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Fターム[4G146BA11]の内容

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【課題】従来の電子放出源に比べ、微細炭素繊維が均一に分散されており、その製造も容易な電子放出源を提供することを主たる課題とする。
【解決手段】少なくとも、外径15〜100nmの炭素繊維から構成される3次元ネットワーク状を呈しており、前記炭素繊維が複数延出する態様で、当該炭素繊維を互いに結合する粒状部を有しており、かつ、当該粒状部は前記炭素繊維の成長過程において形成されてなるものである炭素繊維構造体と、バインダー樹脂と、からなる炭素繊維構造体分散液を形成し、前記炭素繊維構造体分散溶液を基板上に塗布し、固化することにより電子放出源とする。 (もっと読む)


【課題】ナノカーボン材料を強固に固着できるナノカーボン材料積層用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド膜3上にナノカーボン材料を合成することによって、ダイヤモンド膜3とナノカーボン材料の結合部分の炭素が、ナノカーボン材料のsp2混成軌道とダイヤモンド膜のsp3混成軌道とが混合した混成軌道を形成し、ナノカーボン材料とダイヤモンド膜とが強固に結合する。ナノカーボン材料のダングリングボンドとダイヤモンド膜のダングリングボンドとが共有結合を形成することによっても強固に結合する。 (もっと読む)


炭素ナノ構造体の製造法には、1)多数の分散剤分子を使用して多数の触媒作用のある鋳型粒子を形成すること、2)多数の鋳型ナノ粒子の存在下に炭素前駆体を重合して中間炭素ナノ構造体を形成すること、3)中間炭素ナノ構造体を炭化して複合ナノ構造体を形成すること、4)複合ナノ構造物から鋳型ナノ粒子を除去して炭素ナノ構造体を得ることが含まれる。この炭素ナノ構造体は、触媒担体として使用するのに十分適している。この炭素ナノ構造体は、大きな表面積、高い空隙率、および高い黒鉛化を示す。本発明による炭素ナノ構造体は、より費用がかさみ多分より壊れやすい炭素ナノチューブの代替物として使用できる。
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【課題】表面積が大きく、ガス透過性、液体透過性及び細孔分布等の諸特性を制御することが可能な炭素系複合材料の新規製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系多孔質支持体1に触媒2を担持する工程と、触媒2が担持された炭素系多孔質支持体1に高温下で炭素含有化合物を接触させて炭素系多孔質支持体1上にカーボンナノファイバ3を生成させる工程とを含む、或いは、炭素系多孔質支持体1上で芳香族化合物を重合させて炭素系多孔質支持体1上にフィブリル状ポリマーを生成させる工程と、フィブリル状ポリマーを焼成して3次元連続状炭素繊維を生成させる工程と、3次元連続状炭素繊維に触媒2を担持する工程と、触媒2が担持された3次元連続状炭素繊維に高温下で炭素含有化合物を接触させて3次元連続状炭素繊維上にカーボンナノファイバ3を生成させる工程とを含む炭素系複合材料の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】カーボンファイバの成長密度等の制御を触媒物の配置制御により可能とすること。
【解決手段】カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する触媒微粒子5aを含む触媒物が多数配置され、これら触媒物の配置間に、触媒微粒子5aの前記作用を阻害する阻害物7がカーボンファイバ束内でのカーボンファイバ9の成長密度を制御することができるチップ状に分散して配置されている構造。 (もっと読む)


【課題】カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御することを可能にする。
【解決手段】カーボンを含むガスに接触してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子5aが配置され、触媒微粒子5aの配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物11がブロック状に配置されている。 (もっと読む)


高品質単層カーボンナノチューブ(SWNT)を合成する方法および工程が提供される。炭素前駆ガスを、担体に担持した触媒に接触させる。反応温度と反応持続時間を調節して、ラマンスペクトルにおけるGバンドとDバンドとの比(IG:ID)が約5〜約70であるSWNTを製造する。 (もっと読む)


