【課題】炭素原料ガスの分解される効率を高め、カーボンナノチューブの成長速度を高めて高品質なカーボンナノチューブの連続成長を可能にする触媒部材を提供する。
【解決手段】本発明に係る触媒部材１０は、銀または銀合金からなるベース体１と、上記ベース体１の内部を貫通するように配置された鉄フィラメント３と、上記鉄フィラメント３の一方の端部の一部分に接触するように配置されたアルミナ膜７とを備える。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブを基板上に合成する方法であって、炭素源、酸化物化合物の前駆体源、および任意に触媒源を含む流れを前記基板上に生じさせることにより化学蒸着によって前記カーボンナノチューブを前記基板上に成長させる工程を含む方法に関する。 （もっと読む）

リチウムイオン電池に関して、高容量シリコンベースアノード活性材料を説明する。これらの材料は、高容量リチウムリッチカソード活性材料と組み合わせると有効であることが示されている。補助リチウムが、少なくともいくつかのシリコンベース活性材料に関して、サイクリング性能を改良し、不可逆容量損失を減少させることが示されている。特に、シリコンベース活性材料は、導電性コーティング、例えば熱分解炭素コーティングまたは金属コーティングを備える複合材として形成することができ、複合材はまた、カーボンナノファイバおよび炭素ナノ粒子など他の導電性炭素成分と共に形成することができる。シリコンを含むさらなる合金も考察する。
（もっと読む）

複合材料は、巻取り可能な寸法の金属繊維材料と、金属繊維材料の周囲に等角的に配置されるバリアコーティングと、金属繊維材料に浸出されるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と、を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）浸出金属繊維材料を含んで構成される。連続ＣＮＴ浸出プロセスは、（ａ）巻取り可能な寸法の金属繊維材料の表面にバリアコーティング及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成触媒を配置することと、（ｂ）金属繊維材料上にカーボンナノチューブを合成し、これによりカーボンナノチューブ浸出繊維材料を形成することと、を含んで構成される。 （もっと読む）

複合材料は、巻取り可能な寸法のアラミド繊維材料を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）浸出アラミド繊維材料と、アラミド繊維材料の周囲に等角に配置されたバリアコーティングと、アラミド繊維材料に浸出されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と、を含む。浸出されたＣＮＴは、長さが均一かつ密度が均一である。連続ＣＮＴ浸出プロセスは、（ａ）巻取り可能な寸法のアラミド繊維材料の表面にバリアコーティング及びカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）形成触媒を配置することと、（ｂ）アラミド繊維材料上にカーボンナノチューブを合成し、これによりカーボンナノチューブ浸出アラミド繊維材料を形成することと、を含む。 （もっと読む）

組成物が、巻き取り可能な寸法の炭素繊維材料と前記炭素繊維材料に浸出されたカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴｓ）とを含んだカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）浸出炭素繊維材料を含む。前記浸出されたＣＮＴｓは長さと分布が均一である。また、前記ＣＮＴ浸出炭素繊維材料は、前記炭素繊維材料の周りに等角的に配置されたバリア・コーティングも含むが、一方、前記ＣＮＴｓには実質的にバリア・コーティングは存在しない。連続ＣＮＴ浸出プロセスは、（ａ）炭素繊維材料を官能基化すること、（ｂ）前記官能基化された炭素繊維材料にバリア・コーティングを配置すること、（ｃ）前記官能基化された炭素繊維材料にカーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）形成触媒を配置すること、及び（ｄ）カーボン・ナノチューブを合成し、これによって、カーボン・ナノチューブ浸出炭素繊維材料を形成すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな装置、処理工程などを必要とせずにカーボンナノチューブの密着力を制御し得るカーボンナノチューブ生成用基板を提供する。
【解決手段】基板本体２の表面にカーボンナノチューブを生成するための触媒金属層４が設けられてなるカーボンナノチューブ生成用基板１であって、基板本体２と触媒金属層４との間に二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）と酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）との混合物を含む中間層３を配置するとともに、この混合物の割合を原料モル比（Ｓｉ／Ａｌ）で０．２〜５の範囲内となし、且つ中間層３の厚さを、１０〜５００ｎｍの範囲内としたものである。 （もっと読む）

