支持体としても導電性の電極としても働く。炉壁に溶接されたフランジ４１は、大気に晒される面積が大きくなることから、望ましい冷却効果を達成することができ、散水が実施されれば温度降下を促進することができる。固着基部には弾性座金が設けられているので、弾性力を用いてグラファイト各電極柱の荷重を軸方向に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】「棚吊り現象」を抑制しながら溶融対象物を急速に溶融できる高周波誘導炉およびそれを用いた溶融物製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融対象物４を収容する収容凹部を有する円筒状の坩堝１と、該坩堝１の周囲に配置された高周波コイル２と、前記高周波コイル２からの高周波により誘導加熱を起こして坩堝１内の前記溶融対象物４を溶融する被加熱体３Ａとを備え、前記被加熱体３Ａは、坩堝１の前記収容凹部内または坩堝１を構成する周囲壁内において、溶融対象物４の溶融開始位置を規定する形状に形成されている、または前記溶融開始位置を規定する位置に設けられていることを特徴とする高周波誘導炉。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）