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Fターム[4G146AD22]の内容

Fターム[4G146AD22]に分類される特許

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【課題】黒鉛粒を高濃度で含有する未硬化のフェノール樹脂との複合体である成形材料を、金型内で加熱・加圧成形によって賦形した成形品を無酸素の高温雰囲気で焼成して誘電加熱を可能とするカーボン凝結体成形品において、ゲート近傍の過度な吐出圧と流路の急変に伴って歪みが成形品内に残留する。この結果、焼成段階で樹脂部分に微細な亀裂が発生し、落球などの衝撃応力による耐性を著しく低下させていた。
【解決手段】この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、黒鉛粒にフェノール起源のカーボンを結合材としたカーボン凝結体の鍋状成形品の底面中央にあるゲート相当部分にシリコン化合物を含浸させた後、無酸素雰囲気の1100〜1500℃で加熱処理を行う工程を含んで成るものである。 (もっと読む)


【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】 基材の変形を防止し、カーボンナノチューブ配向集合体の収量低下や品質低下、各製造工程の不具合を防止することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基板の表面に触媒を担持した基材上に、化学気相成長法を用いてカーボンナノチューブ配向集合体を製造するカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法において、前記金属基板として、その表面の残留歪みをεa、裏面の残留歪みをεbとし、それぞれの値の信頼区間をそれぞれMa、Mbとしたとき、基板面に沿って水平で且つ直交する2方向それぞれの残留歪みが式|εa−εb|≦Ma+Mbを満たしている基板を用いる。 (もっと読む)


【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 (もっと読む)


【課題】ホウ素を含む場合であっても、BET比表面積を飛躍的に増大させることにより、顕著な性能向上を図ることができる多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】少なくとも表面にはC−B−O結合構造が存在し、77Kにおける窒素吸着等温線から求められるBET比表面積が300m/g以上であることを特徴とする多孔質炭素であり、ホウ酸とクエン酸マグネシウムとを混合して混合物を作製するステップと、上記混合物を、真空雰囲気、非酸化性雰囲気、又は還元性雰囲気で加熱焼成して焼成物を作製するステップと、上記焼成物中の上記鋳型を除去するステップとを有する製造方法によって作製することができる。 (もっと読む)


【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 (もっと読む)


【課題】高導電性の導電体、およびその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ[A]と、分散剤[B]と、分散媒[C]とが、[A]に対する[B]の質量比([B]の含有量/[A]の含有量)が1.0〜9.0で含まれる被処理分散液を、遠心加速度10万〜20万G、1〜10時間の超遠心分離することにより作成された、[A]に対する[B]の質量比([B]の含有量/[A]の含有量)が0.5〜3.0で含まれる遠心後の沈澱部を用いて塗布用分散液を調製し、塗布用分散液を透明基材上に塗布した後、乾燥させることを特徴とする透明導電体の製造方法、およびその方法により得られる透明導電体。 (もっと読む)


【課題】サトウキビバガスを出発原料として、簡易かつ安価で工業的に製造されたカーボンナノチューブを含む炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二酸化ケイ素を含むサトウキビを圧搾処理して得られるサトウキビバガスが炭化炉にて不活性ガス雰囲気下で炭化され、得られた炭化物が不活性ガス雰囲気下で1100℃以上2200℃以下の温度で黒鉛化されることにより製造され、炭素を主成分とする筒状の側壁部と、側壁部の内部空間において側壁部の筒軸方向に順次積層する状態で結晶化した炭化ケイ素を主成分とする積層部とを備えて形成されたカーボンナノチューブを含む炭素材料。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、長期間にわたって分散性を維持した分散液を調整可能なカーボンナノチューブ分散剤および当該分散剤を含む分散液を提供することである。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物の少なくとも一種及びポリビニルピロリドンを含有するナノカーボン分散剤。
Ar‐X‐Y‐Z 式(1)
式中、Arは、アントラセン、ピレン等の多環式芳香族炭化水素基であり、Xは、炭素数1〜21の炭化水素基、又は直接結合を示し、Yは、O、NH、COO、CONH、又は直接結合を示し、Zはセルロース等の多糖類、DNA等の生体高分子又はクラウンエーテル、シクロデキストリン等の環状ホスト分子の重合体、又は置換されていてもよいこれらの分子を示す。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、長期間にわたって分散性を維持した分散液を調整可能なカーボンナノチューブ分散剤および当該分散剤を含む分散液の提供。
【解決手段】−(−Z(YXAr)−)n−で表される化合物の少なくとも一種を含有するナノカーボン分散剤。式中、Arは、アントラセン、ピレン等の多環式芳香族炭化水素基であり、Xは、炭素数1〜21の炭化水素基、又は直接結合を示し、Yは、O、NH、COO、CONH、又は直接結合を示し、Zはセルロース等の多糖類、DNA等の生体高分子又はクラウンエーテル、シクロデキストリン等の環状ホスト分子の重合体、又は置換されていてもよいこれらの分子を示す。nは1以上の整数であるが、環状ホスト分子をシクロデキストリンとした場合には2以上の整数である。 (もっと読む)