複合材料には、マトリックス材と、マトリックス材の少なくとも一部分に配置された第１の一方向配列カーボン・ナノチューブ浸出繊維と、が含まれる。製品には、この複合材料と、複合材料の周縁部に配置された電極ネットワークと、が含まれる。電極では電荷のやりとりを行う。このような製品は、検知回路と電極ネットワークに対する電流供給源と共にシステム内に含まれる。このようなシステムは、複合材料における、ひずみ、疲労、損傷又は亀裂などの状態を引き起こす荷重を製品にかけること、及び、その状態の位置を監視すること、を含む方法に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブに代表されるナノチューブを微細な構造物に設ける際に、該構造物の機能性能を損なうことなく設けることが可能な、ナノメータスケールの構造物を作製する方法の提供。
【解決手段】 ナノチューブを所定の位置で所定の方向に配置し、ナノメータスケールの構造物を作製する方法において、集束エネルギービームを試料に照射して、所定箇所をエッチングし基板を平坦化する第１の工程と、集束エネルギービームの照射による有機ガスの分解によって、該平坦化した位置に柱状構造物を形成する第２の工程と、該柱状構造物に触媒を付着させる第３の工程と、気相成長法により、該柱状構造物の成長方向に沿ってナノチューブを成長させる第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを高密度で成長させることができるカーボンナノチューブデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】チタン、タンタル、バナジウム及びニオブからなる群から選択された少なくとも一種の金属の酸化物、窒化物又は酸窒化物を含む下地膜２を形成する。下地膜２上に、コバルト、ニッケル及び鉄からなる群から選択された一種の第１の金属、並びにチタン、タンタル、バナジウム及びニオブからなる群から選択された少なくとも一種の第２の金属を含む触媒粒子３を分散させる。下地膜２の温度を４５０℃以下として触媒粒子３からカーボンナノチューブ４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ剥離工程後の基板を少ない時間と安い費用でＣＮＴ成長用基板として再利用可能にすること。
【解決手段】基板表面に熱シリコン酸化膜が形成され、かつ、この熱シリコン酸化膜上の触媒金属微粒子に炭素含有ガスが接触反応してカーボンナノチューブを成長させる工程と、剥離具等により基板表面からカーボンナノチューブが剥離される工程と、を経たシリコン基板を再利用する方法であって、高温炉内に上記工程後のシリコン基板を搬入する工程と、この高温炉内に水分と、酸素とを導入する工程と、高温炉内温度を上記基板表面での剥離残渣の熱分解と熱シリコン酸化膜形成とを同時に行える温度に設定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数個のカーボンナノチューブ束からなるカーボンナノチューブ集合体のうち第１カーボンナノチューブの長さ方向の一端側に第２カーボンナノチューブを絡ませた構造をもつカーボンナノチューブ複合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ複合体は、複数個の第１カーボンナノチューブを並設させたカーボンナノチューブ集合体と、第１カーボンナノチューブのうち第１カーボンナノチューブの長さ方向の一部に部分的に絡み合っている第２カーボンナノチューブとを有する。触媒または触媒を有する化合物を含む処理液と基板とを接触させ、複数の島状をなす種触媒粒子を基板の表面に分散させて形成する。種触媒粒子を有する基板にカーボンナノチューブ形成反応を発生させる。 （もっと読む）

