【課題】オン／オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブＦＥＴの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。この単層カーボンナノチューブヘテロ接合をチャネルに用いて単層カーボンナノチューブＦＥＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ以外の炭素材及び／又はカーボンナノチューブの結晶欠陥部分の除去、あるいは炭化水素混合物を均質・低分子化してカーボンナノチューブ成長を安定化させることを課題とする。
【解決手段】触媒成長法を用いたカーボンナノチューブの製造方法において、カーボンナノチューブ１８の成長時に、反応管１２内において放電を行うことにより反応活性種を生成させ、生成した反応活性種によってカーボンナノチューブ１８以外の炭素材及び／又はカーボンナノチューブ１８の結晶欠陥部分の除去を行うことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、例えばＳｉまたはＧｅを含むナノ粒子のようなメタルフリー触媒ナノ粒子（１４）を用いた、少なくとも１つのカーボンナノチューブ（１６）を形成する方法を提供する。本発明の方法は、炭素源ガスを分解し、後にカーボンナノチューブ（１６）を成長させるようにメタルフリー触媒ナノ粒子（１４）において再結合する炭素フラグメントを形成する工程を用いる。本発明の実施形態に係る方法は金属不純物を含まないカーボンナノチューブ（１６）をもたらす。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造体を生成する基材を連続的に供給可能とすることで量産が容易なカーボンナノ構造体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１００は、主要構成としてカーボンナノ構造体を生成するプラズマ処理室１０１と、基材１０４をプラズマ処理室１０１内に送出する基材供給部１０２と、カーボンナノ構造体が生成された基材１０４を回収する基材回収部１０３とから構成されている。基材１０４は帯状の形状を有しており、基材供給部１０２からプラズマ処理室１０１を経由して基材回収部１０３まで連続して移送される。製造装置１００では、カーボンナノ構造体としてカーボンナノウォールが生成される。 （もっと読む）

２層以上の強化材の層を現場で(in-situ)成長させること、及び、各層を次の層を成長させる前にマトリックスで含浸することを含む、複合材の製造方法。強化材の層は化学蒸着法によって形成されうる。この方法は、所望の形状及び物性を有する部品を形成するためのアディティブ層製造技術として使用できる。
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【課題】基板上に炭素構造体を形成する際に、電極等の汚染と異物等の発生を抑制し、炭素構造体を大面積に良好に形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置は、基板を収容する第１空間を形成する第１室と、第１空間に炭素構造体を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、第１空間とは別の第２空間を形成する第２室と、前記第２空間にプラズマを生成するためのガスを供給するガス供給装置と、第２空間においてプラズマを生成するプラズマ生成装置と、第１空間と第２空間とを接続する開口と、第２空間で生成されたプラズマを開口を介して第１空間に導入するプラズマ導入装置とを備え、第１空間に導入されたプラズマによって、原料ガスを用いて基板上に炭素構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】対象物を加熱したり、対象物表面へ下地層を形成したりすることなく、低コストで炭素系膜を形成することが可能な炭素系膜の形成装置および形成方法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部５によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極７ａ，７ｂによりイオンビームを引き出して加速し、この引き出されたイオンビームを対象物Ｘ上へ照射することにより、対象物Ｘ表面の改質とこの対象物表面への炭素系膜の形成とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】ダイモンド粒子の成長を抑制して滑らかなＤＬＣ膜を容易に形成でき、更には、バンドギャップの制御も可能なＤＬＣ膜の形成方法及びＤＬＣ膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板ホルダー１１によって基板９を冷却して、基板温度が過度に上昇しないようにするとともに、ＤＣパルス放電によるプラズマ化学気相成長法において、原料ガスとして、水素ガスとハイドロカーボン系ガス（ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₄Ｈ₆、Ｃ₄Ｈ₈、Ｃ₅Ｈ₈）を用い、混合比をハイドロカーボン系ガスを１％から５０％に調整する。これにより、ＤＬＣ膜中のダイアモンド粒子の成長を抑制でき、バンドギャップを３．９ｅｖから０．５ｅＶまで制御したＤＬＣ膜を得ることができる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】品質のよいカーボンナノチューブを製造する。
【解決手段】原料ガスを導入する上部電極１３と基板２１を配置する下部電極１２の間に通気孔１８を有する中間電極１４を配置し、中間電極１４をカソード、上部電極１３をアノードとしてその間にプラズマを発生させる。正電荷の気体は中間電極１４に引き付けられ、中間電極１４に入射するので通気孔１８を通過できない。ラジカルは電荷を有さないので中間電極１４に引き付けられず、通気孔１８を通過し、基板２１の表面に到達すると、基板２１表面の触媒金属層と反応し、カーボンナノチューブが正電荷の気体に曝されず、欠陥が生じない。 （もっと読む）