【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のXPSスペクトルの405eVの強度I405と400eVの強度I400の強度比I405/I400が0.4〜1.0であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のXPSスペクトルの405eVの強度I405と400eVの強度I400の強度比I405/I400が0.4〜1.0の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】グラフェンを積層したときに光透過率の低下を緩和したり、1層のグラフェンの光透過率の上限よりも高い光透過率を得たりすることの可能な透明導電膜、ならびにそれを備えたヒータ、タッチパネル、太陽電池、有機EL装置、液晶装置および電子ペーパを提供する。
【解決手段】透明導電膜は、単層の導電性グラフェンシートを備えている。単層の導電性グラフェンシートは、グラフェンからなる第1領域と、第1領域で囲まれるとともに第1領域よりも光透過率の高い第2領域とを含んで構成されている。 (もっと読む)


【課題】分散性が良く、導電性が高く、かつ、カーボンナノチューブ生成用の触媒をほぼ含まない、新たなカーボンナノチューブナノホーン結合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ3と、カーボンナノホーン2とを含み、
カーボンナノチューブ3は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン2は、少なくとも一方の端が閉じたチューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン2における前記グラファイト層を形成する炭素−炭素結合の一部が切断され、その炭素原子が、カーボンナノチューブ3の炭素原子と化学的に結合されており、
カーボンナノホーン2が、カーボンナノチューブ生成用の触媒を実質的に含まないことを特徴とするカーボンナノチューブナノホーン結合体4。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、長期間にわたって分散性を維持した分散液を調整可能なカーボンナノチューブ分散剤および当該分散剤を含む分散液を提供することである。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物により表面がコーティングされてなるナノカーボン材料。
Ar‐X‐Y‐Z 式(1)
式中、Arは、アントラセン、ピレン等の多環式芳香族炭化水素基であり、Xは、炭素数1〜21の炭化水素基、又は直接結合を示し、YはO、NH、COO、CONH、又は直接結合を示し、Zはセルロース等の多糖類、DNA等の生体高分子又はクラウンエーテル、シクロデキストリン等の環状ホスト分子、又は置換されていてもよいこれらの分子を示し、Zは互いに架橋されている。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、長期間にわたって分散性を維持した分散液を調整可能なカーボンナノチューブ分散剤および当該分散剤を含む分散液を提供することである。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物の少なくとも一種及び多環式芳香族炭化水素基を有しないセセルロース類を含有するナノカーボン分散剤。
Ar‐X‐Y‐Z 式(1)
式中、Arは、アントラセン、ピレン等の多環式芳香族炭化水素基であり、Xは、炭素数1〜21の炭化水素基、又は直接結合を示し、Yは、O、NH、COO、CONH、又は直接結合を示し、Zはセルロース等の多糖類、DNA等の生体高分子又はクラウンエーテル、シクロデキストリン等の環状ホスト分子、又は置換されていてもよいこれらの分子を示す。 (もっと読む)


【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板1上に絶縁層2を形成し、絶縁層2に空隙2Aを形成し、空隙2Aに触媒材料4を充填し、絶縁層2における触媒材料4の露出面4aにグラフェン5を形成し、絶縁層2上でグラフェン5の両端部に接続するように一対の電極5,6を形成し、グラフェン5を一部除去してグラフェンリボン8を形成し、グラフェンリボン8の除去された部位である間隙2A1,2A2を通じて触媒材料4を除去する。 (もっと読む)


【課題】
リチウム2次電池の電極材の少なくとも一部に用いた際に高容量化と高出力化を共に達成しうる、リチウムイオンの電荷移動特性に適合した金属化合物−導電剤複合体と該複合体を少なくとも一部に用いた電極剤、およびリチウム二次電池を提供する。
【解決手段】
酸素原子を含有する金属化合物からなる粒子が導電剤表面に接合した金属化合物−導電剤複合体であって、金属化合物粒子の最小径の平均が15nm以上100nm以下であり、金属化合物粒子が導電剤表面の30%以上の面積を占めて接合してなることを特徴とする金属化合物−導電剤複合体。 (もっと読む)


【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は1:1000〜1:10である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 (もっと読む)


【課題】機械的強度に優れ、半導電性を有する液晶ポリエステル組成物の製造方法の提供。
【解決手段】液晶ポリエステルと、下記(A)の要件を満たすナノ構造中空炭素材料とを含有する液晶ポリエステル組成物の製造方法であって、前記液晶ポリエステル85〜99質量部と、前記ナノ構造中空炭素材料1〜15質量部とを、1000〜9000/秒のせん断下で溶融混練する工程を有することを特徴とする液晶ポリエステル組成物の製造方法。
(A)ナノ構造中空炭素材料が、炭素部及び中空部を有し、前記中空部の一部又は全体が前記炭素部により囲まれた構造を有する。 (もっと読む)


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