【課題】下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。 （もっと読む）

【課題】基材を繰り返し再利用しても高品質なカーボンナノチューブの生成を安定に高効率に実現することのできる、低コストのカーボンナノチューブ生成用再利用基材及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ生成用再利用基材は、基材と、前記基材の表面上に設けられており、触媒の下地となる下地層と、前記下地層の表面であって、前記基材とは反対側の表面に設けられており、炭素成分を含まない触媒微粒子を少なくとも１つ備える触媒層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高硬度で緻密な炭素膜を均一な厚みで形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この原料の気体Ｇを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Ｄの表面に加速照射するときに、マグネット１０９によって成膜室１０１内の励起空間に磁場を印加すると共に、この励起空間の周囲に配置されたマグネット１０９を周方向に回転させながら、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料が大きい表面積を有し、かつ、基体に対し突出した構造を持つ、ナノ炭素材料複合基体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コバルト又はコバルト化合物からなる触媒を基体１１表面に担持し、基体１１を酸化雰囲気中で８５０℃以上１１００℃以下の範囲で熱処理した後、基体１１をオクタノールとオクタンチオールとの混合溶液１５中で加熱することにより、節を有するファイバー状のナノ炭素材料１２が基体１１に生成する。合成の際、基体１１を７００℃以上９００℃以下の範囲で加熱するとよい。 （もっと読む）

【課題】フィラメント状のカソード電極の寿命を高めると共に、高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室１０１内に炭素を含む原料の気体Ｇを導入し、この気体Ｇを通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極１０４と、その周囲に設けられたアノード電極１０５との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体Ｇを加速して基板Ｄの表面に照射することによって、基板Ｄの表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、カソード電極１０４を回転させながら炭化処理した後に、この炭化処理されたカソード電極１０４を用いて、炭素膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの製造方法、その製造方法によって製造されたグラフェン、そのグラフェンからなる導電性薄膜、透明電極、放熱素子または発熱素子を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法は、（ａ）ベース部材１１０と、前記ベース部材上に形成された親水性酸化層１２０と、前記酸化層上に形成された疎水性金属触媒層１３０と、前記金属触媒層上に形成されたグラフェン層１４０とを含むグラフェン部材を準備する段階と、（ｂ）前記グラフェン部材に水を提供する段階と、（ｃ）前記酸化層から前記金属触媒層を分離する段階と、（ｄ）エッチング法を用いて前記金属触媒層を除去する段階とを含む。前記グラフェン上には転写部材１５０が配置される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを含む熱伝導体によって、被熱処理体に、熱を均一かつ安定して伝導すること。
【解決手段】金属触媒８が外周面に被覆された複数の円筒部Ｔ１〜Ｔ３と、金属触媒が非被覆の円筒部Ｔ４を、円板状基板１面に略垂直かつ同心円状かつ入れ子状に配置して熱伝導体用構造体を得た後、この熱伝導体用構造体を、ＣＶＤ用真空チャンバ内に配置する。そして、ＣＶＤ法によってカーボンナノチューブ前駆体である炭素材を前記金属触媒８上に形成し、それと同時に熱伝導体用構造体のラジアル方向に電場及び／又は磁場を印加する（参照符号９Ａ、９Ｂが電極又は磁極を指す）。その結果、多数本のカーボンナノチューブＣＮＴが、円筒部Ｔ１〜Ｔ３の外周からラジアル方向に向けて配向・成長し、かつ、鉛直方向に形成されたサセプタ１０（熱伝導体）を得る。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブシート構造体において、熱伝導及び電気伝導を向上させる。
【解決手段】カーボンナノチューブシート構造体は、相対向する第１および第２の主面で画成された媒体と、各々前記媒体の前記第１の主面から前記第２の主面まで延在する、複数のカーボンナノチューブと、を含み、前記複数のカーボンナノチューブの各々は、前記第１の主面に露出した第１の末端部と、前記第２の主面に露出した第２の末端部とを有し、前記複数のカーボンナノチューブの前記第１の末端部は、前記第１の主面において、開端し、前記第２の末端部は、前記第２の主面において、開端しており、前記複数のカーボンナノチューブの各々の内部は、前記第１の末端部から前記第２の末端部まで、金属により充填されている。 （もっと読む）