【課題】 カーボンナノチューブ(CNT)と基板との密着性が向上されて、基板表面に触れた程度では剥がれず、さらに強めの衝撃にも密着性が損なわれず、また、導電性も熱伝導性も良く、接触抵抗も低いCNTの作製方法及び固定方法の提供。
【解決手段】 CNT成長温度より高い融点を有する金属の膜及びこの金属膜の上に触媒を設けた基板上にCNTを成長せしめ、次いでこの金属膜を溶融せしめ、CNTの下端部分をこの溶融金属で被覆し、固定する。被覆されたCNTの下端部分の長さが、成長したCNTの長さの1/3以下となるようにする。 (もっと読む)


【課題】異物混入が少ない高品質で欠陥の少ない単層カーボンナノチューブを含有する組成物を提供する。
【解決手段】a)該単層カーボンナノチューブ含有組成物を昇温速度5℃/分で空気中で熱分析した場合、燃焼による重量減少の一次微分曲線のピーク位置が500℃以上であり、該ピークの半値幅が170℃より小さいこと。b)透過型電子顕微鏡で100万倍以上で観察した時に単層カーボンナノチューブが観察されること。c)該単層カーボンナノチューブ含有組成物を共鳴ラマン散乱測定法(励起波長488nm)で観察したとき、(1)1590cm-1付近にGbandが観察され及び該Gbandが分裂していること、及び(2)1350cm-1(Dband)付近のピーク高さが1590cm-1付近のピーク高さの1/3以下であることを満たす単層カーボンナノチューブ含有組成物である。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノウォールを用いた新規な特性を有する電子素子を提供する。
【解決手段】厚さ0.5mmの石英ガラス70上に、カーボンナノウォールを成長させて、上面に電極を所定間隔を隔てて設けた。原料ガスとしてC26 を使用した。ラジカル源ガスとしては水素ガス(H2 )を使用した。なお、カーボンナノウォールを堆積させる基板表面には、触媒(金属触媒等)を実質的に存在しない。この素子の電圧電流特性を測定したところ、負性抵抗領域が得られ、履歴特性も観測された。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性、耐薬品性、耐侯性に優れ、疎水性表面を有し、新しいナノろ過膜等として有用な多孔質炭素膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】 メソ細孔を有し、ガス吸着法で測定した細孔直径分布が、2〜50nmの範囲にピーク値を有するか、ガス吸着法で測定した全細孔容積の80%以上が、細孔直径2〜50nmの範囲に属するか、ガス吸着法で測定した直径2nm以上50nm以下の大きさの細孔の容積が、直径2nm以下の大きさの細孔の容積の3倍以上あるいは直径50nm以上の大きさの細孔の容積の3倍以上であることを特徴とする多孔質炭素膜とする。 (もっと読む)


【課題】
低温且つ制御が容易な方法でカーボンチューブを製造することが可能なカーボンチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
導電層を有する基板2上のアルミニウム膜4を陽極酸化して、柱状の空孔を有する多孔体としてのアルミナ5aを形成する工程と、そのアルミナを一方の電極として、炭素を含有する有機溶剤を電気分解して、空孔11aの側壁に炭素を積層する工程と、前記多孔体を取り除く工程とをを具備するカーボンチューブ1の製造方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】 外場を加えることなく、基板に対し水平方向であってかつ所定の方向にナノチューブを成長させる方法を提供し、さらにこの方法を利用した配線形成方法及び配線を提供することにある。
【解決手段】 基板上に触媒源を設け、化学気相成長法により触媒源からカーボンナノチューブをを基板の表面の原子配列の方位に沿って成長させる。 (もっと読む)


