【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置される粒子の凝集を低減して、基板表面に分散性よく粒子が配置された、基板複合体、及び、基板の表面にカーボンナノチューブが高密度で形成されたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】基板複合体が、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置された粒子群を有する層と、を備え、前記層は、遷移金属及びアルカリ金属を含む。また、カーボンナノチューブ複合体は、前記基板複合体と、前記粒子群に一端が接続されている複数本のカーボンナノチューブと、を有する。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】負極活物質、それを採用した負極並びにリチウム電池、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コアを含み、該コアが結晶面間距離ｄ_００２が０．３５ｎｍ以上である結晶性炭素系材料と、チタン系酸化物粒子と、を含む負極活物質である。 （もっと読む）

【課題】安全に、容易に且つ安価に製造できるグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの製造方法は、表面にグラフェン酸化物層が積層された導電性基材を、有機溶媒及び支持電解質を含有する電解液中に浸漬する。そして、導電性基材の電位を負側に印加して、グラフェン酸化物を電気化学還元してグラフェンを得る。グラフェン酸化物を低電圧で容易に還元することができ、グラフェンを安全、容易且つ安価に製造できる。 （もっと読む）

【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直配向ＣＮＴやカーボンナノウォールなどのカーボン材料に均一に金属を担持させることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、第一の容器と、第一の容器とバルブを介して連通可能に接続された第二の容器を有する装置を利用する、超臨界流体を用いた金属担持カーボンの製造方法であって、（ａ）第一の容器に金属化合物と超臨界流体前駆体ガスを、第二の容器にカーボンと超臨界流体前駆体ガスをそれぞれ封入する工程、（ｂ）第一の容器内の圧力が第二の容器内の圧力よりも低くなるよう第一の容器および第二の容器のそれぞれを加圧し、超臨界流体前駆体ガスを超臨界状態とする工程、（ｃ）バルブを開いて第一の容器と第二の容器とを連通させる工程、を含む方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン及び該グラフェンの表面に形成されたリチウム入り金属酸化物を含むナノ複合素材及びその製造方法並びに、これを電極材料として含むエネルギ貯藏装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物とグラフェンとを反応させて金属酸化物／グラフェン前駆体を製造し、該金属酸化物／グラフェン前駆体にリチウムイオン溶液を反応させて該グラフェンの表面にリチウム入り金属酸化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを積層したときに光透過率の低下を緩和したり、１層のグラフェンの光透過率の上限よりも高い光透過率を得たりすることの可能な透明導電膜、ならびにそれを備えたヒータ、タッチパネル、太陽電池、有機ＥＬ装置、液晶装置および電子ペーパを提供する。
【解決手段】透明導電膜は、単層の導電性グラフェンシートを備えている。単層の導電性グラフェンシートは、グラフェンからなる第１領域と、第１領域で囲まれるとともに第１領域よりも光透過率の高い第２領域とを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にカーボンナノチューブを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記基板は、ネットワーク構造体であり、前記ネットワーク構造体は、少なくも一つの線状カーボンナノチューブ構造体及び該線状カーボンナノチューブ構造体の表面に被覆された絶縁層からなる。前記音波発生器は、前記基板の一つの表面に設置され、グラフェン構造体からなり、前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器に熱を発生させる。また、本発明は、前記熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 （もっと読む）

【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は１：１０００〜１：１０である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にカーボンナノチューブを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記音波発生器は、前記音波発生器の一つの表面に設置される。前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、相互に積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有する自立構造である。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させることを特徴とする熱音響装置。 （もっと読む）