【課題】プラズマによる基板表面のエッチングを抑えつつ、カーボンナノチューブの成長速度の向上を図ることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１１は、プラズマＰの発生空間と基板ステージ１４との間に複数枚のメッシュ状の遮蔽板１８（１８Ａ，１８Ｂ）を設置することにより、遮蔽板１８を介してのプラズマＰからのイオンの漏れ出しを防止するようにしている。これにより、基板Ｗを遮蔽板１８に近づけてもイオンによる基板表面のエッチングを防ぐことができ、基板Ｗへ到達するラジカル量を増加させて成膜レートの向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の均一性を向上させることができる炭素系微細繊維状物質の製造方法を提供すること。
【解決手段】ディスプレイ１００は、電子が放出される側に設けられた背面板１１０と、画像が表示される側に設けられた前面板１２０と、背面板１１０と前面板１２０とに挟まれたスペーサ１３０とを有し、背面板１１０は、基板１１１と、基板１１１上に形成されたストライプ状の陰極母線１１２と、陰極母線１１２上に形成され電子を放出する炭素系微細繊維状物質１１３とを備え、前面板１２０は、基板１２１と、基板１２１上に形成され電子を捕捉する陽極電極１２２と、陽極電極１２２上に形成された蛍光体層１２３とを備え、炭素系微細繊維状物質１１３は、形成後に少なくとも１回の加熱工程を経るものとした。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低温でカーボンナノチューブを形成できる技術を提供する。
【解決手段】第一の真空チャンバ１０と第二の真空チャンバ２０を、ダクト１１、２１によって接続し、第一、第二の真空チャンバ１０、２０とダクト１１、２１を真空排気しておき、第一の真空チャンバ１０内で基板表面に形成した触媒薄膜をダクト１１、２１を通過させて第二の真空チャンバ２０内に搬入し、触媒薄膜表面にカーボンナノチューブを成長させる。触媒薄膜は大気に曝されないので失活せず、低温でもカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】カイラリティの制御が可能であり、金属的なカーボンナノチューブと半導体的なカーボンナノチューブとの作り分けが容易なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】一周する側壁に三角格子の原子配列を有する触媒金属微粒子１０に炭素原料を供給し、触媒金属微粒子１０から三角格子の原子配列を反映した六員環構造を有するグラフェンシート１８を順次析出させることにより、炭素原子よりなる円筒型構造体を形成する。これにより、三角格子の方向に対するグラフェンシートの析出方向により円筒型構造体のカイラリティを制御することができ、触媒金属微粒子の径により円筒型構造体の径を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図るとともに、簡便なプロセスで製造することができる硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】被膜中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、そのうちＣｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体２の占める領域が面積比で１５％以下に抑制されており、被膜表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。摺動層中にＣｏやＮｉを１．４〜３９原子％含有し、Ｃｏ凝集体やＮｉ凝集体は、等価円直径が５ｎｍを超える該凝集体の占める領域が面積比で１５％以下であり、摺動層表面に硬質の粒子や粒状突起を有し、表面粗さＲｙが０．１〜０．６μｍである硬質炭素被膜である。等価円直径が５ｎｍを超える凝集体の面積比をＸ％とし、ＣｏとＮｉの合計含有量をＹ原子％としたときに、Ｘ＜４Ｙを満たす。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォール（ＣＮＷ）のウォール間の間隔を変化させ、その表面積を制御させたり、その結晶性を制御して高電位における耐腐食性を向上させるカーボンナノウォール（ＣＮＷ）の構造制御方法を提供するとともに、構造制御された高表面積のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）及び高結晶性のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）を提供する。
【解決手段】（１）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であることを特徴とするカーボンナノウォール。（２）照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。（３）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であるとともに、照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子作製プロセスに適用できるような低温でカーボンナノチューブを成長させることができる基板及びこの基板を用いた低温でのカーボンナノチューブの作製方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバ内に、基板と触媒層との間に二層からなるバッファ層を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ成長用基板を載置し、次いで、基板がプラズマに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、この基板上に、プラズマにより原料ガスを分解して得られたラジカルを接触させてカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】陰極ワイヤの量産性を向上すること。
【解決手段】対向配置された陽極１２，１４と、両陽極の対向配置空間内に配置された陰極１６と、を備え、両陽極１２，１４の対向配置空間内の圧力制御と、上記対向配置空間内に炭素膜成膜用のガスの導入制御と、上記両陽極１２，１４への直流高電圧の印加制御の下に陰極１６の両電極面の近傍領域それぞれに炭素膜成膜用の直流プラズマ２２を発生させて、陰極１６の近傍に並置した導体ワイヤ１８の表面に炭素膜を成膜して陰極ワイヤをバッチ生産する製造装置。 （もっと読む）

【課題】導電性の塗料、電波吸収材、遮光材料等に用いた際に、高い導電性、充填性や遮光性等が得られる結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下の箔片状結晶片を含有する炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素材料は、炭化水素化合物をプラズマ熱分解して得られる結晶性のものであって、その結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下である箔片状結晶片を含有する。この炭素材料は、不活性ガス、または不活性ガスと水素ガスあるいは炭酸ガスとの混合ガスをプラズマ発生室内で、標準状態（２５℃で１０１３２５Ｐａ）におけるガスの流速が０．６０２ｍ／ｓｅｃ以上になるように供給し、プレート電力６ｋＶＡ以上の高周波を印加した後、前記炭化水素化合物を５Ｌ／ｍｉｎ以上導入して該炭化水素化合物の熱分解を行って製造する。 （もっと読む）

【課題】粉体の供給が容易で、均一なカーボン膜を作成するための溶射により適したフラーレン粒体、及びその製造方法、並びにこのフラーレン粒体を原料として用い、溶射法により成膜することを特徴とするカーボン膜、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フラーレンの粒体は、粒径の下限が５０μｍ以上、上限が８００μｍ以下であり、かつ充填密度が０．７ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】標的検出素子、センサー等に好適に用いられ、カーボンナノチューブが一列に配列してなるカーボンナノチューブ連結体及びその効率的な製造方法等の提供。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ連結体は、複数のカーボンナノチューブが、基材にその一端が結合し、該基材に対し略直交する方向に配向し、カーボンナノチューブが配列してなる。本発明のカーボンナノチューブ連結体の製造方法は、金属層上に凹状ラインを形成し、該ライン上に、金属層に対し略直交する方向にナノホールが配列してなるナノホール列を形成してナノホール構造体を形成するナノホール構造体形成工程、ナノホールの内部にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程、カーボンナノチューブ形成工程により凹状ライン間の凸部表面に付着したカーボンを除去するカーボン除去工程、及び金属層を溶解させる金属層溶解工程を含む。 （もっと読む）