【課題】ナノカーボン材料を効率よく連続的に製造することができ、製造効率の向上が可能なナノカーボン材料の製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】ナノカーボン材料の製造装置1は、CVD反応を行う反応チャンバ2と、反応チャンバ2内を加熱するヒータ21と、基板6を冷却する冷却チャンバ4と、反応チャンバ2内に原料ガスを供給するガス供給手段と、反応チャンバ2内のガスを排気する排気手段と、基板6を支持すると共にCVD反応を行う反応位置202へ移送可能な基板支持部22と、基板6を反応チャンバ2から冷却チャンバ4へ移送する移送手段とを有している。反応チャンバ2と冷却チャンバ4との間には、両者の間を連通させる排出用気密連通路52が設けられており、排出用ゲート521の開閉により両者の間の連通状態と遮断状態とを切り替えることができるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】レゾルシノール類とアルデヒド化合物との重合物から得られる炭化物の中でも、静電容量が高められた電気二重層キャパシタに好適な炭化物を提供する。
【解決手段】式(1)で表される化合物を炭化及び賦活させてなる活性炭。


(式中、Rは炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基には、水酸基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、アリールオキシ基、スルホニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、チオアルキル基、シアノ基、カルボキシル基、アミノ基又はアミド基が結合していてもよい。R’は水素原子又はメチル基を表す。nは4、6又は8を表す。) (もっと読む)


【課題】 新規な合成プロセスで調製された、新規な物性、形態を有する炭素材料を提供しようというものである
【解決手段】 塩基性縮合剤の存在下、アルキルアンモニウム塩、アルキルアミンよりなる群から選択された1種以上界面活性剤と水を特定モル比で混合した溶液に、反応して特定のポリマーを形成するモノマーを加え、前記界面活性剤をテンプレートとして共重合反応させてワイヤー状ポリマーを生成し、この生成物を分離回収し、精製して界面活性剤を分離除去し、または分離除去することなく界面活性剤を結合したまま該共重合体を不活性雰囲気下で焼成して炭素化する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、効率的に被吸着物質を吸着し、しかも、流動性や充填性に優れた球状多孔性複合体粒子からなる多孔性複合体粒子粉末に関するものである。
【解決手段】 平均粒子径が1〜1000μmであり、BET比表面積が200m/g〜2000m/g、平均細孔径が2〜5nmの範囲にあり、2〜50nmのメソ孔領域と2nm未満のミクロ孔領域に細孔径のピークを有する球状多孔性炭素粒子からなる多孔性炭素粒子粉末は、フェノール類、アルデヒド類及び炭素粉末を、塩基性触媒を開始剤として水性媒体中で重合反応させてフェノール樹脂を結合樹脂とする炭素とフェノール樹脂からなる複合体粒子を生成させた後、該複合体粒子を固液分離し、次いで、乾燥した後、不活性雰囲気下500〜1000℃の温度範囲において加熱処理して前記フェノール樹脂を炭化させ、さらに賦活処理を行って得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造体の生成方法及び装置を提供する。
【解決手段】ナノ構造体の生成方法は、ナノ構造体を生成するためにナノ構造体の成分を含むガスを一つ以上の中空陰極反応装置に通す段階と、ナノ構造体を収集し、次いで副産物を、酸化ガスと一緒に一つ以上の中空陰極反応装置に通して排気ガスから除去する段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板材質の選択に幅を持たせつつ、その基板上に形成される触媒金属において、触媒能を有効に発揮し、かつ、特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつように成長制御させることを可能とする。
【解決手段】単結晶基材としてのSi基板1と、拡散バリア膜としてのAg膜2と、触媒金属層としてのCo層3とを備え、Co層3上にカーボンナノチューブを成長、形成させるカーボンナノチューブ形成用基材であって、Ag膜2は、Si基板1の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつとともに、カーボンナノチューブの成長温度においてSi基板1及びCo層3の双方と2相分離状態を保つものであり、かつ、Co層3は、Ag膜2の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもっている。 (もっと読む)


【課題】炭素クラスター内にDNAを内包させることができるDNA内包炭素クラスターの製造装置を提供する。
【解決手段】DNA含有溶液をためることができる多孔質材あるいは金網からなる高周波印加用電極4と、該高周波印加用の電極4に対向して配置された接地電極1と、該高周波印加用の電極4に高周波電力を供給する電源9とを備え、該接地電極1の表面に開口炭素クラスター2を有することを特徴とするDNA内包炭素クラスターの製造装置。 (もっと読む)


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